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關(guān)于過壓保護(hù)及瞬態(tài)電壓抑制電路的設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2014-09-10 責(zé)任編輯:stone

【導(dǎo)讀】本文介紹的過壓保護(hù)電路由過壓保護(hù)開關(guān)(OVPSwitch)和瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)組成,可實(shí)現(xiàn)完善可靠的抗持續(xù)高電壓和瞬間沖擊電壓的功能。

利用電池供電的移動(dòng)設(shè)備通常需要通過外置的AC適配器對系統(tǒng)電池進(jìn)行充電。而不同供電電壓的設(shè)備間往往共用著相似的電源插座和插頭,這些不同電壓標(biāo)準(zhǔn)的適配器往往會給用戶帶來潛在的錯(cuò)插風(fēng)險(xiǎn),可能導(dǎo)致設(shè)備因過高的電壓而燒毀。另一方面,來自 AC適配器前端的浪涌或者電網(wǎng)的不穩(wěn)定也有可能導(dǎo)致適配器的輸出電壓超越設(shè)備所能承受的范圍。因此,在移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)中就有必要加入充電端口的過壓保護(hù)電路,以避免上述情況對設(shè)備后端電路的破壞。

本文介紹的過壓保護(hù)電路由過壓保護(hù)開關(guān)(OVPSwitch)和瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)組成(如圖1),可實(shí)現(xiàn)完善可靠的抗持續(xù)高電壓和瞬間沖擊電壓的功能。

圖1
 
圖1:OVPSwitch和TVS組成的過壓保護(hù)卡關(guān)

在整個(gè)方案中,核心部分器件為過壓保護(hù)開關(guān),以美國研諾邏輯科技有限公司(AATI)的過壓保護(hù)開關(guān) AAT4684為例,過壓保護(hù)開關(guān)的內(nèi)部主要是由控制邏輯電路和 PMOS管組成,當(dāng) OVP端的檢測電壓高于特定電壓閾值之后,邏輯電路就會通過柵極關(guān)斷 PMOS的溝道。由于該 PMOS管擁有較高的持續(xù)性耐壓(28V),因此可以保護(hù)后端的元器件不會因前端電源輸入異常高壓而燒毀(其內(nèi)部原理如圖2所示)。

圖2:AAT46842 內(nèi)部原理圖。
 
圖2:AAT46842 內(nèi)部原理圖

通過以下實(shí)驗(yàn)可以說明當(dāng)過壓保護(hù)開關(guān)的輸入端出現(xiàn)過高電壓時(shí)它對后端電路所起到的保護(hù)作用。

圖3所示為測試所用電路原理圖,輸入端為 12V平穩(wěn)直流源,電源通過一段長度為 1米的導(dǎo)線與 AAT4684的輸入端相連, CH1為 AAT4684輸入電壓的測試點(diǎn), CH 2為 AAT4684輸出電壓的測試點(diǎn),CH3為其輸出電流探測點(diǎn)。將 AAT4684的 OVP保護(hù)電壓設(shè)為 6V(即當(dāng)電壓超過 6V后,開關(guān)管立刻關(guān)閉,以保護(hù)輸出端的電路)。為體現(xiàn)實(shí)際應(yīng)用中 AC適配器的插拔情況,對系統(tǒng)的上電過程通過導(dǎo)線和電源的機(jī)械性拔插來實(shí)現(xiàn)。

圖3:測試所用電路原理圖。
 
圖3:測試所用電路原理圖

由圖4所示的波形中可以到,在電路上電的時(shí)刻,輸入端的電壓很快超過了 6V并最終穩(wěn)定在了 12V左右,而輸出端電壓由于 OVP開關(guān)的作用,始終維持在 0V電壓,即 AAT4684輸出端之后的電路不會因過高的輸入電壓而受到影響,后端電路器件在此時(shí)受到了 AAT4684的過壓保護(hù)。

圖4:經(jīng)示波器測得的各通道的電壓及電流波形。
 
圖4:經(jīng)示波器測得的各通道的電壓及電流波形

但是在這同時(shí)卻發(fā)現(xiàn)當(dāng)電源電壓插入的瞬間, AAT4684輸入端的電壓呈現(xiàn)了一個(gè)超過 20V的尖峰。如果進(jìn)一步調(diào)高輸入電壓(如將電壓調(diào)整到 16V),在拔插電源時(shí)會發(fā)生 OVP開關(guān)燒壞的現(xiàn)象,但是電源所提供的輸出電壓卻遠(yuǎn)小于 OVP開關(guān)的最高耐壓 28V。如何解釋此現(xiàn)象呢?

原因就出在從電源輸出到 AAT4684輸入的這段導(dǎo)線上。任何一段有長度導(dǎo)線具有一定的等效電感。等效電感的存在相當(dāng)于在理想導(dǎo)線上串聯(lián)了一個(gè)分立電感器,同時(shí)由于芯片的輸入端存在的輸入電容,接合起來就相當(dāng)于一個(gè)如圖 5所示的 LC振蕩電路;而這個(gè)電路當(dāng)輸入一個(gè)階躍時(shí)在輸入電容上最大可出現(xiàn) 2倍于輸入的振蕩電壓。

圖5: 輸入端輸入電容與導(dǎo)線電感構(gòu)成的LC振蕩電路。
 
圖5: 輸入端輸入電容與導(dǎo)線電感構(gòu)成的LC振蕩電路

由于這些等效器件的存在,就會在系統(tǒng)上電的瞬間于 OVP開關(guān)輸入端產(chǎn)生一個(gè)高于電源的電壓。過高的瞬間電壓就類似靜電放電電壓,雖然總能量不大,但是如果其電壓值在瞬間高過了 OVP開關(guān)的最高耐壓范圍,就足以將 OVP開關(guān)內(nèi)部的 MOSFET擊穿,使得芯片輸入端對地發(fā)生短路,失去作用。因此在考慮過壓保護(hù)設(shè)計(jì)時(shí),還應(yīng)考慮對電路輸入端可能出現(xiàn)的瞬態(tài)高壓的防護(hù)。

為解決以上問題,可以在 AAT4684的輸入端放置TVS來實(shí)現(xiàn)對瞬間沖擊電壓沖擊的防護(hù)。TVS是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng) TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí),它能以納秒級的速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值,有效地保護(hù)電子線路中的元器件免受各種浪涌脈沖損壞。

由于它具有響應(yīng)時(shí)間快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備之中。
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由于 OVP保護(hù)開關(guān)雖然可以持續(xù)地長時(shí)間承受耐壓范圍內(nèi)的電壓,但是卻無法經(jīng)受超過其耐壓范圍的瞬時(shí)電壓沖擊,而TVS結(jié)構(gòu)的二級管,雖然無法承受長時(shí)間的導(dǎo)通電流,但是卻可以在瞬時(shí)吸收很高的電壓沖擊,通過自身的雪崩導(dǎo)通來限制其兩端的最高電壓,對電壓起到鉗位的作用。因此將 TVS管置于 OVP開關(guān)電路之前,就可以有效地防止瞬時(shí)高壓對 OVP開關(guān)的破壞,同時(shí) OVP的持續(xù)受壓能力又可以保護(hù)后端電路免受前端電源持續(xù)高電壓的破壞。電路邏輯結(jié)構(gòu)如圖 6所示。

圖6:耐高壓電路邏輯圖
 
圖6:耐高壓電路邏輯圖

由于 TVS本身就是屬于 ESD保護(hù)器件,可以同時(shí)提高設(shè)備在接口端的靜電保護(hù)能力(通常的 TVS管都可以耐受 2KV以上接觸式靜電放電),這樣的設(shè)計(jì)就可以在真正意義上實(shí)現(xiàn)端口的保護(hù)功能,有效地提高了器件的使用壽命和可靠性。(關(guān)于詳細(xì)的 TVS選用可參閱具體文獻(xiàn)。)

另一方面,當(dāng) OVP開關(guān)導(dǎo)通并存在一個(gè)持續(xù)較大工作電流流過時(shí),此時(shí)如果突然關(guān)閉開關(guān)(比如啟動(dòng)了 OCP過流保護(hù)或 OTP過溫保護(hù)),因?qū)Ь€電感中的電流不會突變,導(dǎo)線電感中的瞬時(shí)電流的變化會在 AAT4684的輸入端產(chǎn)生一個(gè)高于電源的電壓,這就使得 OVP開關(guān)會在一個(gè)很短的時(shí)刻需要承受一個(gè)極高的電壓,其原理有些類似于開關(guān)升壓電路(如圖 7所示)。

圖7:開關(guān)升壓電路
 
圖7:開關(guān)升壓電路

以下實(shí)驗(yàn)為了說明這類現(xiàn)象所可能產(chǎn)生的實(shí)際輸入電壓的突變,當(dāng)過壓保護(hù)開關(guān)有大電流流過并正常工作時(shí)將 AAT4684加溫使之自動(dòng)進(jìn)入過溫保護(hù)( OTP)狀態(tài)來觀察此時(shí)輸入端可能產(chǎn)生的波形變化。該實(shí)驗(yàn)電路依舊如前文所述的圖3所示,電源以5.5V電壓供電,負(fù)載電流約為 1.5A。

實(shí)驗(yàn)時(shí)對 AAT4684進(jìn)行加熱至芯片過熱保護(hù)功能啟動(dòng),內(nèi)部的 MOSFET立刻關(guān)斷??梢钥吹?,在大約 400ns的時(shí)間里,由于流過開關(guān)管的電流被快速關(guān)斷,在 OVP的輸入和輸出端瞬間確實(shí)出現(xiàn)了一個(gè)超過 15V以上峰峰值的沖擊電壓,假如電源的輸入電壓更高一些或者負(fù)載電流更大一些,這個(gè)沖擊電壓也同樣會更高,雖然持續(xù)的時(shí)間極短,但是完全有可能在尖峰時(shí)刻突破 OVP開關(guān)的最高耐壓,從而破壞其內(nèi)部的 PMOS。

如果用同樣的原理進(jìn)一步分析 OVP開關(guān)接通電源時(shí)的過程,可以發(fā)現(xiàn),因 OVP開關(guān)內(nèi)部的控制電路在剛剛上電的瞬間需要建立狀態(tài),所以在初始的極短時(shí)間里, PMOS柵極電壓沒有立刻置高,因此 PMOS溝道還沒來得及關(guān)斷(這個(gè)時(shí)間大約會持續(xù) 0.1us),雖然對后端電路不會有什么影響,但是這個(gè)時(shí)間產(chǎn)生的導(dǎo)通電流在 PMOS關(guān)斷的時(shí)刻同樣會產(chǎn)生類似前文所述的問題,即在 OVP的輸入端產(chǎn)生的一個(gè)時(shí)間極短的過高電壓沖擊可能會危及 OVP開關(guān)正常工作。

圖8:開關(guān)關(guān)閉時(shí)各種電壓變化的測量結(jié)果
 
圖8:開關(guān)關(guān)閉時(shí)各種電壓變化的測量結(jié)果

為了避免上面所述的這兩種情況帶來的瞬間高壓對 OVP開關(guān)的沖擊,在其前端放置合適的瞬態(tài)電壓抑制器同樣可以很好地解決該問題。由于 TVS管和 OVP開關(guān)具有其各自的功能特點(diǎn),當(dāng)電路在正常工作時(shí),OVP開關(guān)導(dǎo)通,TVS處于反向截止?fàn)顟B(tài),當(dāng)輸入電壓高于 OVP保護(hù)電壓又低于 OVP正常耐壓時(shí),OVP就起到了對高壓很好地持續(xù)阻斷的作用,保護(hù)了后端器件的安全,而當(dāng)電路的輸入端因前文所述幾種情況而導(dǎo)致瞬時(shí)高壓沖擊出現(xiàn)時(shí), TVS管的瞬間導(dǎo)通機(jī)制又能很好地吸收沖擊電壓的能量,保護(hù)了 OVP開關(guān)的安全。其兩者的共同作用就可以有效地實(shí)現(xiàn)抑制瞬態(tài)和持續(xù)高壓的功能,完善地保護(hù)了整個(gè)電路系統(tǒng)的接口免受異常高壓的破壞。
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附錄 :

以下實(shí)驗(yàn)對 AAT4684輸入端使用 TVS和不使用 TVS管前后的波形進(jìn)行比較,供讀者參考。CH1為 AAT4684的輸入電壓,CH2為 AAT4684的輸出電壓。將電源電壓 Vin設(shè)為12V,輸出電容為0.1uF,圖A1為前端沒有TVS管的波形,圖A2為前端加了TVS管的波形(TVS導(dǎo)通電壓為19V)。用5.5V作為電源輸入,負(fù)載電流為1.5A時(shí)將OVP加熱進(jìn)入過溫保護(hù)瞬間波形,圖B1為前端沒有TVS的波形,圖B2為前端加了TVS時(shí)的波形(TVS導(dǎo)通電壓為16V)。

圖A1: 無TVS時(shí)輸入端波形

 
圖A1: 無TVS時(shí)輸入端波形

圖A2: 有TVS時(shí)輸入端波形
 
圖A2: 有TVS時(shí)輸入端波形

圖B1: 前端沒有TVS時(shí)過溫保護(hù)瞬間
 
圖B1: 前端沒有TVS時(shí)過溫保護(hù)瞬間

圖B2: 前端加TVS時(shí)過溫保護(hù)瞬間
 
圖B2: 前端加TVS時(shí)過溫保護(hù)瞬間

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