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意法半導(dǎo)體推出Page EEPROM二合一存儲器，提升智能邊緣設(shè)備的性能和能效
意法半導(dǎo)體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應(yīng)用場景提供了一個(gè)混合存儲器。
2024-10-17
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一文讀懂 嵌入式系統(tǒng)外設(shè)器件的類型及其選擇
本文介紹了嵌入式系統(tǒng)外設(shè)器件的選擇，包括存儲器、時(shí)鐘源、定時(shí)器、通信接口和輸入/輸出接口等。文章介紹了多種存儲器類型及其選擇考慮因素，多種時(shí)鐘源的類型及其選擇考慮因素。強(qiáng)調(diào)了定時(shí)器精度和計(jì)時(shí)范圍的重要性。文章還介紹了通信接口類型、常見通信協(xié)議及其選擇因素，以及主要的輸入/輸出接口等，并總結(jié)了選擇這些外設(shè)器件時(shí)的關(guān)鍵考量。
2024-10-16
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DigiKey開售Kingston的內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲器產(chǎn)品制造商之一，Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內(nèi)的各種存儲產(chǎn)品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
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MCX N系列微處理器之NPU使用方法簡介
MCX N系列是高性能、低功耗微控制器，配備智能外設(shè)和加速器，可提供多任務(wù)功能和高能效。部分MCX N系列產(chǎn)品包含恩智浦面向機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用的eIQ? Neutron神經(jīng)處理單元(NPU)。低功耗高速緩存增強(qiáng)了系統(tǒng)性能，雙塊Flash存儲器和帶ECC檢測的RAM支持系統(tǒng)功能安全，提供了額外的保護(hù)和保證。這些安全MCU包含恩智浦EdgeLock?安全區(qū)域Core Profile，根據(jù)設(shè)計(jì)安全方法構(gòu)建，提供具有不可變信任根和硬件加速加密的安全啟動(dòng)。
2024-04-23
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意法半導(dǎo)體突破20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，提升新一代微控制器的成本競爭力
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項(xiàng)基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進(jìn)化。這項(xiàng)新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實(shí)現(xiàn)巨大飛躍，同時(shí)可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)?；谛录夹g(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產(chǎn)。
2024-03-26
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意法半導(dǎo)體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產(chǎn)品輕松擁有驚艷圖效
意法半導(dǎo)體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU)，讓成本敏感的小型產(chǎn)品也能為用戶帶來更好的圖形體驗(yàn)。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動(dòng)態(tài)存儲器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個(gè)幀緩存區(qū)，以節(jié)省外部存儲芯片。新產(chǎn)品還集成了意法半導(dǎo)體的NeoChromVG圖形處理器(GPU)，能夠?qū)崿F(xiàn)的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。
2024-02-05
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鎧俠發(fā)布 2TB microSDXC 存儲卡
2023年12月20日,中國上海 — 全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)2TB microSDXC存儲卡,這對于智能手機(jī)用戶、內(nèi)容創(chuàng)作者和移動(dòng)游戲玩家來說是一項(xiàng)突破性的進(jìn)展。EXCERIA PLUS G2 2TB microSDXC存儲卡提供更強(qiáng)大的性能和更大的容量,讓用戶能夠記錄和存儲更多內(nèi)容。
2023-12-29
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如何在下一代 MCU 應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)投影顯示
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當(dāng)控制信號施加到晶閘管的輸入時(shí)，它們就會打開。當(dāng)使用直流電時(shí)，可以通過去掉電源電壓來關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個(gè)重大且不可避免的缺點(diǎn)是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調(diào)整開關(guān)閾值的能力。
2023-12-25
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具有受控開關(guān)閾值的晶閘管模擬
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當(dāng)控制信號施加到晶閘管的輸入時(shí)，它們就會打開。當(dāng)使用直流電時(shí)，可以通過去掉電源電壓來關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個(gè)重大且不可避免的缺點(diǎn)是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調(diào)整開關(guān)閾值的能力。
2023-12-22
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巨磁阻多圈位置傳感器的磁體設(shè)計(jì)
多圈傳感器本質(zhì)上是將磁寫入和電子讀取存儲器與傳統(tǒng)的磁性角度傳感器相結(jié)合，以提供高精度的絕對位置?！熬哂姓嬲想娔芰εc零功耗的多圈位置傳感器(TPO)”中描述的磁寫入過程需要使用特定的操作窗口來維持入射磁場。如果磁場過高或過低，可能會出現(xiàn)磁寫入錯(cuò)誤。在設(shè)計(jì)系統(tǒng)磁體時(shí)必須小心仔細(xì)，并考慮可能干擾傳感器的任何雜散磁場以及產(chǎn)品使用壽命內(nèi)的機(jī)械公差。較小的雜散磁場可能會導(dǎo)致測量角度出現(xiàn)誤差，而較大的雜散磁場可能會導(dǎo)致磁寫入錯(cuò)誤，從而引起總?cè)?shù)錯(cuò)誤。
2023-12-05
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兆易創(chuàng)新張靜：“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)周期”下的存儲市場發(fā)展趨勢
近日，第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會在深圳隆重開啟。兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部產(chǎn)品市場經(jīng)理張靜受邀出席，以“持續(xù)開拓，兆易新一代存儲產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”為題，分享了兆易創(chuàng)新在嵌入式存儲器領(lǐng)域的廣泛布局，以及面向產(chǎn)業(yè)技術(shù)變革浪潮的創(chuàng)新思考，共同探討“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動(dòng)周期”下的存儲器市場發(fā)展趨勢。
2023-11-10
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DDR5 時(shí)代來臨，新挑戰(zhàn)不可忽視
在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級增長。面對這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。
2023-10-20
- 車用開關(guān)電源的開關(guān)頻率定多高才不影響EMC？
- 大聯(lián)大世平集團(tuán)的駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)（DMS）方案榮獲第六屆“金輯獎(jiǎng)之最佳技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用”獎(jiǎng)
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