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使用近場(chǎng)探頭探測(cè)DC-DC轉(zhuǎn)換器電磁干擾
板載DC-DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）是物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的常見問題。這些小電路通常在1MHz和3MHz之間以亞納秒級(jí)邊緣速率快速切換，結(jié)果產(chǎn)生超過2GHz的寬帶EMI。
2019-08-14
近場(chǎng)探頭 DC-DC轉(zhuǎn)換器 電磁干擾
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德州儀器：DC/DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南（一）——規(guī)范和測(cè)量
多數(shù)電源應(yīng)用必須減少電磁干擾 (EMI) 以滿足相關(guān)要求，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須嘗試各種方法來減少傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。
2019-08-09
德州儀器 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 EMI
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無刷直流電機(jī)的超前角/導(dǎo)通角
在無刷直流電機(jī)BLDC控制里，無論對(duì)于帶傳感器還是無傳感器電機(jī)，經(jīng)常會(huì)用到超前角/導(dǎo)通角（Lead Angle）。因?yàn)殡姍C(jī)線圈是感性負(fù)載，所以相對(duì)于線圈上的加載電壓，線圈里的電流會(huì)有一定的時(shí)延，這會(huì)影響電機(jī)的效率和產(chǎn)生噪音震動(dòng)等。
2019-08-08
無刷直流電機(jī) 超前角 導(dǎo)通角
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反激式開關(guān)電源變壓器可以這樣設(shè)計(jì)
反激式變壓器是反激開關(guān)電源的核心，它決定了反激變換器一系列的重要參數(shù)，如占空比D，最大峰值電流，設(shè)計(jì)反激式變壓器，就是要讓反激式開關(guān)電源工作在一個(gè)合理的工作點(diǎn)上。這樣可以讓其的發(fā)熱盡量小，對(duì)器件的磨損也盡量小。同樣的芯片，同樣的磁芯，若是變壓器設(shè)計(jì)不合理，則整個(gè)開關(guān)電源的性能會(huì)...
2019-08-07
反激式 開關(guān)電源 變壓器 電路設(shè)計(jì)
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殊途同歸，從兩個(gè)角度解釋電容退耦原理
采用電容退耦是解決電源噪聲問題的主要方法。這種方法對(duì)提高瞬態(tài)電流的響應(yīng)速度，降低電源分配系統(tǒng)的阻抗都非常有效。
2019-08-07
電容 退耦 原理
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隔離電源與非隔離電源，哪個(gè)比較好？
首先闡述一個(gè)誤區(qū)：很多人認(rèn)為非隔離電源不如隔離電源好，因?yàn)楦綦x電源貴，所以肯定貴的就好。為什么現(xiàn)在大家的印象當(dāng)中用隔離電源比用非隔離的要好，其實(shí)不然，這種想法都是停留在幾年前的想法當(dāng)中。
2019-08-07
隔離電源 非隔離電源
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的MOSFET選擇
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。
2019-08-05
電源系統(tǒng) 開關(guān)控制器 MOSFET
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MOS管簡(jiǎn)介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
2019-08-05
MOS管 判定電極 放大能力
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各種開關(guān)電源拓?fù)鋬?yōu)缺點(diǎn)詳盡分析
如果你對(duì)開關(guān)電源的各種拓?fù)淞巳挥谛?，就能看清開關(guān)電源的本質(zhì)。以下將為大家分別介紹反激式開關(guān)電源、正激式開關(guān)電源、推挽式開關(guān)電源、半橋式開關(guān)電源等的各種優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2019-08-05
開關(guān)電源 拓?fù)?/p>
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