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如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？
在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。
2024-11-06
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第8講：SiC外延生長技術(shù)
SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項。
2024-11-06
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遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費電子領(lǐng)域內(nèi)競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應(yīng)用中的潛力。
2024-11-01
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【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室】 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費電子領(lǐng)域內(nèi)競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應(yīng)用中的潛力。
2024-10-20
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IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實現(xiàn)高性價比電驅(qū)
近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶狻?/p>
2024-09-25
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強(qiáng)度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由于GaN是直接躍遷型半導(dǎo)體，少數(shù)載流子壽命較短，因此通過電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)來實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻器件的效果并不理想。
2024-09-11
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如何“榨干”SiC器件潛能？這幾種封裝技術(shù)提供了參考范例
隨著全球?qū)稍偕茉春颓鍧嶋娏ο到y(tǒng)的需求不斷增長，光儲充一體化市場為實現(xiàn)能源的高效利用和優(yōu)化配置提供了創(chuàng)新解決方案。在此趨勢引領(lǐng)下，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)生態(tài)正迅速發(fā)展，逐漸成為替代傳統(tǒng)硅基功率器件的有力市場競爭者。
2024-09-03
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OBC設(shè)計不斷升級，揭秘如何適應(yīng)更高功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動汽車(EV)必須延長續(xù)航里程，方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅(qū)逆變器等關(guān)鍵高功率器件的運行能效。為應(yīng)對電子元件導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗造成的巨大功率損耗，汽車制造商正在通過提高電池電壓來增加車輛的續(xù)航里程。
2024-08-22
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不斷改進(jìn) OBC 設(shè)計，適應(yīng)更高的功率等級和電壓
消費者需求不斷攀升，電動汽車 (EV) 必須延長續(xù)航里程，方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車相媲美。解決這個問題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅(qū)逆變器等關(guān)鍵高功率器件的運行能效。
2024-08-08
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第1講：三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
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觀眾登記開啟｜elexcon2024深圳國際電子展8月27-29日約您來見，20+重磅活動與數(shù)千新品引爆AI+技術(shù)生態(tài)
elexcon2024深圳國際電子展將于2024年8月27日至29日在深圳會展中心（福田）開幕。展會為電子產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇以及AI時代到來準(zhǔn)備好了全棧技術(shù)和產(chǎn)品展示，包括AI芯片、嵌入式處理器/MCU/MPU、存儲、智能傳感、RISC-V技術(shù)與生態(tài)、AIoT方案、無源器件/分立器件、PMIC與功率器件、Chiplet和SiP先進(jìn)封裝等。
2024-07-18
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開關(guān)，因此通常會產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會迅速改變狀態(tài)。開、關(guān)狀態(tài)間變化會產(chǎn)生 dv/dt 和 di/dt，從而在開關(guān)頻率的諧波頻率上產(chǎn)生 EMI。
2024-07-08
- 匯聚智造大咖，共探智能工業(yè)未來 AMTS & AHTE SOUTH CHINA 2024亮點全揭秘
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