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雙核霸主RK3168vs.A20 性能首測(cè)！
最近，瑞芯微電子高調(diào)舉辦RK3168媒體推介會(huì)，向外界隆重介紹了RK最新雙核產(chǎn)品RK3168，主打功耗優(yōu)勢(shì)，在市面一眾雙核產(chǎn)品中脫穎而出，得到業(yè)界的一致好評(píng)。這次我們有幸拿到了RK3168的樣機(jī)，借此機(jī)會(huì)與先前全志發(fā)布的一款雙核產(chǎn)品做一番比較。
2013-05-29
雙核
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有效防止IGBT短路新設(shè)計(jì)
短路故障是IGBT裝置中常見(jiàn)的故障之一，本文針對(duì)高壓大容量IGBT的短路故障，分析了IGBT的短路特性，基于已有的IGBT驅(qū)動(dòng)器和有源電壓箝位技術(shù)，設(shè)計(jì)了一種閉環(huán)控制IGBT關(guān)斷過(guò)電壓的驅(qū)動(dòng)電路。通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，這種電路可以提高IGBT短路保護(hù)的可靠性。
2013-05-29
IGBT 短路保護(hù) 驅(qū)動(dòng)電路
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如何解決MOS管發(fā)熱問(wèn)題
做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，會(huì)經(jīng)常用到MOS管，然而MOS管發(fā)熱嚴(yán)重的問(wèn)題，經(jīng)常困擾著廣大設(shè)計(jì)者與工程師。針對(duì)這一問(wèn)題，本文探討MOS管發(fā)熱問(wèn)題的原因及解決方法。
2013-05-28
MOS管 發(fā)熱問(wèn)題
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雙向可控硅設(shè)計(jì)指要
近幾年，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，大功率雙向可控硅不斷涌現(xiàn)，并廣泛應(yīng)用在變流、變頻領(lǐng)域，可控硅應(yīng)用技術(shù)日益成熟。本文主要探討廣泛應(yīng)用于家電行業(yè)的雙向可控硅的設(shè)計(jì)指要。
2013-05-28
雙向可控硅 可控硅 可控硅設(shè)計(jì)
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NFC技術(shù)掛帥 智慧互聯(lián)應(yīng)用大軍壓境
2013年5月26日，由電子發(fā)燒友主辦的NFC技術(shù)研討會(huì)在深圳市華強(qiáng)廣場(chǎng)酒店成功舉辦，本次研討會(huì)圍繞著當(dāng)前備受關(guān)注的NFC技術(shù)展開(kāi)，涉及到NFC在智慧城市的應(yīng)用，NFC集成與創(chuàng)新應(yīng)用、NFC創(chuàng)新解決方案和NFC射頻及協(xié)議的研發(fā)和認(rèn)證測(cè)試。
2013-05-27
智慧城市 移動(dòng)支付 NFC
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SICK推出IMP High Pressure 液壓系統(tǒng)中的耐高壓電感式接近傳感器
電感式接近開(kāi)關(guān)IMP主要針對(duì)液壓系統(tǒng)內(nèi)部有耐高壓需求場(chǎng)合的金屬部件檢測(cè)而開(kāi)發(fā)，特別是液壓缸內(nèi)部需要直接與壓力油接觸的場(chǎng)合。針對(duì)這一典型應(yīng)用， IMP提供了極具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品性能。
2013-05-23
液壓系統(tǒng) 接近傳感器
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第四講：基于GaN的高能效設(shè)計(jì)
根據(jù)Yole Development公司的研究報(bào)告預(yù)測(cè)，氮化鎵器件的全球市場(chǎng)份額在2011年至2015年間的年同比增長(zhǎng)率為250%，而碳化硅器件在同期的年同比增長(zhǎng)率則只有35%。氮化鎵目前被推薦為極具潛力的材料，可以應(yīng)用于廣闊的領(lǐng)域，包括無(wú)線電源傳送、射頻直流-直流波峰追蹤及高能量脈沖激光等應(yīng)用。本文將為大...
2013-05-22
氮化鎵 PSE轉(zhuǎn)換器
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半月談：探究光伏發(fā)電 深入解析逆變技術(shù)
盡管近年來(lái)光伏行業(yè)形勢(shì)不容樂(lè)觀，但有預(yù)測(cè)顯示，到2015年，光伏組件、逆變器營(yíng)收將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。因此，光伏發(fā)電逆變技術(shù)前景十分看好。本文將主要針對(duì)高壓、大容量逆變器的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行講解，并分析該如何正確地為光伏逆變器應(yīng)用選擇IGBT。
2013-05-22
逆變器 逆變技術(shù) 光伏發(fā)電 太陽(yáng)能 IGBT
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英飛凌推出最低硬開(kāi)關(guān)通態(tài)電阻的CoolMOS C7技術(shù)
英飛凌科技股份公司推出采用全新650V超結(jié)MOSFET技術(shù)的CoolMOSTM C7，為硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)全球最低的通態(tài)電阻.C7快速開(kāi)關(guān)性能可使客戶服務(wù)器PFC級(jí)首次實(shí)現(xiàn)100 kHz以上開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)達(dá)到鈦級(jí)能效。這可降低對(duì)無(wú)源組件空間要求，從而提高功率密度。
2013-05-21
英飛凌 CoolMOS C7 通態(tài)電阻
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