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芯片設(shè)計之反向工程的流程和各道工序
有制造就對應(yīng)著拆解，這是刻苦好學(xué)的人們?yōu)榱双@取知識所進行的最暴力也是最直接的方法。那么，集成電路的反向工程是怎樣的一個流程？其各道工序又如何進行？
2019-09-17
芯片設(shè)計 反向工程
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什么是光耦，它有哪些特點，都應(yīng)用于哪些電路？
我們知道作為開關(guān)電源，它電路中光耦的電源是從高頻變壓器次級電壓來獲取的，一旦輸出電壓由于各種原因降低時候，反饋電流就會相應(yīng)的加大，此時占空比也會相應(yīng)的變大，結(jié)果使得輸出電壓升高；若輸出電壓升高，那么電流將會變小，占空比也會減小，使得輸出電壓降低。
2019-09-12
光耦 特點 應(yīng)用
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五個電磁兼容實例應(yīng)用分析
以下分析五個關(guān)于電磁兼容的實例應(yīng)用，實例一：某系統(tǒng)設(shè)備在做422通訊串口的射頻場感應(yīng)傳導(dǎo)測試，采用雙絞屏蔽線，開始采用的是單端接地，測試時出現(xiàn)的誤碼率高。
2019-09-11
電磁兼容
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菜鳥選擇MOSFET的四步驟！
本文概括了一些MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)，這些指標(biāo)在數(shù)據(jù)表上是如何表述的，以及你理解這些指標(biāo)所要用到的清晰圖片。像大多數(shù)電子器件一樣，MOSFET也受到工作溫度的影響。所以很重要的一點是了解測試條件，所提到的指標(biāo)是在這些條件下應(yīng)用的。還有很關(guān)鍵的一點是弄明白你在“產(chǎn)品簡介”里看到的這些指標(biāo)是“最...
2019-09-09
MOSFET 導(dǎo)通電阻 柵極電荷
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【工程師實戰(zhàn)】一個晶振引發(fā)的EMI超標(biāo)原因及對策
某行車記錄儀，測試的時候要加一個外接適配器，在機器上電運行測試時發(fā)現(xiàn)超標(biāo)，具體頻點是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其輻射超標(biāo)產(chǎn)生的原因，并給出相應(yīng)的對策。
2019-09-06
晶振 EMI超標(biāo) EMI
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靜電保護原理和設(shè)計
一直想給大家講講ESD的理論，很經(jīng)典。但是由于理論性太強，如果前面那些器件理論以及snap-back理論不懂的話，這個大家也不要浪費時間看了。任何理論都是一環(huán)套一環(huán)的，如果你不會畫雞蛋，注定了你就不會畫大衛(wèi)。
2019-09-05
靜電保護 ESD 原理 設(shè)計
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降低噪音：限制電磁干擾（二）
在上一篇文章“降低噪音：限制電磁干擾（一）”中，我們介紹了電磁干擾的根源和降低電磁干擾的三種主要方式。本文，我們將介紹通過降低噪音并限制汽車系統(tǒng)中電磁干擾的解決方案。
2019-09-05
降低噪音 電磁干擾
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汽車線束設(shè)計流程、選材及搭鐵設(shè)計
隨著人們對汽車的安全性、舒適性、經(jīng)濟性和排放性要求的提高，汽車線束變得越來越復(fù)雜，但車身給予線束的空間卻越來越小。因此，如何提高汽車線束的綜合性能設(shè)計便成為關(guān)注的焦點，而且汽車線束制造廠家不再單純地搞線束后期設(shè)計和制造，和汽車主機廠家聯(lián)合進行前期開發(fā)成為必然的趨勢。以下談?wù)劸€...
2019-09-04
汽車線束設(shè)計 搭鐵設(shè)計
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以實例分析FPGA電源設(shè)計的特性及規(guī)范約束
作為一種復(fù)雜的集成電路，F(xiàn)PGA系統(tǒng)供電的電源的設(shè)計與一般的電子系統(tǒng)相比，要求也更高，需要具備高精度、高密度、可控性、高效及小型化等的特點。本文系統(tǒng)介紹了FPGA電源的不同特性，同時會通過實例，讓工程師更深入地了解各特性的意義，以及FPGA規(guī)范約束及其對電源設(shè)計的影響，以便快速完成FPGA系...
2019-08-30
FPGA 電源設(shè)計
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