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理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對(duì)應(yīng)的Qg，Qds和Qgs在開(kāi)關(guān)過(guò)程中對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的影響?；谠诶硐霠顟B(tài)下，用工程簡(jiǎn)化方式計(jì)算出MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中不同階段的開(kāi)關(guān)損耗，并分析出Crss及相對(duì)應(yīng)的Qgd對(duì)于MOSFET管的開(kāi)關(guān)損耗起主導(dǎo)作用。然后，論述了在實(shí)際狀態(tài)下，Coss對(duì)開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的影響，由此得出：用工程簡(jiǎn)化方式計(jì)算的開(kāi)關(guān)損耗的值與實(shí)際狀態(tài)下開(kāi)關(guān)損耗的結(jié)果基本是一致的。最后闡述了功率MOSFET管自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程。
2009-10-26
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Avago推出藍(lán)牙2.1 SoC激光傳感器
Avago Technologies(安華高科技)今日宣布，面向無(wú)線(xiàn)鼠標(biāo)器和其他集成型輸入設(shè)備，推出業(yè)內(nèi)第一款完全集成且功能豐富的藍(lán)牙(Bluetooth?) 2.1系統(tǒng)單芯片(SoC, System-on-Chip) LaserStream?導(dǎo)航傳感器產(chǎn)品。
2009-10-08
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安華高推出無(wú)線(xiàn)鼠標(biāo)器應(yīng)用LaserStream傳感器
安華高科技今日宣布，面向無(wú)線(xiàn)鼠標(biāo)器和其他集成型輸入設(shè)備，推出業(yè)內(nèi)第一款完全集成且功能豐富的藍(lán)牙(Bluetooth) 2.1系統(tǒng)單芯片(SoC, System-on-Chip) LaserStream導(dǎo)航傳感器產(chǎn)品。
2009-10-06
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Triquint和華為合作研制下一代光傳輸系統(tǒng)
2009年9月22日，專(zhuān)業(yè)的RF產(chǎn)品制造商TriQuint半導(dǎo)體公司宣布與華為簽署合作諒解備忘錄，來(lái)為后者提供用于下一代光傳輸系統(tǒng)的激勵(lì)放大器（driver amplifiers）和相關(guān)產(chǎn)品。作為華為的戰(zhàn)略合作伙伴，TriQuint將與華為密切合作來(lái)研制更高速、更大容量同時(shí)也更節(jié)能的網(wǎng)絡(luò)傳送技術(shù)，來(lái)滿(mǎn)足全球運(yùn)營(yíng)商的迫切需求。
2009-09-30
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通過(guò)優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率
在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80PLUS，ClimateSavers以及EnergyStar5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。
2009-09-25
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USB 3.0線(xiàn)纜和連接器的阻抗和插損測(cè)試
下一代串行數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)采用的高速率已經(jīng)進(jìn)入到微波領(lǐng)域。比如，即將到來(lái)的SuperSpeed USB(USB 3.0)通過(guò)雙絞線(xiàn)對(duì)線(xiàn)纜傳輸速的率就達(dá)到了5Gb/s。通過(guò)連接器和線(xiàn)纜傳輸如此高的速率必須考慮通道的不連續(xù)性引起的失真。為了將失真程度保持在一個(gè)可控的水平，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了線(xiàn)纜和連接器對(duì)的阻抗和回波損耗。最新的測(cè)量使用S參數(shù)S11表征而且必須歸一化到線(xiàn)纜的90歐姆差分阻抗。
2009-09-24
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第一太陽(yáng)能獲準(zhǔn)在中國(guó)建世界最大太陽(yáng)能基地
據(jù)美聯(lián)社報(bào)道，美國(guó)太陽(yáng)能電池巨頭第一太陽(yáng)能（First Solar）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三宣布其已經(jīng)獲得中國(guó)政府初步同意，將在中國(guó)內(nèi)蒙古鄂爾多斯建立一個(gè)世界最大的太陽(yáng)能生產(chǎn)基地，并考慮在中國(guó)新建一家制造廠(chǎng)
2009-09-11
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中美簽署世界最大太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目
中國(guó)政府與美國(guó)第一太陽(yáng)能公司（First Solar Inc.）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間9月8日簽署了一項(xiàng)合作備忘錄（MOU），雙方計(jì)劃在在內(nèi)蒙古鄂爾多斯市建造發(fā)電量為2千兆瓦的太陽(yáng)能發(fā)電廠(chǎng)。正在對(duì)美國(guó)進(jìn)行友好訪(fǎng)問(wèn)的中國(guó)全國(guó)人大常委會(huì)委員長(zhǎng)吳邦國(guó)見(jiàn)證了簽字儀式
2009-09-11
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Suppli：First Solar今年產(chǎn)量將比尚德高出近1倍
領(lǐng)先市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli 近日發(fā)表研究報(bào)告指出，美國(guó)碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池模塊制造商First Solar Inc.因具成本優(yōu)勢(shì)，2009年產(chǎn)量將可望超越硅晶太陽(yáng)能電池競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，成為全球最大太陽(yáng)能電池制造商 First Solar 尚德
2009-09-10
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微型投影機(jī)動(dòng)力足，搭檔智能手機(jī)有望新突破
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)測(cè)，嵌入智能手機(jī)等便攜式產(chǎn)品的微型投影機(jī)(pico projectors)出貨量，將在接下來(lái)的四年內(nèi)經(jīng)歷60倍的成長(zhǎng)
2009-08-18
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日本擬投資42億日元建國(guó)家MEMS項(xiàng)目研發(fā)基地
日本擬在經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的主導(dǎo)下設(shè)立名為“JMEC”（暫稱(chēng)）的MEMS研發(fā)機(jī)構(gòu)。與歐洲研發(fā)機(jī)構(gòu)比利時(shí)IMEC （Interuniversity Microelectronics Center）一樣，目標(biāo)是成為國(guó)際性的開(kāi)放式產(chǎn)官學(xué)協(xié)作研發(fā)基地。為該機(jī)構(gòu)設(shè)立的研討會(huì)最近已經(jīng)啟動(dòng)，預(yù)定2015年度之前正式投入運(yùn)營(yíng)
2009-08-07
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Gartner LTE設(shè)備商排名：中興華為躋身前三甲
近日，Gartner發(fā)布全球LTE設(shè)備商競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)估報(bào)告《Scorecard for Vendors of Long Term Evolution Network Infrastructure 》，這也是Gartner首次以分項(xiàng)打分方式來(lái)全面評(píng)估全球LTE廠(chǎng)商的競(jìng)爭(zhēng)力，愛(ài)立信、華為、中興 綜合分?jǐn)?shù)分列前三。
2009-08-06
- 利用運(yùn)動(dòng)喚醒功能優(yōu)化視覺(jué)系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
- 泰矽微重磅發(fā)布超高集成度車(chē)規(guī)觸控芯片TCAE10
- 瑞薩與尼得科攜手開(kāi)發(fā)創(chuàng)新“8合1”概念驗(yàn)證，為電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)電機(jī)提供高階集成
- Bourns 推出兩款大電流氣體放電管 (GDT) 新品，適用于交流和直流電源設(shè)計(jì)
- 多維科技推出用于游戲手柄的新型TMR傳感器芯片TMR2615和TMR2617
- 貿(mào)澤電子與Analog Devices聯(lián)手推出新電子書(shū)探討電子設(shè)計(jì)中的電源效率與穩(wěn)健性
- 下一代汽車(chē)微控制器：意法半導(dǎo)體技術(shù)解析
- 安森美與伍爾特電子攜手升級(jí)高精度電力電子應(yīng)用虛擬設(shè)計(jì)
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