IDT 的 4H 性能 MEMS 振蕩器擁有一個(gè)差分的 LVDS / LVPECL 輸出，和相比同級(jí)別產(chǎn)品最低的相位抖動(dòng)（100 fs @ 1.875 – 20 MHZ和亞 300 fs @ 12 KHZ – 20MHZ），滿足高性能網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用對(duì)低抖動(dòng)芯片組的需要。集成的頻率裕量 (frequency margining) 設(shè)定功能使客戶在應(yīng)用操作中能夠?qū)⒄袷幤黝l率微調(diào)至 ±1000 ppm，實(shí)現(xiàn)誤碼率最小并便于裕量測(cè)試。IDT 的 4H MEMS 振動(dòng)器適用于多種封裝尺寸，包括更小的 3225(3.2 x 2.5 mm)，以節(jié)省密集部署應(yīng)用中的板空間和成本。IDT 是提供可將 MEMS 振蕩器性能、特性和小封裝尺寸組合在一起的唯一供應(yīng)商。


IDT 公司副總裁兼計(jì)時(shí)與同步部門總經(jīng)理 Christian Kermarrec 表示：“IDT 最新的MEMS 系列構(gòu)建于標(biāo)準(zhǔn)的 4M 和升級(jí)的 4E 振蕩器系列基礎(chǔ)上，滿足萬(wàn)兆以太網(wǎng)和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用對(duì)高性能的要求。作為計(jì)時(shí)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商，我們?yōu)榭蛻籼峁┳罡咝阅懿考蛣?chuàng)新特性，以便于他們進(jìn)行下一代產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。我們很高興看到很多 OEM 廠商越過(guò) MEMS 起步型提供商而選擇 IDT，這正是由于 IDT 所能提供的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)創(chuàng)新。”

HIS 公司 MEMS 與傳感器部門總監(jiān)和首席分析師 Jérémie Bouchaud 表示：“云計(jì)算和存儲(chǔ)架構(gòu)正在快速發(fā)展，幾乎 50% 的服務(wù)器和存儲(chǔ)簇隨著萬(wàn)兆以太網(wǎng)而出貨。高性能MEMS 振蕩器能使企業(yè)級(jí)計(jì)算和存儲(chǔ)架構(gòu)的誤碼率更低，并能同時(shí)提供更好的可靠性。”

IDT 的集成頻率裕量設(shè)定功能使客戶能夠在業(yè)界采用一個(gè)技術(shù)技巧作為“額外 PPM 時(shí)鐘”。這一技術(shù)時(shí)鐘系統(tǒng)處在一個(gè)稍微更高的頻率，允許 OEM 廠商降低誤碼率，并能減少網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的封裝損失。與只提供固定頻率的競(jìng)爭(zhēng)性 MEMS 器件不同，IDT 的器件允許數(shù)以百計(jì)的偏頻，它們會(huì)在達(dá)到 625 兆赫的任何基礎(chǔ)頻率選擇之后 —— 甚至在最終生產(chǎn)系統(tǒng)中產(chǎn)生。這使得設(shè)計(jì)人員能夠加快開(kāi)發(fā)進(jìn)程和優(yōu)化系統(tǒng)性能。

4H MEMS 振蕩器利用 IDT 專利的壓電 MEMS (pMEMS) 諧振器技術(shù)，可提供一個(gè)擁有無(wú)與倫比性能和可靠性的高頻率源。IDT MEMS 振蕩器提供優(yōu)于石英 40 倍的可靠性，無(wú)擾動(dòng)、無(wú)零時(shí)故障、對(duì)電磁干擾 (EMI) 有更高抖動(dòng)阻力，并具有出色的抗沖擊和抗振性，這使它們成為傳統(tǒng)的基于石英振蕩器的一個(gè)理想的升級(jí)解決方案。

IDT 4H 系列是在成功的 4M 和 4E 系列 MEMS 振蕩器基礎(chǔ)上拓展的。作為差分石英振蕩器的嵌入式替代品，4M 標(biāo)準(zhǔn)振蕩器可提供顯著性能，相位抖動(dòng)不到 1 皮秒 (ps)。 4E 升級(jí)版振蕩器將一個(gè)  LVDS 或 LVPECL 輸出和一個(gè)同步CMOS 輸出集成到單一封裝中，無(wú)需外部晶體和二級(jí)振蕩器。此外，4E 振蕩器擁有四個(gè)可選的輸出頻率，允許用一個(gè)單一的器件替換四個(gè)組件，減少材料清單，鞏固庫(kù)存。

供貨

IDT 4H MEMS 振蕩器目前處于客戶送樣階段，采用標(biāo)準(zhǔn)的 7.0 x 5.0 mm, 5.0 x 3.2mm 和3.2 x 2.5mm VFQFPN封裝?？捎么蠖鄶?shù)標(biāo)準(zhǔn)頻率。自定義頻率可根據(jù)要求進(jìn)行配置。