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你的功率模塊能在應(yīng)用中運(yùn)行多長時(shí)間？
功率模塊是大功率電力電子系統(tǒng)的核心部件。因此，它們的壽命對(duì)最終產(chǎn)品的可靠性有重要影響。為了了解真實(shí)的工況如何影響功率模塊，必須進(jìn)行復(fù)雜的模擬仿真，由于工況文件冗長且復(fù)雜多變, 往往將仿真工具和方法推到極限。出于這個(gè)原因，在仿真方法和半導(dǎo)體特性方面需要高水平的專業(yè)知識(shí)。了解功率模...
2022-10-13
功率模塊 電力電子
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除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？
硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導(dǎo)體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導(dǎo)體，第二代半導(dǎo)體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應(yīng)用。
2022-10-13
氮化鎵 快充技術(shù)
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無電解電容的高亮度LED驅(qū)動(dòng)電源
LED（發(fā)光二極管）為新一代的綠色照明光源，具有節(jié)能、環(huán)保、高亮度、長壽命等諸多優(yōu)點(diǎn)。它不僅是照明光源的新寵，也與人們的生活戚戚相關(guān)。因此，研制長壽命的驅(qū)動(dòng)電源，構(gòu)建高效率、低成本、高功率因數(shù)和是LED燈發(fā)光品質(zhì)和整體性能的關(guān)鍵，也是LED照明技術(shù)發(fā)展的需要。
2022-10-12
無電解電容 LED驅(qū)動(dòng)電源
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MOS管的Miller 效應(yīng)
本文對(duì)于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。
2022-10-12
MOS管 米勒效應(yīng)
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面向移動(dòng)機(jī)器人的無線充電技術(shù)實(shí)現(xiàn)工業(yè)4.0
制造業(yè)已經(jīng)發(fā)展了200多年。工業(yè)4.0是第四次工業(yè)革命，其重點(diǎn)在于互聯(lián)互通、自動(dòng)化、機(jī)器學(xué)習(xí)和實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理。隨著各種制造業(yè)都在向工業(yè)4.0邁進(jìn)，為了保持競(jìng)爭(zhēng)力并降低制造成本，制造商正致力于為工廠投入更多的設(shè)備，同時(shí)削減員工數(shù)量。
2022-10-11
無線充電 控制器 PCB 工業(yè)4.0 移動(dòng)機(jī)器人
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助推電動(dòng)汽車發(fā)展的新動(dòng)力：Soitec 的 SmartSiC?
如果說人類世界當(dāng)前面臨的最緊迫危機(jī)是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經(jīng)造成的災(zāi)難性環(huán)境破壞以及人口損害，那么，在當(dāng)前的地球溫室氣體排放中，交通業(yè)的“貢獻(xiàn)”最大，傳統(tǒng)上它已被視為重要的污染源。
2022-10-11
電動(dòng)汽車 Soitec SmartSiC
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瑞薩RA MCU在BMS產(chǎn)品中的應(yīng)用
BMS電池管理系統(tǒng)一般包含以下幾個(gè)部分：電壓采樣、電流采樣、充放電控制、硬件過流保護(hù)、SOC算法、對(duì)外的通信接口等。本案例中SOC算法和通信接口，由RA2L1（R7FA2L1A93CFL）完成，其余部分由AFE（Analog Front End）模擬前端芯片ISL489206或ISL489204（14串）完成。
2022-10-11
瑞薩 MCU BMS
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔...
2022-10-11
IGBT ZVS ZCS
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 ...
2022-10-10
GaN 解決方案 TI
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