-
致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計(jì)
現(xiàn)代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過這一技術(shù)，設(shè)計(jì)人員終于能夠放心地測量以前回避的半橋和門驅(qū)動器波形。
2020-08-31
-
一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動配置！
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
-
SiC吸引力為何如此的大？在電力電子上又有哪些應(yīng)用？
據(jù)預(yù)測，采用 SiC 的功率模塊將進(jìn)入諸如可再生能源、UPS 電源、驅(qū)動器和汽車等應(yīng)用。風(fēng)電和牽引應(yīng)用可能會隨之而來。 到 2021 年，SiC 功率器件市場總額預(yù)計(jì)將上升到 10 億美元 [1]。在某些市場，如太陽能，SiC 器件已投入運(yùn)行，盡管事實(shí)上這些模塊的價格仍然比常規(guī)硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力，即使價格更高也心甘情愿地被接受？
2020-07-30
-
安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動力(Danfoss Silicon Power)供應(yīng)大功率IGBT和二極管，應(yīng)用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
-
如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
在工業(yè)應(yīng)用中，AC/DC 電源轉(zhuǎn)換（也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換）與消費(fèi)類和大眾市場設(shè)計(jì)迥然不同。通常，工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對更高，對熱應(yīng)力和電應(yīng)力的穩(wěn)健性有額外要求，對活動和待機(jī)模式有嚴(yán)格的監(jiān)管規(guī)定，還必須監(jiān)控當(dāng)前工作狀態(tài)以形成反饋回路并進(jìn)行故障檢測。
2020-06-10
-
固態(tài)繼電器和固態(tài)調(diào)壓器的區(qū)別
固態(tài)繼電器是由微電子電路，分立電子器件，電力電子功率器件組成的無觸點(diǎn)開關(guān)。用隔離器件實(shí)現(xiàn)了控制端與負(fù)載端的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端用微小的控制信號，達(dá)到直接驅(qū)動大電流負(fù)載。
2020-06-09
-
效率媲美氮化鎵的超級硅MOSFET
半導(dǎo)體功率器件在電力電子行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用，特別是近幾年來，隨著社會電子產(chǎn)業(yè)化及萬物互聯(lián)的應(yīng)用需求，更進(jìn)一步加速了電子化水平的進(jìn)程；也對電力電子系統(tǒng)提出了更高的要求和挑戰(zhàn)，如：高效率、高頻化、高密度、小體積、高可靠性及長壽命等方面。
2020-04-23
-
射頻大功率器件TRL校準(zhǔn)件的設(shè)計(jì)與制作
以LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）為代表的射頻大功率器件已經(jīng)在民用通信市場以其優(yōu)異的性能和低廉的價格而得到越來越廣泛的應(yīng)用，對于這種射頻大功率器件的器件水平和能力評估也越來越受到關(guān)注。
2020-04-20
-
致工程師系列之二：功率器件的標(biāo)定及選擇
對市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準(zhǔn)確把握？是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用，缺少一種簡單經(jīng)濟(jì)的評價方法。對于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì)，大功率開關(guān)管的選擇是非常關(guān)鍵也是非常困難的。
2020-03-10
-
一文秒懂功率器件，從小白變大神的進(jìn)階之路
功率器件，也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
2020-02-25
-
談?wù)劤Y(jié)功率半導(dǎo)體器件
超結(jié)功率半導(dǎo)體器件是一類具有超結(jié)耐壓層的重要器件，超結(jié)將PN結(jié)引入到常規(guī)“電阻型”耐壓層中，使之質(zhì)變?yōu)椤敖Y(jié)型耐壓層”，這種質(zhì)變突破傳統(tǒng)功率器件比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的Ron,sp ∝VB2.5“硅極限”關(guān)系，使之降低到Ron,sp ∝VB1.32，甚至 Ron,sp ∝VB1.03，超結(jié)器件也因此被譽(yù)為功率半導(dǎo)體器件的“里程碑”。從耐壓層角度回顧功率半導(dǎo)體40年發(fā)展的3個里程碑，綜述了超結(jié)的發(fā)明、概念與機(jī)理、技術(shù)與新結(jié)構(gòu)，并總結(jié)超結(jié)發(fā)展歷程與趨勢。
2020-02-19
-
降低開關(guān)電源輸出 “紋波與噪聲” 10大招！
紋波主要在五個方面：輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲和閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。
2020-02-11
- 匯聚智造大咖，共探智能工業(yè)未來 AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮點(diǎn)全揭秘
- 優(yōu)化SPI驅(qū)動程序的幾種不同方法
- 如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？
- KLA 推出全面的IC載板產(chǎn)品組合，開啟先進(jìn)封裝新時代
- 意法半導(dǎo)體發(fā)布面向表計(jì)及資產(chǎn)跟蹤應(yīng)用的高適應(yīng)易連接雙無線IoT模塊
- 友達(dá)彭雙浪：Q4步入傳統(tǒng)淡季 明年產(chǎn)業(yè)供需相對樂觀
- http://ep.cntronics.com/market/14057
- 我的熱插拔控制器電路為何會振蕩？
- 為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護(hù)航
- 第8講：SiC外延生長技術(shù)
- 二極管的單向?qū)щ娦院头蔡匦郧€說明
- 如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
