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光耦傳輸比對(duì)開關(guān)電源的影響
光耦的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級(jí)與輸出級(jí)之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V（BR）CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE（sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí)還需考慮上升時(shí)間、下降時(shí)間、延遲時(shí)間和存儲(chǔ)時(shí)間等參數(shù)。
2019-08-28
光耦傳輸比 開關(guān)電源
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靜電放電防護(hù)設(shè)計(jì)規(guī)范和指南
人體由于自身的動(dòng)作以及與其它物體的接觸、分離。摩擦或感應(yīng)等因素，可以帶上幾千伏甚至上萬(wàn)伏的靜電。在干燥的季節(jié)，人們?cè)诤诎抵型谢w衣服時(shí)，常常會(huì)聽到“啪啪”的聲音，同時(shí)還會(huì)看到火花，這就是人體的靜電放電現(xiàn)象。在工業(yè)生產(chǎn)中，人是主要的靜電干擾源之一。
2019-08-27
靜電放電 防護(hù)設(shè)計(jì) 指南
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PCB電磁場(chǎng)求解方法及仿真軟件
本文旨在工程描述一些電磁場(chǎng)求解器基本概念和市場(chǎng)主流PCB仿真EDA軟件，更為深入的學(xué)習(xí)可以參考計(jì)算電磁學(xué)相關(guān)資料。
2019-08-27
PCB 電磁場(chǎng) 求解方法 仿真軟件
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電子元器件在線路板上的引腳順序
對(duì)于絕大多數(shù)電子元器件而言，它們都是有極性或者說(shuō)管腳是不能焊錯(cuò)的。比如電解電容，一旦焊反，通電時(shí)就會(huì)發(fā)生爆炸。一般而言采用自動(dòng)化給料機(jī)械進(jìn)行線路板元件組裝時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)放錯(cuò)元器件的問題。但是由于生產(chǎn)廠家條件限制和元器件本身特點(diǎn)，也并不是所有元器件都可以自動(dòng)貼裝或插裝的。
2019-08-27
電子元器件 線路板 引腳順序
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EMI逆向分析法
剛?cè)隕MC坑的很多小伙伴，在面對(duì)EMC問題，很多時(shí)候應(yīng)該都會(huì)覺的無(wú)從下手，或者毫無(wú)頭緒。至此，為何不反過(guò)來(lái)從測(cè)試得出的數(shù)據(jù)進(jìn)行推測(cè)分析，下面就列舉幾個(gè)常見的EMI輻射問題分析思路。
2019-08-26
EMI 逆向分析
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掌握MOS管選型技巧，老司機(jī)只要七步！
MOS管是電子制造的基本元件，但面對(duì)不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時(shí)，該如何抉擇？有沒有省心、省力的遴選方法？下面我們就來(lái)看一下老司機(jī)是如何做的。
2019-08-26
MOS管 選型技巧
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一款能夠?qū)崿F(xiàn)高速測(cè)量與高靈敏度的線性圖像傳感器應(yīng)該被這樣設(shè)計(jì)！
色散譜應(yīng)用中的圖像傳感需要超低噪聲和高比特率的線性陣列圖像傳感器，以實(shí)現(xiàn)高靈敏度和高速測(cè)量。為了降低探測(cè)器的暗噪聲并進(jìn)一步提高測(cè)量靈敏度，需要一個(gè)熱電冷卻器(TEC)。為達(dá)到這些要求，還需要高性能電子器件來(lái)與傳感器接口。
2019-08-26
高速測(cè)量 高靈敏度 線性圖像傳感器
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電源設(shè)計(jì)中的電容應(yīng)用
電源往往是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)過(guò)程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。其實(shí)，作為一款優(yōu)秀的設(shè)計(jì)，電源設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)是很重要的，它很大程度影響了整個(gè)系統(tǒng)的性能和成本。
2019-08-26
電源設(shè)計(jì) 電容應(yīng)用
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如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET？
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會(huì)變得更加復(fù)雜。
2019-08-26
開關(guān)電源 MOSFET
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