表 陶瓷基板的性質(zhì)

 

對于需求最為廣泛的片式薄膜與厚膜電阻器來說，陶瓷基板材料的機(jī)械性能和電氣性能對電阻膜層有非常大的影響，我們將從幾個(gè)角度來介紹基板性能對電阻膜層的影響。

 

表面粗糙度

 

表面粗糙度，是指連續(xù)表面上峰點(diǎn)、谷點(diǎn)與中心線的平均偏差，用Ra表示，單位為um。表面粗糙度越小，則表面越光滑。而基片表面粗糙度參數(shù)，對電阻膜層連續(xù)性有重要影響。舉一個(gè)極端例子：對于薄膜電阻器，若薄膜膜層厚度僅為200Å~400Å（0.02um~0.04um），此厚度的膜層覆蓋在1um（10000Å）的粗糙表面上，這種膜沿高山和深谷蔓延，結(jié)果是電阻器的阻值變化很大。有較大可能形成不完全的、斷裂的、有裂紋的不連續(xù)膜。

 

介電損耗

 

對于基板材料來說，其相關(guān)特性還有介電損耗。其由介電材料中極化電流滯后電壓相位角的正切來表征，它與信號頻率和電路分布參數(shù)C、R的關(guān)系是：

 

 

δ稱為損耗角。δ值大，信號會(huì)以發(fā)熱的形式發(fā)送損耗，甚至消失，對于高頻應(yīng)用來說，介電損耗極為重要。

 

介電常數(shù)

 

 

信號傳輸速度v與基板介電常數(shù)的平方根成反比。因此，對于高速回路，要求基板有更低的介電常數(shù)。

 

熱導(dǎo)率

 

一些大功率應(yīng)用，對基板提出了高散熱的要求，需要采用高熱導(dǎo)率基板，如AlN基板和BeO基板等。對于電阻而言，采用高熱導(dǎo)率基板可以實(shí)現(xiàn)相同尺寸下更大的額定功率。

 

熱膨脹系數(shù)

 

對于不同元件，對熱膨脹系數(shù)要求不同。對于半導(dǎo)體芯片，要求基板的熱膨脹系數(shù)與Si越接近越好，因此可以大大降低大規(guī)模集成電路運(yùn)行-停止溫度循環(huán)中產(chǎn)生的應(yīng)力，此應(yīng)用一般采用SiC基板。對于金屬箔電阻而言，考慮到箔片熱膨脹與陶瓷基板相匹配實(shí)現(xiàn)低溫漂因素，基板的熱膨脹系數(shù)需要重點(diǎn)考量。

 

陶瓷制造工藝

 

陶瓷燒成前典型的成形方法為流延成型，容易實(shí)現(xiàn)多層化且生產(chǎn)效率較高。

 

 

電阻常用陶瓷基板

 

氧化鋁陶瓷基板：

 

從現(xiàn)實(shí)情況來看，廣泛使用的還是Al2O3基板，同時(shí)其加工技術(shù)與其他材料相比也是最先進(jìn)的。按含氧化鋁(Al2O3)的百分?jǐn)?shù)不同可分為：75瓷、96瓷、99.5瓷。氧化鋁含有量不同，其電學(xué)性質(zhì)幾乎不受影響，但是其機(jī)械性能及熱導(dǎo)率變化很大。純度低的基板中玻璃相較多，表面粗糙度大。純度越高的基板，越光潔、致密、介質(zhì)損耗越低，但是價(jià)格也越高。

所以薄膜電阻和厚膜電阻，他們所采用的氧化鋁基板也不完全相同。

 

 

不同氧化鋁含量的基板對比

 

氮化鋁陶瓷基板：

 

氮化鋁陶瓷是以氮化鋁粉體為主晶相的陶瓷。相比于氧化鋁陶瓷基板，絕緣電阻、絕緣耐壓更高，介電常數(shù)更低。其熱導(dǎo)率是Al2O3的7~10倍，熱膨脹系數(shù)（CTE）與硅片近似匹配，這對于大功率半導(dǎo)體芯片至關(guān)重要。在生產(chǎn)工藝上，AlN熱導(dǎo)率受到殘留氧雜質(zhì)含量的影響很大，降低含氧量，可明顯提高熱導(dǎo)率。目前工藝生產(chǎn)水平的熱導(dǎo)率達(dá)到170W/(m·K)以上已不成問題。

 

圖 氧化鋁基板與氮化鋁基板特性對比

 

圖 氧化鋁基板與氮化鋁基板特性對比

 

氮化鋁陶瓷基板：

 

氧化鈹基板的熱導(dǎo)率是Al2O3基板的十幾倍，適用于大功率電路，而且介電常數(shù)又低，可用于高頻電路。BeO基板用于一般用作大功率微波散熱基板。缺點(diǎn)是BeO粉塵與蒸汽的毒性對人體傷害很大，存在環(huán)境問題。

 

圖 基板的熱導(dǎo)率與溫度的關(guān)系

 

我們對比了市面上相同尺寸（100mm×100mm×1mm）、不同材料的陶瓷基板價(jià)格：

 

96%氧化鋁9.5元，99%氧化鋁18元，氮化鋁150元，氧化鈹650元，可以看出來不同的基板價(jià)格差距也比較大。

 

 

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