【導讀】英國倫敦、美國圣克拉拉，2020年10月20日 – 領先的電池和電源管理、Wi-Fi、低功耗藍牙（BLE）、工業(yè)邊緣計算解決方案供應商Dialog半導體公司（德國證券交易所交易代碼：DLG）和全球領先特殊工藝半導體代工廠格芯® (GLOBALFOUNDRIES®) 今天聯(lián)合宣布，已就Dialog向格芯授權導電橋接RAM（CBRAM）技術達成協(xié)議。該基于電阻式RAM（ReRAM）的技術由Dialog半導體公司于2020年收購的Adesto Technologies首創(chuàng)。格芯首先將在其22FDX®平臺上以嵌入式非易失性存儲器（NVM）選項提供Dialog的CBRAM，后續(xù)計劃將該技術拓展到其他平臺。
Dialog獨有的且經(jīng)過生產驗證的CBRAM技術是一項低功耗的NVM解決方案，專為物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、5G連接、人工智能（AI）等一系列應用而設計。低功耗、高讀/寫速度、更低的制造成本、對惡劣環(huán)境的耐受能力使CBRAM特別適合消費、醫(yī)療、和特定的工業(yè)及汽車等應用。此外，CBRAM技術為這些市場中的產品所需的先進技術節(jié)點提供了具成本效益的嵌入式NVM。
Dialog半導體公司企業(yè)發(fā)展高級副總裁兼工業(yè)混合信號業(yè)務部總經(jīng)理Mark Tyndall表示：“CBRAM是Adesto杰出的標志性存儲技術之一，該技術加入到Dialog產品組合中具有重要的戰(zhàn)略意義。此次與格芯的授權合作恰好證明了Dialog和Adesto融合后開展業(yè)務的速度。展望未來，我對我們和格芯牢固的合作關系非常有信心。此次授權協(xié)議不僅為行業(yè)提供了最先進的技術，也為Dialog在下一代系統(tǒng)級芯片（SoC）中采用先進CBRAM技術提供了機遇。”
格芯高級副總裁兼汽車、工業(yè)和多市場業(yè)務部總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們與Dialog的合作彰顯了格芯在為客戶進一步提供差異化優(yōu)勢和增值的領域加大投資的承諾。Dialog的ReRAM技術是對我們領先的eNVM解決方案系列非常好的補充。該存儲器解決方案結合我們的FDX平臺，將幫助我們客戶進一步突破技術邊界，提供新一代安全的IoT和邊緣AI應用。”
Dialog的CBRAM技術克服了ReRAM常見的集成和可靠性挑戰(zhàn)，提供了可靠且低成本的嵌入式存儲器，同時保留了ReRAM的低電壓運行能力。這意味著可以實現(xiàn)比標準嵌入式閃存更低功耗的讀寫操作。
CBRAM將于2022年在22FDX平臺上以嵌入式NVM選項供格芯的客戶使用。通過IP定制，客戶可以修改CBRAM單元以優(yōu)化其SoC設計，提升安全性，或對單元進行調整以適合新的應用。此外，CBRAM作為一種“后道工序”技術，可以相對容易地集成到其他技術節(jié)點中。
了解更多有關Dialog CBRAM技術，敬請瀏覽網(wǎng)頁：https://www.dialog-semiconductor.com/products/memory/cbram-technology
了解更多有關格芯22FDX平臺，敬請瀏覽網(wǎng)頁：https://www.globalfoundries.com/technology-solutions/cmos/fdx/22fdx
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