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了解RET的開關(guān)特性
可通過(guò)基極電流開啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是，由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度，因而在許多應(yīng)用中，需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平，從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。閱讀本文，了解如何使用RET來(lái)應(yīng)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)BJT的溫度依賴性。
2023-02-23
RET 開關(guān)特性
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用于有源電源管理的 PMBus 兼容 PoL 穩(wěn)壓器
優(yōu)化效率和解決高端處理器、FPGA 和 ASIC 的復(fù)雜電源要求的需要使得有源電源管理成為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電信系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備應(yīng)用中的關(guān)鍵設(shè)計(jì)要求。同時(shí)，設(shè)計(jì)電源方案的工程師需要限度地減少電路板空間，同時(shí)縮短從初始概念到終產(chǎn)品的開發(fā)時(shí)間。
2023-02-22
有源電源管理 PoL 穩(wěn)壓器
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解析電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施及技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施，通常也被稱為電動(dòng)汽車供電設(shè)備（EVSE），是一個(gè)健康的電動(dòng)汽車生態(tài)系統(tǒng)的核心組成部分，是針對(duì)汽車充電而規(guī)劃的配電網(wǎng)和專用的電力基礎(chǔ)設(shè)施。簡(jiǎn)單的說(shuō)，就像移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施是支持手機(jī)通信背后的一套完整的通訊系統(tǒng)一樣，電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施就是支持充電樁為汽車充電背后...
2023-02-22
電動(dòng)汽車 充電 基礎(chǔ)設(shè)施
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800V電動(dòng)汽車開發(fā)：如何選好“料”，烹小鮮？
全球范圍內(nèi)，電動(dòng)汽車（EV）行業(yè)正處在一個(gè)快速成長(zhǎng)期。根據(jù)麥肯錫的預(yù)測(cè)，在2021至2030的十年間，全球乘用車的總銷量預(yù)計(jì)約為8億臺(tái)，其中電動(dòng)汽車的銷量將達(dá)到約2.2億臺(tái)，其滲透力可謂勢(shì)不可擋。
2023-02-22
電動(dòng)汽車 薄膜電容器 光耦合器
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第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因?yàn)镾iC的襯底良率還有長(zhǎng)晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進(jìn)，這些都會(huì)得到解決。
2023-02-21
第三代半導(dǎo)體 功率器件 汽車
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應(yīng)用為導(dǎo)向的混合式步進(jìn)電機(jī)技術(shù)大大提升了電機(jī)的動(dòng)態(tài)扭矩
步進(jìn)電機(jī)是當(dāng)今最具挑戰(zhàn)性電機(jī)之一，它們具有高精度的步進(jìn)，高分辨率和平滑的運(yùn)動(dòng)，步進(jìn)電機(jī)一般需要定制，在特定應(yīng)用中才能實(shí)現(xiàn)最佳性能。通常自定義的設(shè)計(jì)屬性有定子的纏繞模式、軸配置、自定義外殼和專用軸承，這使得步進(jìn)電機(jī)的設(shè)計(jì)和制造極具挑戰(zhàn)性。
2023-02-21
步進(jìn)電機(jī) 動(dòng)態(tài)扭矩
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種草氮化鎵充電器，幾個(gè)方面要注意
現(xiàn)代人生活節(jié)奏加快，手機(jī)也被要求有更快的運(yùn)行速度。運(yùn)行速度的提升帶來(lái)電量的快速消耗，傳統(tǒng)充電器已經(jīng)無(wú)法滿足需求。氮化鎵充電器在體積、發(fā)熱、效率轉(zhuǎn)換上相比傳統(tǒng)充電器更具有優(yōu)勢(shì)，逐漸成為主流產(chǎn)品。
2023-02-21
氮化鎵 充電器
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通過(guò)模擬減法消除 PWM DAC 紋波(2)
該電路的基本工作原理是PWM 紋波信號(hào)電流與 PWM 信號(hào)電流的 AC 耦合（通過(guò) C2）逆向無(wú)源求和（通過(guò) R1 和 R2），然后在 DAC 輸出電容器 C1 中對(duì)求和進(jìn)行積分。由此產(chǎn)生的紋波分量的部分抵消允許足夠的紋波衰減，同時(shí)使用比單級(jí) RC 濾波器所需的濾波器時(shí)間常數(shù)短得多的時(shí)間常數(shù)。更快的響應(yīng)和更短的...
2023-02-20
模擬減法口 PWM DAC
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
IGBT 損耗 結(jié)溫
- 利用自動(dòng)化技術(shù)賦能中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化
- 三極管電路輸入電壓阻抗
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