MPD系列IGBT模塊的產(chǎn)品特性：

• 搭載第6代IGBT芯片，有助電力轉(zhuǎn)換設(shè)備小型化和高效化
• 確保與現(xiàn)有機(jī)型互相兼容，可更換

MPD系列IGBT模塊的應(yīng)用范圍：

• 兆瓦級(jí)太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備

為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)，有效利用可再生能源的太陽(yáng)能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電等兆瓦級(jí)大規(guī)模發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)正在不斷增加，對(duì)功率調(diào)節(jié)器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的小型化和高效化要求也日益提高。如果你想要實(shí)現(xiàn)發(fā)電系統(tǒng)進(jìn)一步小型化、高效化，一定要了解搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊”。

三菱電機(jī)株式會(huì)社定于5月31日開始發(fā)售MPD系列※1IGBT模塊的3種新產(chǎn)品，這些產(chǎn)品搭載了第6代IGBT※2  芯片，用于兆瓦級(jí)太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。

本產(chǎn)品在2012年的PCIM Europe展 (5月8～10日在德國(guó)紐倫堡舉行)上展出。
※1  Mega Power Dual：大容量雙元件功率模塊
※2  Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管
                
MPD系列IGBT模塊新產(chǎn)品的特點(diǎn)

1．搭載第6代IGBT芯片，有助電力轉(zhuǎn)換設(shè)備小型化和高效化

• 采用第6代CSTBT※3，集電極與發(fā)射極之間的飽和電壓比以前第5代※4降低約15%
• 柵電容比以前※4降低約30～50％
• 最高結(jié)溫為175℃，比以前※4提高25℃,有助電力轉(zhuǎn)換設(shè)備小型化

      ※3  Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor：載流子存儲(chǔ)式絕緣柵雙極性晶體管
      ※4  第5世代IGBT模塊「CM900DUC-24NF」「CM1400DUC-24NF」「CM1000DUC-34NF」

2．確保與現(xiàn)有機(jī)型互相兼容，可更換

• 在外形、端子排列等方面，確保與之前第5代※4互相兼容
• 絕緣耐壓為4000V，比以前※4提高14％～60％

MPD系列IGBT模塊的環(huán)保考慮
符合歐盟成員國(guó)限制6種特定有害物質(zhì)的RoHS※5指令。
※5  Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

MPD系列IGBT模塊的發(fā)售概要
            

MPD系列IGBT模塊的銷售目標(biāo)

為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)，有效利用可再生能源的太陽(yáng)能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電等兆瓦級(jí)大規(guī)模發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)正在不斷增加，這同時(shí)也對(duì)功率調(diào)節(jié)器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的小型化和高效化提出更高要求。

2002年，作為處理兆瓦級(jí)電力的IGBT模塊，本公司推出了以耐壓1200V、額定電流容量900A產(chǎn)品為首的3種MPD系列機(jī)型。本次，為滿足發(fā)電系統(tǒng)進(jìn)一步小型化、高效化的需求，本公司推出搭載第6代IGBT芯片的3種MPD系列新機(jī)型。

此外，該新產(chǎn)品不僅有助發(fā)電系統(tǒng)小型化和高效化，對(duì)工業(yè)機(jī)器的大容量變壓器和不間斷電源設(shè)備(UPS)等的小型化和高效化也有幫助。

MPD系列IGBT模塊的主要規(guī)格
 

商標(biāo) ：CSTBTTM是三菱電機(jī)株式會(huì)社的注冊(cè)商標(biāo)。

制作工廠：三菱電機(jī)株式會(huì)社　功率器件制作所  
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