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車規(guī)MOSFET技術確保功率開關管的可靠性和強電流處理能力

發(fā)布時間:2023-03-03 來源:意法半導體 責任編輯:wenwei

【導讀】如今,出行生態(tài)系統(tǒng)不斷地給汽車設計帶來新的挑戰(zhàn),特別是在電子解決方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外,隨著汽車電控制單元 (ECU) 增加互聯(lián)和云計算功能,必須開發(fā)新的解決方案來應對這些技術挑戰(zhàn)。


高端車輛使用多達數(shù)百個ECU,這要求電源管理必須更高效,汽車電池和負載點之間的電源路徑更安全,以減少電子器件失效情況發(fā)生。用電子保險(eFuse)代替?zhèn)鹘y(tǒng)保險絲,可以提高電氣安全性。傳統(tǒng)保險絲在導體過載時就會過熱熔化,而電子保險則是控制輸出電壓,限制輸出電流,為負載提供正確的電壓和電流;在失效持續(xù)出現(xiàn)時,最終斷開負載連接。大電流用電環(huán)境在處理高能放電方面提出了嚴格的要求,因此,需要魯棒性和可靠性俱佳的功率開關管。


大電流功率開關管


大電流功率開關管是一個串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管,集成了各種保護、診斷和檢測功能。在大功率汽車電源系統(tǒng)中,通過背靠背連接的 MOSFET開關管,可以保證保險盒對電流雙向控制,為電源路徑提供強大的保護(圖 1)。


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▲圖 1. 雙向大電流功率開關保護配置


電阻器 (RLIM)實時檢測電源軌電流,eFuse電子保險調整 MOSFET的柵源電壓(VGS),將電流限制在目標值,保持電流恒定。如果發(fā)生強過流或短路,控制器就會斷開負載,保護電源。


在負載開通時,eFuse按照預設值提高輸出電壓,確保涌流保持在安全范圍內,從而保護負載和電源。這種情況對功率 MOSFET提出了嚴格的要求,它們必須經(jīng)受住ECU 輸入端的大容量電容器陣列的軟充電階段線性模式的恒定電流。


當負載斷開時,與連接主電池和終端應用負載的線束相關的寄生雜散電感釋放能量,功率 MOSFET處于電壓應力狀態(tài)。


總之,功率 MOSFET 必須滿足以下要求(表 1):


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▲表1.對功率MOSFET的要求


意法半導體新推出的STPOWER STripFET F8 MOSFET技術完全符合 AEC Q101 標準,體現(xiàn)了所有的設計重大改進之處,確保開關管具有高能效和高魯棒性,從而實現(xiàn)安全可靠的開關性能。


STL325N4LF8AG 是一款 40V MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 無引線封裝,靜態(tài)導通電阻(RDS(on))不足一毫歐,小于0.75m?,因此,導通損耗非常低。


MOSFET選型關鍵參數(shù)


對于12V 鉛酸電池供電的傳統(tǒng)汽車負載,功率開關必須承受 ECU要求的高達 160 A 至 200 A 的連續(xù)電流,以實現(xiàn) 1kW 范圍內的功率輸出。


1. 開通狀態(tài)


除了大電流之外,功率 MOSFET 還必須耐受 ECU 輸入端的大容量電容器陣列的預充電階段軟點火所需的恒定電流,使ECU 輸入引腳上的電壓上升平滑,從而避免任何高壓振蕩和電流尖峰。


可以用圖 2 所示的基準電路圖測試開關管在軟充電階段的魯棒性。


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▲圖 2. 軟充電魯棒性驗證基準電路


該電路可以用恒定電流對負載電容 (CLOAD)充電:通過調節(jié) V1和 VDD電壓值,可以使電流保持恒定,從而為 CLOAD設置特定的充電時間。 測試電容是94mF堆棧電容 ,負載和電源電壓為 15V。


對于 STL325N4LF8AG,考慮了兩種不同的測量設置情況:


? 案例1:一個開關管,電流為1.7A,持續(xù)700ms;

? 案例 2:兩個并聯(lián)的開關管,每個開關的電流為 29A,持續(xù) 6ms。


圖 3 是案例1的線性模式操作的測量波形,圖4是案例2的線性模式操作的測量波形。


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▲圖 3. 軟充電期間的基準測試測量(案例 1)


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▲圖 4. 軟充電期間的基準測試測量(案例2)


在案例 1 中,使用接近直流操作的長脈沖時間測試功率開關的線性模式魯棒性。


在案例2 中,并聯(lián)的兩個功率開關管的柵極閾壓(Vth)值如下:


? Vth1 = 1.49V @ 250μA

? Vth2 = 1.53V @ 250μA.


Vth的閾值范圍被限定在一定范圍內( 3%),使兩個 MOSFET的電流差很?。?/p>


? ID1 = 29A

? ID2 = 28.5A


其中,Vth1的值較低,所以 ID1略高于 ID2。


在這種情況下 (案例2),用大電流測試功率開關的線性模式魯棒性,脈沖時間持續(xù)幾毫秒。


在這兩種情況下,功率 MOSFET 都能夠承受線性模式工作條件,均在理論安全工作區(qū) (SOA) 范圍內,防止器件出現(xiàn)任何熱失控。


2. 關斷狀態(tài)


在關斷時,功率 MOSFET必須承受巨大的能量放電應力。事實上,在連接主電池和終端應用控制板的線束上,寄生雜散電感會產生高阻抗,造成配電系統(tǒng)出現(xiàn)一次能量巨大的放電事件。


在ECU電控單元情況中,這種能量釋放可以視為 MOSFET 關斷時的單次雪崩事件來處理,或用有源鉗位電路強制MOSFET回到線性工作模式。TL325N4LF8AG可以在40A的雪崩擊穿測試中保持正常工作,如圖5所示:


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▲圖 5. STL325N4LF8AG在關斷時單次雪崩事件的測量波形


該器件在關斷狀態(tài)時具有強大的能量處理性能。


符合ISO 7637-2標準


對于 12V/24V 汽車電源系統(tǒng),eFuse電子保險開關管必須滿足ISO 7637-2 國際標準的主要規(guī)定,能夠耐受電源軌上產生的劇烈的高低電能瞬變事件,在某些情況下伴隨很高的dv/dt電壓上升速率。


1. ISO 7637-2 Pulse 1標準


Pulse 1 標準描述了當電源連接斷開時,在與感性負載并聯(lián)的電子器件上觀察到的負電壓瞬變,如圖 6 所示。


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▲圖 6. ISO 7637-2 Pulse 1 測試的電壓瞬變波形和參數(shù)


圖 7 所示的測試結果證明,STL325N4LF8AG 符合 ISO 7637-2 Pulse 1標準要求:


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▲圖 7. STL325N4LF8AG的 ISO 7637-2 Pulse 1測試的測量波形(右圖是放大圖)


實驗數(shù)據(jù)證明,STL325N4LF8AG 通過了 ISO 7637-2 脈沖 1 測試,沒有發(fā)生任何失效或主要額定參數(shù)降低現(xiàn)象。


2. ISO 7637-2 Pulse 2°標準


Pulse 2a標準描述了當與被測電子器件并聯(lián)的電路電流中斷時可能出現(xiàn)的正電壓尖峰,如圖 8 所示:


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▲圖 8. STL325N4LF8AG的 ISO 7637-2 Pulse 2a測試的電壓瞬變波形和參數(shù)


圖 9 所示的測試結果證明,STL325N4LF8AG 符合 ISO 7637-2 Pulse 2a標準要求:


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▲圖 9. STL325N4LF8AG的 ISO 7637-2 Pulse 2a測試的測量波形(右圖是放大圖)


實驗數(shù)據(jù)證明,STL325N4LF8AG 通過了 ISO 7637-2 脈沖2a測試,沒有發(fā)生任何失效或主要額定參數(shù)降低現(xiàn)象。


3. ISO 7637-2 Pulses 3a 和 3b標準


Pulses 3a 和 3b定義了受線束分布電容和電感的影響,在開關過程可能出現(xiàn)的負電壓尖峰,如圖 11 和圖12 所示:


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▲圖 10. ISO 7637-2 pulse 3a 測試的電壓瞬變


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▲圖 11. ISO 7637-2 pulse 3b測試的電壓瞬變


表2列出了各項參數(shù)的測量值:


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▲表 2. ISO 7637-2 pulses 3a和 3b測試的電壓瞬態(tài)參數(shù)


圖 12 和 13是STL325N4LF8AG的ISO 7637-2 pulse 3a 和 pulse 3b測試相關的實驗數(shù)據(jù):


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▲圖 12. STL325N4LF8AG的 ISO 7637-2 pulse 3a測試測量波形(右圖是放大圖)


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▲圖 13. STL325N4LF8AG的 ISO 7637-2 pulse 3b測試的測量波形(右圖是放大圖)


STL325N4LF8AG的pulse 3a和3b測試結果令人滿意。


4. ISO 7637-2 脈沖 5a 和 5b(負載突降)


Pulses 5a 和5b是對負載突降瞬變電壓的模擬測試。負載突降是指在交流發(fā)電機產生充電電流的期間,放電電池斷開連接,同時其他負載仍連接交流發(fā)電機的情況,如圖 14 和15 所示:


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▲圖 14. ISO 7637-2 pulse 5a測試的電壓瞬變


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▲圖 15. ISO 7637-2 pulse 5b測試的電壓瞬變


表3列出了12V 系統(tǒng)的測試參數(shù)值:


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▲表 3. ISO 7637-2 pulses 5a 和 5b 測試的電壓瞬態(tài)參數(shù)


圖 17和圖18所示是STL325N4LF8AG 的 ISO 7637-2 pulse 5a 和pulse 5b 測試的測量波形:


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▲圖 16. STL325N4LF8AG的ISO 7637-2 pulse 5a測試的測量波形


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▲圖 17. STL325N4LF8AG的ISO 7637-2 pulse 5 b測試的測量波形


因此,STL325N4LF8AG 也可以為系統(tǒng)提供負載突降保護。


結論


STL325N4LF8AG采用意法半導體新開發(fā)的STripFET F8制造技術,為應對eFuse電子保險應用的所有相關電壓應力狀況而專門設計,在電源關閉和開通狀態(tài),能夠承受相關的電壓應力。此外,該MOSFET還通過了國際標準 ISO 7637-2規(guī)定的12V/24V汽車電池系統(tǒng)導通瞬變測試。同級一流的性能使 STL325N4LF8AG 成為在惡劣的汽車應用中設計更安全的配電系統(tǒng)的理想選擇。


References參考文獻


? R. Bojoi, F. Fusillo, A. Raciti, S. Musumeci, F. Scrimizzi and S. Rizzo, "Full-bridge DC-DC power converter for telecom applications with advanced trench gate MOSFETs", IEEE International Telecommunications Energy Conference (INTELEC), Turin 2018.


? S. Musumeci, F. Scrimizzi, G. Longo, C. Mistretta and D. Cavallaro, “Trench-gate MOSFET application as active fuse in low voltage battery management system”, 2nd IEEE International Conference on Industrial Electronics for Sustainable Energy Systems (IESES), 2020.


? G. Breglio, F. Frisina, A. Magrì and P. Spirito, “Electro-thermal instability in low voltage power MOS: experimental characterization”, IEEE ISPSD, Toronto 1999.


來源:意法半導體

作者:Giusy Gambino



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