對(duì)于更高系統(tǒng)整合度的需求持續(xù)增加，這不只促使傳統(tǒng)的組裝服務(wù)供貨商，也推動(dòng)半導(dǎo)體公司開發(fā)更創(chuàng)新和更先進(jìn)的封裝技術(shù)。 最具前景且最具挑戰(zhàn)性的技術(shù)之一就是采用硅通孔（TSV）的三維積體（3DIC）。 3DIC技術(shù)現(xiàn)在已被廣泛用于數(shù)字IC（例如，內(nèi)存IC、影像傳感器和其他組件的堆棧）中，其設(shè)計(jì)和制造方法已經(jīng)在數(shù)字世界中獲得成功證明。 接下來(lái)，設(shè)計(jì)者要如何將3DIC技術(shù)成功導(dǎo)入以模擬和混合訊號(hào)為主的的傳感器IC中？

 

在今日，走在前面的模擬和混合訊號(hào)IC開發(fā)商已開始意識(shí)到采用模擬3DIC設(shè)計(jì)的確能帶來(lái)實(shí)質(zhì)好處。 智能傳感器和傳感器接口產(chǎn)品鎖定工業(yè)4．0、智能城市或物聯(lián)網(wǎng)（IoT）中的各種應(yīng)用。 在各種芯片堆棧技術(shù)中，TSV和背面重新布局層（BRDL）可用來(lái)替代傳統(tǒng)金線接合，此技術(shù)的用處極大。

 

3D積體技術(shù)，特別是來(lái)自領(lǐng)導(dǎo)晶圓代工業(yè)者的特殊模擬TSV技術(shù)，在結(jié)合正面或背面重新布局層（RDL）后，由于互連更短且能實(shí)現(xiàn)更高的整合度，因此能以更小的占板面積提供更多功能。 特別是小尺寸的TSV封裝技術(shù)（總高度在0．32mm范圍內(nèi)）能解決智能手表或智能眼鏡等穿戴式裝置的的小尺寸需求。

 

在不同的芯片或技術(shù)組合中，TSV技術(shù)還能提供更高水平的靈活度，例如采用45奈米制程的數(shù)字芯片中的芯片至芯片堆棧，以及在模擬晶圓（例如180nm）中，微機(jī)電（MEMS）組件或光傳感器和光電二極管數(shù)組的堆棧，這只是其中的幾個(gè)例子。

 

模擬3DIC技術(shù)通常是透過(guò)建造芯片正面到IC背面的電氣連接來(lái)實(shí)現(xiàn)傳感器應(yīng)用。 在許多傳感器應(yīng)用，例如光學(xué)、化學(xué)、氣體或壓力傳感器中，感測(cè)區(qū)域是位在CMOS側(cè)（晶圓的頂端）。 芯片和導(dǎo)線架之間最常用的連接是打線接合（Wire bonding）（圖1）。 無(wú)論是使用塑料封裝，或是將裸片直接接合在印刷電路（PCB）或軟性電路板上，對(duì)于某些會(huì)將感測(cè)區(qū)域暴露出來(lái)的應(yīng)用而言，打線接合并非理想的解決方案。 采用專業(yè)晶圓代工業(yè)者的專有TSV技術(shù)，可以利用TSV、背面RDL和芯片級(jí)封裝（WLCSP）（圖2）來(lái)替代打線。

 

 

類似于半導(dǎo)體技術(shù)，新的制程技術(shù)是透過(guò)使用更小的幾何形狀和設(shè)計(jì)規(guī)則（摩爾定律）提供更高的效能和更高的積體密度，下一世代的TSV技術(shù)將優(yōu)于當(dāng)前可用的3DIC技術(shù)。 一些專業(yè)晶圓代工業(yè)者正在開發(fā)下一世代TSV技術(shù)，其直徑（約40μm）將大幅縮小，因此能提供更小的間距和更高的密度，同時(shí)提供相同或甚至更好的模擬效能。 這種下一代TSV技術(shù)是新3D應(yīng)用的基礎(chǔ)，晶圓代工業(yè)者正在開發(fā)提供全新服務(wù)，像是所謂的「第三方晶圓上的接墊置換（Pad Replacement on 3rd Party Wafer）」或「主動(dòng)3D中介層（Active 3D Interposer）」等。

 

另外，直徑和間距更為縮減的下一世代TSV技術(shù)，將能夠透過(guò)結(jié)合背面RDL和晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WLCSP的）TSV，也就是所謂的3D－WLCSP來(lái)替換任何已經(jīng)處理和完成的晶圓的接墊（Pad）。 即使在制造過(guò)程完成后，客戶也能夠靈活地決定產(chǎn)品是否應(yīng)在正面進(jìn)行打線接合，或者在背面使用WLCSP技術(shù)進(jìn)行凸塊封裝。 這種新技術(shù)概念允許在任何芯片，甚至是在第三方芯片上處理TSV，做為后處理步驟之一（后鉆孔概念）。 在TSV開發(fā)方式中，其直徑和最小間距能極佳地匹配第三方芯片所采用制程的接墊需求（圖3）。

 

 

 

3DIC技術(shù)的另一個(gè)變化和極為創(chuàng)新的發(fā)展，是硅中介層架構(gòu)（Silicon interposer architecture）。 所謂的被動(dòng)3D硅中介層是用來(lái)產(chǎn)生一個(gè)從芯片的頂端到底部的簡(jiǎn)單電氣連接。 所謂的主動(dòng)3D硅中介層能支持實(shí)現(xiàn)完整CMOS設(shè)計(jì)所需制程技術(shù)的所有被動(dòng)和主動(dòng)組件。

 

晶圓代工領(lǐng)導(dǎo)廠商提供3D中介層技術(shù)，這些技術(shù)通常是基于0．18μm模擬專業(yè)制程，具有各種制程模塊，例如金屬絕緣層金屬電容（MIM cap）、高阻值多晶硅電阻（Poly resistor）、最多六個(gè)金屬層、厚頂金屬電感（Thick top metal）等，還有更多。 主動(dòng)中介層具有正面和背面接墊，前側(cè)接墊可用于組裝／堆棧任何種類的晶方，例如傳感器或MEMS組件，背面接墊則主要用于電路板層級(jí)的整合（圖4）。 提供各種尺寸閘球和間距的WLCSP技術(shù)是由晶圓廠提供的額外服務(wù)。 另一個(gè)選擇是，背面的接墊可以用于將更遠(yuǎn)的芯片附著于底部。

 

 

 

領(lǐng)先的模擬晶圓代工業(yè)者確實(shí)為IC開發(fā)提供了設(shè)計(jì)環(huán)境。 理想而言，一些極少的產(chǎn)業(yè)基準(zhǔn)制程開發(fā)工具包（PDK）確實(shí)能提供創(chuàng)建復(fù)雜的混合訊號(hào)設(shè)計(jì)所需的全部建構(gòu)區(qū)塊，而這些設(shè)計(jì)是基于專業(yè)晶圓代工業(yè)者的先進(jìn)晶圓制程技術(shù)，并且適用于所有主要的先進(jìn)CAD環(huán)境。

 

透過(guò)些微的修改，已經(jīng)建立了3D積體參考設(shè)計(jì)流程，這讓設(shè)計(jì)者得以對(duì)3D積體IC系統(tǒng)進(jìn)行全部功能和物理的驗(yàn)證。 PDK有助于針對(duì)裸片尺寸、效能、良率和更短的上市時(shí)間實(shí)現(xiàn)更有效的設(shè)計(jì)，并為產(chǎn)品開發(fā)人員提供一個(gè)「首次就正確」設(shè)計(jì)的可靠途徑。