【導讀】對MEMS工藝技術的投資加上設計創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應用的可行選擇。采用專門化MEMS結構和工藝技術，現(xiàn)在已實現(xiàn)諧振頻率高達50 kHz、噪聲密度低至25 μg/√Hz的加速度計。通過精心設計的信號調理電子電路，可以充分發(fā)揮此類新型加速度計的低噪聲優(yōu)勢。
本文通過回顧一些數(shù)據(jù)來說明MEMS技術的發(fā)展狀況及性能水平，并將其與商用壓電(PZT)狀態(tài)監(jiān)控加速度計進行比較。
對MEMS工藝技術的投資加上設計創(chuàng)新，已大大改善MEMS性能，使得MEMS足以成為更廣泛狀態(tài)監(jiān)控應用的可行選擇。采用專門化MEMS結構和工藝技術，現(xiàn)在已實現(xiàn)諧振頻率高達50 kHz、噪聲密度低至25 μg/√Hz的加速度計。通過精心設計的信號調理電子電路，可以充分發(fā)揮此類新型加速度計的低噪聲優(yōu)勢。
圖1. 新型高頻加速度計的噪聲譜密度圖
性能和比較數(shù)據(jù)
為了評估最新MEMS加速度計是否適合狀態(tài)監(jiān)控應用，我們對其和一款商用PZT型狀態(tài)監(jiān)控加速度計進行了對照測量。為確保這兩種傳感器具有相似的質量并受到相同激勵信號作用，我們將MEMS傳感器粘附于PZT傳感器的外殼。與PZT傳感器一樣，MEMS加速度計的單電源模擬輸出直接輸入到同一數(shù)據(jù)記錄儀的模擬輸入通道。一個數(shù)據(jù)采集儀(DAQ)用作這些實驗的采集系統(tǒng)。
電機未對準仿真
在振動測試儀上重建了一個實際場景，例如在基于振動的狀態(tài)監(jiān)控中所述的場景，以便利用已知激勵信號比較器件。本例展示了一臺以5100 rpm (85 Hz)運轉的汽輪機和一臺未對準的3000rpm (50 Hz)同步發(fā)電機的振動水平。該場景說明的是采用隨機振動測試模式時，振動系統(tǒng)經編程所產生的頻率和振幅。表1列出了兩個器件在目標頻率的振幅測量結果。
表1. 電機未對準仿真設定點
圖2顯示了21 kHz諧振頻率的MEMS加速度計和25 kHz諧振頻率的PZT傳感器的頻譜測量結果。MEMS加速度計在1 Hz至1 kHz頻段中的均方根(rms)輸出要比PZT加速度計高出大約30 mg或1.7%。
圖2. PZT加速度計（上）和MEMS加速度計（下）的噪聲密度譜；在高達10 kHz時，結果幾乎相同；主要差別在MEMS加速度計的低頻響應。
不同于PZT器件，MEMS器件具有低頻響應性能（可測量0.1 Hz時的1/f）；對于風輪機等超低頻率機器，需要關注此點（它還支持更快速地從飽和狀態(tài)恢復）。振動激勵系統(tǒng)的頻率響應會在超低頻率時滾降，故通過“敲擊”試驗裝置來測試兩個器件的響應，并且捕捉響應結果。記錄的時域測量結果隨后被轉換到頻域。結果如圖3所示。注意，MEMS加速度計能夠記錄低至DC的響應。
圖3. 敲擊時兩個加速度計的響應比較
結語
相比于PZT傳感器，用模擬輸出直接驅動DAQ的MEMS傳感器實現(xiàn)了很好的結果。這表明，MEMS加速度計是輸出通道重新建構的新型狀態(tài)監(jiān)控產品的合適候選器件，尤其是它支持實現(xiàn)基于半導體器件（采用+5 V單電源供電）的全新概念，例如無線智能傳感器。
表面上，第一代加速度計具有高頻響應性能(22 kHz)和±70 g、±250 g、±500 g的寬滿量程范圍(FSR)，似乎對此類應用有吸引力。遺憾的是，其噪聲水平高達4 mg/√Hz，這是大多數(shù)狀態(tài)監(jiān)控應用不能接受的。比較測試中使用的是第二代器件，其噪聲比第一代器件降低了兩個數(shù)量級，而功耗降至第一代的40%。表2總結了兩代MEMS加速度計的性能比較結果，并突出顯示了性能改進。
表2. 第一代和第二代MEMS加速度計針對狀態(tài)監(jiān)控的關鍵規(guī)格比較
電氣信號調理經驗和高分辨率MEMS加速度計發(fā)展的結合，促成MEMS加速度計的性能達到狀態(tài)監(jiān)控應用的要求。低物理噪聲水平的高頻加速度計，配上高性能、低噪聲、高穩(wěn)定性的信號處理設計技術，克服了以前妨礙MEMS提供與PZT狀態(tài)監(jiān)控傳感器相比擬的性能的根本限制。
推薦閱讀：
