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OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計要點
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統(tǒng)要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓?fù)渚哂懈叩拈_關(guān)頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優(yōu)點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應(yīng)用場景高頻驅(qū)動和高壓化的技術(shù)發(fā)展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應(yīng)用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應(yīng)用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅(qū)動芯片方案。最后，本文根據(jù)SiC MOSFET驅(qū)動對供電的特殊要求，對不同供電設(shè)計方案的優(yōu)劣勢進行了分析。
2023-01-05
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
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氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
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不同功率器件在充電樁三相LLC拓?fù)渲械膽?yīng)用探討
近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需求。基于30千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓?fù)浞桨?。文章針對這兩類拓?fù)溥M行參數(shù)設(shè)計，選取三種功率器件方案：
2022-12-13
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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動汽車設(shè)計能夠最大限度地減少車輛的空閑時間，尤其是在長途駕駛中。電動汽車設(shè)計人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個單元充電器的設(shè)計范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個單元元件組合到模塊化設(shè)計中可以增加功率輸出，幫助充電器制造商實現(xiàn)占地面積更小、靈活性更高和可擴展性的目標(biāo)。對有源功率元件使用先進的隔離封裝，可實現(xiàn)更高的功率密度并顯著減少電路設(shè)計中的熱管理工作，從而解決大功率充電的挑戰(zhàn)。
2022-12-13
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提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法
對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)時需要著重關(guān)注的，一個高效的測試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時間和精力。
2022-12-06
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學(xué)診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用
開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。
2022-11-10
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)
新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個關(guān)鍵問題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡，風(fēng)電、太陽能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部，用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽能（光伏）等發(fā)電方式波動性較大，在新能源布局較多的西北部地區(qū)，由于用電負(fù)荷低于發(fā)電量，造成了較高比例的“棄風(fēng)”、“棄光”現(xiàn)象。
2022-10-31
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庖丁解?？?span id="wevyplo" class='red'>功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個環(huán)節(jié)，測試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時刻。
2022-10-31
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