你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

IR上市導通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET

發(fā)布時間:2010-04-19 來源:技術在線

產(chǎn)品特性:
  • 導通電阻為標準0.95mΩ
  • “業(yè)界最高”FOM
  • 柵極電荷量為標準50nC
  • 最大漏電流為37A
應用范圍:
  • 采用同步整流方式的降壓型DC-DC轉換器電路的同步整流端開關

美國國際整流器公司(International Rectifier,IR)上市了導通電阻僅為標準0.95mΩ(柵源間電壓為+10V時)的25V耐壓n通道功率MOSFET“IRF6798MPBF”。這是一款采用該公司自主開發(fā)的封裝技術“Direct FET”的功率MOSFET。外形尺寸為6.35mm×5.05mm×0.676mm。適用于采用同步整流方式的降壓型DC-DC轉換器電路的同步整流端開關。

據(jù)稱,該功率MOSFET的導通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM(figure of merit,優(yōu)值)為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標準50nC。最大柵源間電壓為±20V,最大漏電流為37A。批量購買1萬個時的單價為1.50美元。

此外,該公司還同時上市了導通電阻為標準3.0mΩ(柵源間電壓為10V時)、全部柵極電荷量為標準13nC的n通道功率MOSFET “IRF6706S2PBF”。適用于采用同步整流方式的降壓型DC-DC轉換器電路的控制端開關。最大柵源間電壓為±20V,最大漏電流為17A。外形尺寸為4.85mm×3.95mm×0.74mm。批量購買1萬個時的單價為0.60美元。
要采購開關么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉