無線技術發(fā)展的歷史可以總結為數(shù)據(jù)速度不斷提高的歷史。從20世紀90年代引入的、僅傳話音的模擬1G標準開始，蜂窩標準已經(jīng)走了很長的路。1G標準當初調(diào)制的是150MHz頻率的單頻段。到了2G時代，首個數(shù)字蜂窩標準引入了四頻段的系統(tǒng)解決方案，而增加頻段分配的趨勢到3G時得到了進一步延續(xù)。為了支持全球漫游和更高的數(shù)據(jù)速度和容量需求，3G通常支持多達8個頻段。今天，隨著4G先進的長期演進(LTE-A)的推廣使用，我們正在目睹分配頻段的爆炸式增長。鑒于對全球漫游和更寬頻率帶寬的需求，LTE開發(fā)已經(jīng)成為主導力量。

 

目前給LTE FDD和LTE TDD應用分配的頻段已經(jīng)超過40個。隨著頻段的擴展，我們體驗到了數(shù)據(jù)速度和容量的顯著增加。從2G下行鏈路(DL)和上行鏈路(UL)的14.4kps速度開始，如今的LTE cat6將提供高達300Mbps的下行鏈路和50Mbps的上行鏈路數(shù)據(jù)速率。誠然，客戶和市場要求還在不斷提高。LTE-A上行鏈路的峰值數(shù)據(jù)速率目標將高達1Gbps。即使這個值也只是第一步，目標還在不斷的快速提高。與這個挑戰(zhàn)一起，增加移動寬帶容量是必須的。據(jù)愛立信研究報告預測，2012年和2018年之間的移動數(shù)據(jù)業(yè)務有望增長12倍，而且到2018年底，智能手機用戶將超過30億。

 

在無線行業(yè)中，對數(shù)據(jù)速率和數(shù)據(jù)容量需求的顯著增加被稱為“實現(xiàn)1000倍移動數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)”?？梢詭椭覀儜獙@個1000倍移動數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)的解決方案將要求更多的頻譜。我們已經(jīng)知道，日本將在2015年引入3.5GHz(LTE TDD頻段42和43)，其他國家也將跟進。下一步是引入100MHz的下行鏈路載波聚合(CA)。

 

只是為了比較，LTE cat6在2×1 MIMO移動手機配置中使用了40MHz(20MHz+20MHz)的載波聚合。對于100MHz載波聚合帶寬來說，有必要將TDD和FDD LTE頻段組合起來。雖然從LTE cat1到LTE cat6，下行鏈路數(shù)據(jù)速率已經(jīng)增加了30倍，即從10Mbps增加到了300Mbps，但上行鏈路的數(shù)據(jù)速率只增加了10倍，即從LTE cat1的5Mbps增加到了LTE cat6的50Mbps。但是，在最近舉辦的大型公眾活動(如世界杯、奧運會等)期間，運營商們經(jīng)歷了上行鏈路數(shù)據(jù)容量超過下行鏈路數(shù)據(jù)容量的情況。這種情況當然引起了運營商們對下行鏈路/上行鏈路發(fā)展矛盾的關注，他們越來越迫切地希望找到一種能夠減小下行鏈路/上行鏈路數(shù)據(jù)速度比值的方法。順著這個方向走出的前幾步將是在手機配置中引入發(fā)送的分集路徑(或2×2 MIMO)，并引入上行鏈路(或發(fā)送)載波聚合。

 

隨著“實現(xiàn)1000倍移動數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)”目標的進一步深入，在越來越接近5G標準的過程， 移動手機或用戶設備(UE)的射頻性能正在變成市場中一個真正關鍵的瓶頸。

 

高端智能手機中的射頻前端(RF-FE)架構已經(jīng)變得異常復雜，必須支持滿足全球漫游需求的大量頻段和最少手機型號變化的方法。因此所需射頻前端元件的清單變得越來越長。這種復雜的射頻環(huán)境引起了元件方面的諸多挑戰(zhàn)：插損(IL)、隔離和線性性能。頻段間載波聚合要求在單個射頻前端內(nèi)使用多個有效的接收/發(fā)送路徑，其對成本、性能和功耗的影響帶來了更多的復雜性，進而導致需要減少來自兩條或更多條有效的接收和發(fā)送路徑的互調(diào)和交調(diào)。在這種環(huán)境中，射頻天線開關的線性性能變得至關重要(見圖1)。業(yè)內(nèi)通常用3GPP標準來衡量為了避免與網(wǎng)絡上的其它設備發(fā)生干擾所要求的線性程度。這是通過規(guī)定三階輸入截取點(IIP3)實現(xiàn)的。根據(jù)英特爾移動公司的數(shù)據(jù)來源，2G對開關線性度的要求是IIP3=55dBm，3G開關要求是65dBm，LTE開關的IIP3要求是72dBm，具有上行鏈路載波聚合功能的LTE-A天線開關必須滿足IIP3=90dBm的要求。

圖1：未來手機的線性度要求。

目前固態(tài)開關技術(如SOI或SOS)正在接近技術極限，將無法達到IIP3＝90dBm的要求(見圖2)。問題在于它們較差的Ron×Coff=120品質(zhì)因數(shù)(FoM)開關和內(nèi)部關斷狀態(tài)下SOI/SOS晶體管的漏電流，它將影響開關的線性度、插入損耗和隔離度。針對高的多擲開關配置和更高頻段增加開關擲數(shù)將進一步快速劣化性能，使得這類開關不適合LTE-A的切換。能夠達到IIP3>90dBm這個射頻性能目標的唯一一種開關是射頻MEMS開關。

圖2：SOI不再能夠應對。

 

DelfMEMS射頻MEMS開關是表貼式微電機器件，使用機械運動切換射頻傳輸線是導通還是關斷(見圖3)。這種技術不受頻率依賴性和高多擲開關配置極限的影響。由于其品質(zhì)因數(shù)小于10，這種開關與現(xiàn)有固態(tài)解決方案相比可以提供極其優(yōu)異的線性度、插損和隔離性能。

圖3：DelfMEMS射頻開關。

 

DelfMEMS開關已經(jīng)成為典型的LTE-A射頻前端的理想解決方案，因為這時的低插損是關鍵。高的插損將直接負面影響智能手機的電池壽命，并降低接收靈敏度，進而直接影響手機呼叫的質(zhì)量和數(shù)據(jù)的接收。據(jù)“前十大智能手機購買驅動力”的用戶調(diào)查，超過一半的用戶認為電池壽命是智能手機中最重要的特性。

 

在多擲數(shù)的高頻環(huán)境中，用DelfMEMS代替現(xiàn)有的SOI/SOS開關可以減小插損，從而節(jié)省多達17%的電池能量，并能使接收靈敏度提高29%。在3.5GHz時，這些異常改進將變得更加顯著。頻段之間和收發(fā)之間的隔離好處同樣重要。DelfMEMS開關在2.7GHz頻段時能夠實現(xiàn)40dB的隔離度，相比之下現(xiàn)有的固態(tài)開關隔離度只有18dB。

綜上所述，我們可以越來越清楚地看到，射頻MEMS具有固有的高線性度、高工作頻率、超低插損和很高的端口到端口隔離度，因此是LTE-A開關的完美選擇。

 

DelfMEMS射頻MEMS開關結構使用了一種新的集成式微機械構建模塊，以極具魯棒性的全新IP組合為基礎，包含了7個關鍵專利和創(chuàng)新技術。這種開關沒有使用懸臂梁或橋。這些梁或橋為了建立阻性接觸，一般通過靜電驅動高導電性電極，最終形成機械性開關。這些較老的結構被證明存在諸多問題：錨上的應力，可能的粘滯作用，切換速度低，可能發(fā)生懸臂梁爬電。

 

創(chuàng)新的DelfMEMS設計方法采用了無錨結構實現(xiàn)機械式射頻切換，從根本上克服了這些歷史上遺留的設計問題，而不是簡單地減輕上述問題。

 

這種解決方案采用了由兩組支柱和阻塞裝置夾持的自由靈活的膜。這種膜由2組電極進行靜電驅動，在導通狀態(tài)和靜電控制的關斷狀態(tài)都可以保持接觸(見圖4)。接觸可以吸引到導線或遠離導線。這種功能可以增加關斷狀態(tài)下電極和傳輸線之間的間距(直接鏈接到接觸隔離)，并能在不太可能的粘滯情況下復位開關。使用有源驅動還允許恢復力、接觸力和梁的機械屬性之間去相關，因為從導通狀態(tài)到關斷狀態(tài)的轉變是通過靜電驅動完成的，不只是彈性恢復力。這種先進的靜電驅動同樣能將開關時間縮短到大約很短的2μs。

圖4： DelfMEMS開關結構的動作示意圖。

 

DelfMEMS開關結構的另外一個強大優(yōu)勢是，可以減小膜與傳輸線之間的間隙，因而通過降低膜的最大撓度來減小爬電和機械應力。這樣能增加導通狀態(tài)時的接觸力，降低驅動電壓，從而降低插入損耗。

 

由于采用了這種新奇和改進的方法，DelfMEMS射頻MEMS開關還能用于其它射頻MEMS解決方案還沒有考慮到的市場：天線切換。對于真正兼容LTE-A的移動設備來說，關鍵要求有：更高的數(shù)據(jù)速率和容量，更長的電池壽命和更好的信號接收質(zhì)量。達到這些目標的解決方案是減少射頻前端的元件損耗、引入高頻頻段，擴展下行鏈路并引入上行鏈路的載波聚合，提高頻段到頻段和收發(fā)之間的隔離度。

 

DelfMEMS的射頻MEMS開關解決方案在2GHz以上時具有0.25dB的插損和40dB的隔離度，針對高擲數(shù)開關的IIP3線性度大于90dBm，因此這種開關是達成LTE-A目標的理想選擇，可以在需要高頻、超高線性度和隔離度以及非常低插損的應用中代替現(xiàn)有的固態(tài)開關技術。