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電源轉(zhuǎn)換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻玫男阅苤笖?shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設計
通過結(jié)合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件，開關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
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通過建立優(yōu)化模型和目標函數(shù)實現(xiàn)電化學整流電源電聯(lián)接
電化學整流電源是一種高耗能設備，提高整流效率、降低額外損耗是這類電力電子變換裝置的一個重要的課題。隨著大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術(shù)的改進，均流問題也不再突出，所以從效率、損耗方面進行優(yōu)化設計是必要的。
2013-01-07
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無Y電容的充電器變壓器補償設計方法
在開關(guān)電源中，功率器件高頻導通/關(guān)斷的操作導致的電流和電壓的快速變化而產(chǎn)生較高的電壓及電流尖峰是產(chǎn)生EMI的主要原因。通常情況下，系統(tǒng)前端要加濾除器和Y電容，Y電容的存在會使輸入和輸出線間產(chǎn)生漏電流，具有Y電容的金屬殼手機充電器會讓使用者有觸電的危險，因此，一些手機制造商開始采用無Y電容的充電器，然而，去除Y電容會給EMI的設計帶來困難，本文將介紹無Y電容的充電器變壓器補償設計方法。
2012-12-18
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GaN壓力來襲，降低成本是SiC器件大規(guī)模商用的前提
受限于價格過高等因素，迄今為止各種SiC功率器件產(chǎn)品系列的實際應用都很少。隨著降低環(huán)境負荷的要求日益提高，傳統(tǒng)Si材料功率器件的局限性越來越突出。新一代材料SiC功率器件具有體積小、高效率、高耐溫等優(yōu)點，受到越來越多的重視，研發(fā)生產(chǎn)日益活躍。然而，SiC器件何時才會實現(xiàn)大規(guī)模商用，成為業(yè)界關(guān)注的焦點。
2012-12-13
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MOS晶體管
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控制晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態(tài)特性、優(yōu)良的開通和關(guān)斷特性，可望具有優(yōu)良的自關(guān)斷動態(tài)特性、非常低的通態(tài)電壓降和耐高壓，成為將來在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展前途的高壓大功率器件。目前世界上有十幾家公司在積極開展對MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結(jié)構(gòu)：MOS場控晶閘管（MCT）、基極電阻控制晶閘管(BRT)及射極開關(guān)晶閘管(EST)。
2012-12-13
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電子負載儀簡介
電子負載，顧名思義，是用電子器件實現(xiàn)的“負載”功能，其輸出端口符合歐姆定律。具體地說，電子負載是通過控制內(nèi)部功率器件MOSFET或晶體管的導通量，使功率管耗散功率，消耗電能的設備。
2012-11-30
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富士通明年量產(chǎn)氮化鎵功率器件
富士通半導體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件，滿足高效電源單元供應市場需求，可使服務器電源單元實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，這些器件可廣泛用于電源增值應用。
2012-11-22
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GaN在電子器件的應用
為了滿足產(chǎn)品小型化、低功耗的要求，電子元器件也在進行著新一代的變革，用GaN材料制作的電子元器件日益受到各廠家的關(guān)注。富士通科技也宣布，將于2013年量產(chǎn)GaN功率器件。
2012-11-21
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科銳碳化硅功率器件, 可降低總體系統(tǒng)成本
科銳推出新型碳化硅高頻率功率模組，新型高頻率模組額定電流100A，額定阻斷電壓1200V，可實現(xiàn)更高效、更小尺寸及更輕重量的系統(tǒng)，相比傳統(tǒng)的硅技術(shù)可以幫助降低總體系統(tǒng)成本。
2012-11-19
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可實現(xiàn)2.5kW電源GaN功率器件
【導讀】富士通半導體量產(chǎn)可實現(xiàn)2.5kW電源的硅基板GaN功率器件，意在在電源裝置領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)優(yōu)化應用，并在電路設計方面給予技術(shù)支持，為開發(fā)多種用途的低損失、小型電源裝置提供支持。
2012-11-13
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