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商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛應(yīng)用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導(dǎo)體為很多應(yīng)用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發(fā)熱充分散出去是解決高功率密度設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統(tǒng)的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對(duì)于三種產(chǎn)品未來的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)。
2023-11-16
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Transphorm氮化鎵器件將DAH Solar SolarUnit的傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到極致
DAH Solar的世界首個(gè)集成型光伏（PV）系統(tǒng)采用了Transphorm氮化鎵平臺(tái)，該集成型光伏系統(tǒng)已應(yīng)用在大恒能源的最新SolarUnit 產(chǎn)品。使用了Transphorm的功率器件不僅能夠生產(chǎn)出更小、更輕、更可靠的太陽能電池板系統(tǒng)，同時(shí)還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。與目前常用的硅基解決方案相比，氮化鎵器件能做到更高的開關(guān)頻率和功率密度。更值得一提的是，系統(tǒng)中使用的這兩款氮化鎵功率管均采用 PQFN88 高性能封裝，可與常用柵極驅(qū)動(dòng)器配對(duì)，從而幫助 DAH Solar 縮短了設(shè)計(jì)時(shí)間。
2023-10-16
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從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
隨著新能源汽車和電動(dòng)飛機(jī)概念的興起，在可預(yù)見的未來里，電能都將會(huì)是人類社會(huì)發(fā)展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會(huì)對(duì)電能的消耗量都是一個(gè)天文數(shù)字。比如在中國，根據(jù)國家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全社會(huì)用電量86,372億千瓦時(shí)，同比增長3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。
2023-10-09
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半導(dǎo)體功率器件的無鉛回流焊
半導(dǎo)體器件與 PCB 的焊接歷來使用錫/鉛焊料，但根據(jù)環(huán)境法規(guī)的要求，越來越多地使用無鉛焊料來消除鉛。大多數(shù)適合這些應(yīng)用的無鉛焊料是具有較高熔點(diǎn)的錫/銀合金，相應(yīng)地具有較高的焊料回流溫度。
2023-10-09
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多元融合高彈性電網(wǎng)初落地，電源和功率器件迎行業(yè)風(fēng)口
每到盛夏，我國江浙沿海一帶就會(huì)出現(xiàn)電力緊張問題。因此，“高溫下保供電”便成為各地的主要方針。同時(shí)，隨著新能源汽車滲透率提升，電能供應(yīng)的挑戰(zhàn)會(huì)越來越大。為了能夠更好地解決供電難題，多元融合高彈性電網(wǎng)成為電力能源領(lǐng)域的熱門概念，并已經(jīng)得到了初步的落實(shí)。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。
2023-09-18
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如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！
SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。
2023-09-18
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SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領(lǐng)域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經(jīng)是大勢(shì)所趨。
2023-09-15
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如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動(dòng)器
所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動(dòng)器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅(qū)動(dòng)器是系統(tǒng)處理器的低電壓、低電流輸出端與開關(guān)器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環(huán)境中運(yùn)行，而后者則在惡劣條件下工作，對(duì)電流、電壓和定時(shí)有著嚴(yán)格的要求。
2023-09-14
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設(shè)備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員有一個(gè)優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計(jì)劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。
2023-08-21
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析——下
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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