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KMD2:ROHM最新開發(fā)的二極管用大功率封裝
半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社為滿足便攜式音頻播放器、游戲機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等對(duì)小型化、薄型化要求高的便攜式機(jī)器市場(chǎng)的需要，開發(fā)出屬于業(yè)界超小級(jí)別的二極管封裝KMD2(1608規(guī)格尺寸)。按照計(jì)劃，采用這種封裝的肖特基勢(shì)壘二極管將從2008年12月開始逐步供應(yīng)樣。
2008-12-29
肖特基勢(shì)壘二極管 KMD2 二極管 GMD2 齊納二極管
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EMIF02-SPK02F2：ST手機(jī)應(yīng)用微型濾波器
到2010年，超過(guò)75%的新手機(jī)將具有MP3音樂(lè)播放功能。隨著音樂(lè)手機(jī)普及，音頻性能成為設(shè)計(jì)者的關(guān)注焦點(diǎn)。新手機(jī)設(shè)計(jì)將更要求改進(jìn)降噪性能，意法半導(dǎo)體針對(duì)新的市場(chǎng)需求，推出全新濾波器EMIF02-SPK02F2。
2008-12-26
EMIF02-SPK02F2 干擾噪聲 濾波器 TDMA 分立器件 EMI
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東芝擬斥資3.3億美元新建鋰電池廠
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，東芝近日透露，將在日本新潟縣柏崎市新建一座可快速充電的新型鋰離子電池工廠。東芝計(jì)劃斥資約300億日元(約合3.3億美元)，工廠最早于明年動(dòng)工。
2008-12-26
鋰離子電池 電動(dòng)汽車 半導(dǎo)體 SCiB 電池
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鑫陽(yáng)電子自主研發(fā)助企業(yè)渡難關(guān)
鑫陽(yáng)電子加快產(chǎn)品的研發(fā)力度助企業(yè)渡難關(guān)
2008-12-25
鑫陽(yáng)電子 電冰箱 啟動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn) 專用電容器
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博世投資5億3000萬(wàn)歐元將太陽(yáng)能電池產(chǎn)能增至3倍
德國(guó)博世集團(tuán)宣布，將增強(qiáng)旗下德國(guó)ersol Solar Energy AG的結(jié)晶太陽(yáng)能電池和太陽(yáng)能電池模塊的產(chǎn)能。將擴(kuò)充位于德國(guó)圖林根州阿恩施塔特太陽(yáng)能電池工廠的規(guī)模。投資總額約為5億3000萬(wàn)歐元。將在目前至2012年間投資。此次擴(kuò)充將使ersol Solar Energy的產(chǎn)能擴(kuò)大到將近目前的3倍——約630MW。預(yù)定2010年初...
2008-12-25
太陽(yáng)能電池 博世 新能源
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松下和三洋電機(jī)宣布資金及業(yè)務(wù)全面合作
松下和三洋電機(jī)08年12月19日就資本及業(yè)務(wù)合作舉行了緊急新聞發(fā)布會(huì)。雙方此前于08年11月7日宣布開始協(xié)商資本及業(yè)務(wù)合作。松下代表董事社長(zhǎng)大坪文雄強(qiáng)強(qiáng)調(diào)了此次資本及業(yè)務(wù)合作的意義：“伴隨新興市場(chǎng)國(guó)家的重要性日趨提高，產(chǎn)品均價(jià)開始下滑，同時(shí)又出現(xiàn)了源自金融危機(jī)的行業(yè)低迷，因此希望通過(guò)與三...
2008-12-24
燃料電池 太陽(yáng)能電池 鋰離子充電電池 家電 鎳氫充電電池 混合動(dòng)力車 醫(yī)療電子 新能源
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2008-12-24
Si7633DP Si7135DP MOSFET 超低導(dǎo)通電阻
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愛(ài)普科斯與New Scale合作開發(fā)微型直線電機(jī)
電子元件及模塊和系統(tǒng)生產(chǎn)商愛(ài)普科斯公司與超小型運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)制造商N(yùn)ewScaleTechnologies,Inc.(以下簡(jiǎn)稱NewScale)達(dá)成了一項(xiàng)科技合作協(xié)議，旨在開發(fā)獨(dú)創(chuàng)性超聲波電機(jī)。此次合作結(jié)合了NewScale在開發(fā)微型壓電式電機(jī)方面的先進(jìn)技術(shù)與愛(ài)普科斯在生產(chǎn)多層壓電元件的能力
2008-12-24
愛(ài)普科斯 直線電機(jī) NewScale 多層壓電
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松下電器試制出降低導(dǎo)通電阻的GaN二極管
松下電器試制出使用GaN半導(dǎo)體、耐壓為9.4kV，導(dǎo)通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為1000mΩcm2。設(shè)想用于工作電壓從數(shù)百伏消費(fèi)類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域。
2008-12-22
半導(dǎo)體 二極管 消費(fèi)電子 電氣設(shè)備 分立器件 導(dǎo)通電阻
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
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