-
高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導(dǎo)體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導(dǎo)體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設(shè)計(jì)和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件，會(huì)給使用者帶來更大的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2022-10-28
-
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號(hào)最豐富的國產(chǎn)廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達(dá)到國際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商。總裁黃興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設(shè)計(jì)能力和工藝水平。
2022-10-19
-
除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？
硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導(dǎo)體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導(dǎo)體，第二代半導(dǎo)體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應(yīng)用。
2022-10-13
-
IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
-
紅外熱成像儀對(duì)放大器的芯片結(jié)溫的仿真測試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不斷增加，散熱問題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達(dá) 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競爭力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
-
延時(shí)校準(zhǔn)、脈沖測試一定要做的事兒！
進(jìn)行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期?；陔p脈沖測試獲得的器件開關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過對(duì)開關(guān)過程的分析驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)方案并提出改進(jìn)方向、提取開關(guān)特征參數(shù)制作器件規(guī)格書、計(jì)算開關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗為電源熱設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支撐、不同廠商器件開關(guān)特性的對(duì)比等。
2022-09-20
-
GaN HEMT 大信號(hào)模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8 W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號(hào)電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準(zhǔn)確預(yù)測器件大信號(hào)性能造成更多困難。
2022-09-15
-
汽車感性負(fù)載安全退磁能量計(jì)算和分析
隨著汽車電子技術(shù)的發(fā)展，輕量化與智能化的需求也帶動(dòng)了英飛凌智能功率器件 (IPD)在車身負(fù)載驅(qū)動(dòng)的大規(guī)模應(yīng)用。對(duì)于感量較大的負(fù)載，如雨刮、鼓風(fēng)機(jī)、風(fēng)扇、繼電器等，需要考慮負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的能量對(duì)系統(tǒng)的沖擊，同時(shí)驅(qū)動(dòng)器件不能被該能量擊穿。本文提供了評(píng)估測量感性能量的方法和工具，在一個(gè)明確定義的應(yīng)用場景中，瞬間關(guān)斷時(shí)的產(chǎn)生的箝位能量（ECL），與高壓側(cè)器件本身的能量能力進(jìn)行對(duì)比，保證IPD器件長期可靠工作。
2022-08-03
-
GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-29
-
25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第八部分完結(jié)篇)：熱管理
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。在這一章，我們來看看其中的熱管理部分是如何提高效率和可靠性，同時(shí)防止系統(tǒng)過早失效的。
2022-07-11
-
25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第七部分)：800V EV充電系統(tǒng)的輔助電源
在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng)，包括這個(gè)可擴(kuò)展系統(tǒng)的整體架構(gòu)和規(guī)格，以及其中PFC和DC-DC變換部分的硬件設(shè)計(jì)和控制策略。我們基本已經(jīng)把電路設(shè)計(jì)部分講完了，除了輔助電源設(shè)計(jì)的相關(guān)內(nèi)容。
2022-07-07
-
英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動(dòng)芯片的三個(gè)優(yōu)勢
現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動(dòng)器承載更大的負(fù)載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會(huì)從高壓母線電壓（S1通S2關(guān)時(shí)）變化到低于地的負(fù)壓（S1關(guān)閉時(shí)）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負(fù)載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負(fù)電壓。
2022-06-28
- 匯聚智造大咖，共探智能工業(yè)未來 AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮點(diǎn)全揭秘
- 優(yōu)化SPI驅(qū)動(dòng)程序的幾種不同方法
- 如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？
- KLA 推出全面的IC載板產(chǎn)品組合，開啟先進(jìn)封裝新時(shí)代
- 意法半導(dǎo)體發(fā)布面向表計(jì)及資產(chǎn)跟蹤應(yīng)用的高適應(yīng)易連接雙無線IoT模塊
- 友達(dá)彭雙浪：Q4步入傳統(tǒng)淡季 明年產(chǎn)業(yè)供需相對(duì)樂觀
- http://ep.cntronics.com/market/14057
- 我的熱插拔控制器電路為何會(huì)振蕩？
- 為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護(hù)航
- 第8講：SiC外延生長技術(shù)
- 二極管的單向?qū)щ娦院头蔡匦郧€說明
- 如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
