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當(dāng)電子元件性能下降，如何保護(hù)您的模擬前端？
EOS是一個(gè)通用術(shù)語(yǔ)，表示因?yàn)檫^(guò)多的電子通過(guò)相應(yīng)路徑試圖進(jìn)入電路，導(dǎo)致系統(tǒng)承受過(guò)大壓力。有一點(diǎn)需要注意，這是一個(gè)隨功率和時(shí)間變化的函數(shù)。
2019-08-06
電子元件 性能下降 模擬前端
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屏蔽效能分析
屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之一至萬(wàn)分之一, 因此通常用分貝(dB)來(lái)表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。
2019-08-06
屏蔽 效能分析
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耦合與退耦，上拉與下拉！
耦合指信號(hào)由第一級(jí)向第二級(jí)傳遞的過(guò)程，一般不加注明時(shí)往往是指交流耦合。退耦是指對(duì)電源采取進(jìn)一步的濾波措施，去除兩級(jí)間信號(hào)通過(guò)電源互相干擾的影響。耦合常數(shù)是指耦合電容值與第二級(jí)輸入阻抗值乘積對(duì)應(yīng)的時(shí)間常數(shù)。
2019-08-06
耦合 退耦 上拉 下拉
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電源系統(tǒng)開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。
2019-08-05
電源系統(tǒng) 開(kāi)關(guān)控制器 MOSFET
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MOS管簡(jiǎn)介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
2019-08-05
MOS管 判定電極 放大能力
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負(fù)壓是怎么產(chǎn)生的？附電路詳細(xì)分析
在電子電路中我們常常需要使用負(fù)的電壓，比如說(shuō)我們?cè)谑褂眠\(yùn)放的時(shí)候常常需要給他建立一個(gè)負(fù)的電壓。下面就簡(jiǎn)單的以正5V電壓到負(fù)電壓5V為例說(shuō)一下他的電路。
2019-08-02
負(fù)壓 電路圖
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TVS二極管失效分析
常用電路保護(hù)器件的主要失效模式為短路，瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS 一旦發(fā)生短路失效，釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞。這是 TVS 生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況。通過(guò)對(duì) TVS 篩選和使用短路失效樣品進(jìn)行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征。
2019-08-02
TVS 二極管 失效分析
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如何使用浪涌電流限制器NTC（二）
在上一篇文章“如何使用浪涌電流限制器NTC（一）”中，我們介紹了NTC熱敏電阻的優(yōu)點(diǎn)和兩種應(yīng)用示例。本文中，我們將繼續(xù)講解NTC熱敏電阻其余的兩種應(yīng)用。
2019-08-02
浪涌 電流限制器 NTC
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板子上的MOS管真的能持續(xù)安全工作嗎？
板子上的功率MOS管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計(jì)者最擔(dān)心的問(wèn)題。炸機(jī)、用著用著就壞了、莫名其妙MOS管就炸了，工程師遇到這些真是又怕又恨，可到底是哪里出問(wèn)題了呢？這一切其實(shí)都和SOA有關(guān)。
2019-08-01
板子 MOS管 安全工作
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