你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

驅(qū)動芯片在應(yīng)用中的常見問題分析與解決

發(fā)布時間:2023-01-30 來源:TI 責任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】通信電源PSU在通訊設(shè)備中擔任著很重要的角色,PSU問題將會導(dǎo)致整個通訊設(shè)備無法正常運作。常見的通信電源PSU拓撲有橋式、推挽以及正在興起的非隔離IBB架構(gòu)。所有這些應(yīng)用場景都離不開驅(qū)動芯片。在驅(qū)動芯片的應(yīng)用過程中,常見的兩類問題是異常丟波現(xiàn)象以及輸出通道的誤脈沖,他們會隨著芯片、系統(tǒng)設(shè)計上的差異而時常出現(xiàn)在我們的應(yīng)用中,嚴重情況會導(dǎo)致MOS管甚至整個產(chǎn)品的損壞。本文主要從應(yīng)用角度分析了問題的產(chǎn)生原因以及相應(yīng)的設(shè)計解決方案,確保在設(shè)計過程中不會引入可能的風(fēng)險。


1. 驅(qū)動芯片在 PSU電源系統(tǒng)中的應(yīng)用簡介


在通訊設(shè)備中,系統(tǒng)的供電來源是由前級的PSU供電單元提供的。常見的通信PSU輸出分為12V和48V,12V用于給板上數(shù)字部分供電,48V多用于給功放模塊供電。通信PSU常用拓撲架構(gòu)有推挽、半橋、全橋,不同的拓撲架構(gòu)通常根據(jù)不同的應(yīng)用場景以及供電需求決定。在通信電源的PA供電部分,IBB(inverting buck-boost)拓撲憑借其不需要隔離,小體積,低成本的優(yōu)勢越來越多的成為在48V PA供電場景的選擇。TI的雙通道隔離驅(qū)動器如 系列,其兩個通道的偏壓供電可以根據(jù)需求靈活配置,芯片內(nèi)部抗干擾能力強,可以廣泛應(yīng)用于驅(qū)動各類拓撲架構(gòu)中的MOS管。


1673090579790119.png

20.png

Figure 1. 通信電源PSU的常見應(yīng)用


2. 驅(qū)動芯片異常丟波問題


通常隔離驅(qū)動芯片用于驅(qū)動橋式拓撲中的上下橋臂,或在管。


21.png

Figure 2. IBB典型應(yīng)用拓撲


下面兩張圖分別是實際應(yīng)用中遇到的以及在EVM板上復(fù)現(xiàn)的發(fā)波異?,F(xiàn)象。其中CH1為輸入側(cè)的驅(qū)動波形,CH2為相應(yīng)通道的驅(qū)動輸出波形(VGS)??梢钥吹皆趦蓚€案例中驅(qū)動的輸出都出現(xiàn)了異常的輸入信號存在但輸出信號異常丟失的現(xiàn)象。該異常發(fā)波會導(dǎo)致PSU不正常工作,如果不及時斷開負載,還會造成MOS管的損壞。


22.png

Figure 3. 實際應(yīng)用中遇到的丟波現(xiàn)象


23.png

Figure 4. 在EVM板上通過特定條件復(fù)現(xiàn)的丟波現(xiàn)象


其中實際異常觸發(fā)條件:48V/1000W系統(tǒng),IBB拓撲,開關(guān)頻率250kHz,驅(qū)動器每個通道驅(qū)動5個并聯(lián)MOS管,柵極串阻2.2ohm。EVM板復(fù)現(xiàn)條件:14V/100A負載,通過反復(fù)接入斷開負載可以復(fù)現(xiàn)問題。


2.1 針對異常丟波問題的原理分析


通過對信號進行分析,以上兩種情景的一個共同條件是供電軌VDD都受到了不同程度的干擾,下圖是實際問題的展開波形,可以看到CH4為VDD,在問題發(fā)生時接受到了比較大的干擾信號。


24.png

Figure 5. 異常丟波問題的展開波形


基于下面典型的驅(qū)動框圖分析干擾的來源,如果在驅(qū)動的輸出端(OUT)有較大信號波動或是噪聲(該擾動可以是負載變化導(dǎo)致,也可能是開關(guān)引入的噪聲),通過芯片內(nèi)部上管的體二極管傳播至VDD引腳。由于擾動是通過內(nèi)部電路及寄生參數(shù)產(chǎn)生和傳遞,無法通過外部濾波電路濾除,所以即使調(diào)整外部濾波電容值,也沒法很好的改善該異常現(xiàn)象。VDD引腳上的干擾信號,進一步又會通過內(nèi)部供電LDO的體二極管擾亂內(nèi)部供電模塊輸出電壓,或是干擾內(nèi)部供電模塊的邏輯電路,最終使內(nèi)部電壓跌落至芯片的UVLO,將特定通道的輸出關(guān)斷。在內(nèi)部電壓迅速恢復(fù)至UVLO以上后,芯片會延時大約50us后,恢復(fù)OUT引腳的正常輸出。同理如果在VSS引腳上有大的干擾時,也會對內(nèi)部電路造成類似影響。


25.png

Figure 6. 典型驅(qū)動芯片輸出部分電路結(jié)構(gòu)


2.2 如何從系統(tǒng)設(shè)計上優(yōu)化異常丟波問題


要防止丟波問題的出現(xiàn),需要保證VDD信號的穩(wěn)定,減小電源噪聲并減小耦合噪聲的干擾,可從以下幾個方面進行:1. 增大RG或增加串聯(lián)磁珠;3.多管并聯(lián)系統(tǒng)中注意系統(tǒng)設(shè)計。


解決干擾問題一個簡單有效的方式就是增大RG,柵極串聯(lián)電阻RG會影響柵極電路上的震蕩以及耦合到芯片內(nèi)部的干擾信號大小。下圖是常見應(yīng)用中的輸出部分的等效模型,輸入電容(圖中Cgd+Cgs)和源級電感Ls(圖中L4)之間會產(chǎn)生較大的諧振,增加合適的RG則有利于抑制震蕩,同時使開關(guān)速度設(shè)定在合理的范圍,保證系統(tǒng)高效工作。


26.png

Figure 7. 驅(qū)動電路簡化等效模型


為了初步評估系統(tǒng)中存在的寄生電感Ls,我們在不接RG條件下測量震蕩波形。由LC諧振公式:27.png,通過觀察振鈴的震蕩頻率可以得到:1673090768631036.png。在選擇RG上令系統(tǒng)處于臨界阻尼到欠阻尼狀態(tài)即可:1673090750698997.png(另外需要再減去驅(qū)動和MOS管部分的電阻值)。實際測試過程中,可以從Q=1/2開始測試所選電阻值以及觀察MOS管的開關(guān)速度以及震蕩情況是否能夠滿足系統(tǒng)的設(shè)計需求,如果開關(guān)速度不夠可以適當減小RG或是選擇驅(qū)動電流能力更強的驅(qū)動器,如果震蕩情況影響系統(tǒng)性能,則適當增加RG。下面是在問題系統(tǒng)中,適當增加RG后的測試結(jié)果,可以看到RG增大后,問題得到顯著改善。


30.png

Figure 8. 實際應(yīng)用電路中柵極電阻設(shè)置為2ohm的問題波形


31.png

Figure 9. 實際應(yīng)用電路中柵極電阻增大為75ohm問題消失


對于實際應(yīng)用系統(tǒng),增大RG會帶來系統(tǒng)的損耗以及開關(guān)速度的變慢,往往對于特定設(shè)計系統(tǒng),RG期望的阻值會小于10ohm,因此該方案有很多限制。除了增大RG,另一個行之有效的方案是在柵極串入磁珠,相較于電阻的方案磁珠在低頻條件下阻值更低,在不影響驅(qū)動電流,不改變開關(guān)表現(xiàn)前提下又能夠很好的抑制高頻下的耦合噪聲。


32.png

33.png

Figure 10. (a) 磁珠阻抗與頻率的關(guān)系 (b) RG與磁珠在電路中的作用原理


在多管并聯(lián)的布板設(shè)計中,應(yīng)該盡可能保證每一個MOS管的柵極電阻都靠近各自的MOS管,而不是將各電阻集中并聯(lián),參考下圖所示。左圖所示布板方案可能會導(dǎo)致并聯(lián)MOS管線路之間發(fā)生均流震蕩,進而導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。


1673090423123248.png

Figure 11. (a) 發(fā)生丟波問題的電路設(shè)計 (b) 優(yōu)化后正常發(fā)波的電路設(shè)計


3. 驅(qū)動芯片輸出引腳誤脈沖現(xiàn)象


驅(qū)動芯片在應(yīng)用過程中另一個常見的問題是,在沒有輸入信號的情況下,對應(yīng)的輸出通道出現(xiàn)異常脈沖的現(xiàn)象。該誤脈沖可能會超過MOS管的開通閾值,造成不期望的MOS管誤開通以及很嚴重的系統(tǒng)直通情況。下圖是實際應(yīng)用中遇到的誤脈沖現(xiàn)象,CH2是驅(qū)動芯片LO,CH1是HO,起機過程中,輸入信號控制LO進行開關(guān)動作,而在HO對應(yīng)輸入為低電平。理論上HO應(yīng)該與輸入信號一致為低,但從實驗結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),在HO引腳看到了一定幅值的脈沖信號。


35.png

Figure 12. 起機過程中出現(xiàn)的誤脈沖現(xiàn)象


起機過程中的誤脈沖信號,會給PSU系統(tǒng)帶來可靠性風(fēng)險,嚴重情況下可能出現(xiàn)直通現(xiàn)象,損壞供電系統(tǒng)。


3.1 誤脈沖現(xiàn)象成因分析


下面為驅(qū)動芯片典型的內(nèi)部框圖,在VDD-VSS之間的電壓建立至內(nèi)部UVLO閾值之前,芯片內(nèi)部的Rclamp會起作用,將OUT下拉到地。在VDD-VSS之間電壓上升至UVLO閾值以上后,芯片的輸出完全由輸出通道內(nèi)部的上下管開關(guān)來決定:輸入信號為高時輸出上拉至VDD,輸入信號為低時輸出下拉到地,以此保證輸出邏輯正確。通常誤脈沖現(xiàn)象出現(xiàn)在VDD-VSS之間電壓建立至UVLO之前。


36.png

Figure 13. 驅(qū)動芯片內(nèi)部下拉電路典型框圖


在VDD-VSS低于UVLO期間,芯片內(nèi)部會產(chǎn)生相應(yīng)的驅(qū)動信號,來開通Rclamp電路(為MOS管結(jié)構(gòu),Rclamp實際為MOS管導(dǎo)通電阻)。該驅(qū)動信號的產(chǎn)生會在VDD-VSS建立電壓后,經(jīng)過一定延時(大約幾十微秒,隨芯片不同而不同)產(chǎn)生,同時信號的產(chǎn)生到下拉電路的完全開通是需要一定的時間的,這兩個因素導(dǎo)致了,當VDD-VSS之間電壓上升過快時,內(nèi)部驅(qū)動信號來不及將下拉電路打開,從而在起機期間芯片無法很好的實現(xiàn)下拉功能。這種情況下當輸出引腳有耦合噪聲的存在時,我們會在柵極路徑上看到誤脈沖。


3.2 誤脈沖的預(yù)防與解決方案


因為誤脈沖問題是由于內(nèi)部下拉電路反應(yīng)時間的差異化所導(dǎo)致,優(yōu)化思路可以是將VDD-VSS建立過程放緩,或是在系統(tǒng)設(shè)計時注意給VDD-VSS提供一個預(yù)充電壓,一個可靠的方案則是在電路中增加下拉電路,確保MOS管不會因為干擾誤觸發(fā)。


3.2.1 調(diào)整BOOT電壓建立速度


VDD-VSS的電壓建立過程是通過RBOOT,二極管,以及下管的導(dǎo)通狀態(tài)給CBOOT電容充電來實現(xiàn)的。針對RBOOT和CBOOT進行數(shù)值調(diào)整,可以將電容充電到穩(wěn)定的時間進行延長或縮短。下圖分別展示了不同的RC配置下的VDD-VSS電壓建立過程。


37.png

Figure 14. RBOOT=0hom CBOOT=10uF 設(shè)置下的起機BOOT波形


38.png

Figure 15. RBOOT=5hom CBOOT=10uF 設(shè)置下的起機BOOT波形


CH1為VDD-VSS電壓建立波形,CH4為充電電流波形??梢钥吹?,適當?shù)腞C取值,不僅能夠減小VDD-VSS間的電流尖峰,還有助于將電壓建立的斜率變緩,使內(nèi)部下拉信號有充足的時間來響應(yīng)。


由于市面上驅(qū)動芯片設(shè)計和針對應(yīng)用場景不同,有的二極管集成在芯片內(nèi)部,所以需要使用者在具體應(yīng)用過程中,根據(jù)需要和所用芯片來調(diào)整RC取值,下面是一些RC選擇上的建議:


●   電阻取值一般選擇在1~20ohm,且需要滿足1673090349948485.png,其中Ipeak為所選擇二極管的最大電流,V(diode)為二極管上的壓降。

●   有時二極管部分集成在驅(qū)動芯片內(nèi)部,此時可以根據(jù)具體情況調(diào)節(jié)CBOOT,CBOOT需要能夠保證VDD-VSS上的電壓能夠在UVLO之上:


-因此要求BOOT電容上能承受最大電壓為:1673090299506767.png


-開關(guān)周期內(nèi)需要提供的電荷量:1673090286207906.png


-可以計算出BOOT電容的最小值為:1673090260478177.png


其中:


VDD為驅(qū)動供電電壓;


V(diode)為二極管正向?qū)▔航担?/p>


VHBL為VDD-VSS下降沿UVLO,即考慮回差后的UVLO值;


QG是驅(qū)動MOS管的Q值之合;


IHBS是VDD-VSS間漏電流;


IHB是VDD靜態(tài)電流


需要注意的是二極管的反向恢復(fù)應(yīng)力,如上述實驗中的RC組合中開關(guān)頻率約為100kHz,占空比為40%,下管的導(dǎo)通時間大約為6us,則需注意的是在6us下管關(guān)閉時,二極管上的反向恢復(fù)應(yīng)力能夠滿足芯片或是選擇二極管的指標要求,具體可以參考各芯片數(shù)據(jù)手冊或者向供應(yīng)商咨詢。


3.2.2 為VDD-VSS建立預(yù)充電壓


另一個解決誤脈沖問題的方案是給VDD-VSS提供一個預(yù)充電壓,這樣能讓內(nèi)部下拉電路的觸發(fā)信號能夠提前響應(yīng)。一個簡便的方式是在上下管VSS之間直接入預(yù)充電阻,這樣在上電后,VDD會通過RBOOT,二極管,預(yù)充電阻來給CBOOT進行充電,在下管發(fā)波之前,就能讓內(nèi)部下拉電路提前響應(yīng),確保VDSS-VSS超過UVLO之前,上管不會出現(xiàn)誤脈沖問題。


43.png

Figure 16. 為設(shè)計增加預(yù)充電壓回路


在加入預(yù)充電阻后,系統(tǒng)起機過程中的測試波形如下所示,通道之間不再有干擾導(dǎo)致的誤脈沖。需要考慮的是系統(tǒng)上電到發(fā)波之間的預(yù)留時間treserve決定了Rpre-charge以及CBOOT的取值。具體參考公式:


44.png

45.png

Figure 17. 加入VBOOT預(yù)建立電路后的發(fā)波波形


3.2.3 為柵極增加外部下拉電路


如果系統(tǒng)設(shè)計允許,一個保險的方式是在電路中加入下拉電路(下圖中BJT管Q4),當柵極電壓受到干擾出現(xiàn)較大波動時,BJT電路會接通,將柵極強行下拉到地防止MOS管的誤開通。


46.png

Figure 18. 外部增加?xùn)艠O下拉電路


下圖為加入外部下路電路后的柵極電壓仿真波形。虛線代表之前系統(tǒng)可能存在的柵極干擾,實線代表加入下拉電路后柵極電壓波形,可以發(fā)現(xiàn)下拉電路將柵極干擾電壓幅值以及電壓回落所需時間都大大縮小,防止了可能出現(xiàn)的MOS管誤觸發(fā)風(fēng)險。


47.png

Figure 19. 下拉電路對柵極電壓擾動改善的仿真結(jié)果


4. 總結(jié)


文章總結(jié)了在使用驅(qū)動器過程中常見的兩種應(yīng)用問題:異常丟波問題與輸出通道誤脈沖問題,針對丟波問題,文章給出了柵極電阻設(shè)計與布板建議;針對輸出通道誤脈沖問題,本文提出了調(diào)整BOOT電壓建立時間、建立預(yù)充電壓、添加外部下拉電路等方案,并給出了優(yōu)化后的測試結(jié)果。當然在驅(qū)動器的應(yīng)用中,還有其他常見問題如誤發(fā)波或是輸出信號受到干擾等一些特殊情況,由于更多的和芯片的設(shè)計或是抗擾能力相關(guān),這里就沒有歸納總結(jié)。在選擇驅(qū)動芯片時,使用者應(yīng)該更多關(guān)注除了基本的指標參數(shù)之外應(yīng)用層面的設(shè)計注意事項。TI的驅(qū)動芯片在上述問題中的表現(xiàn)處于業(yè)界先進地位,優(yōu)秀的芯片設(shè)計以及可靠性,能夠大大降低在應(yīng)用中的風(fēng)險以及設(shè)計難度。


5. 參考文獻


1. UCC27282 datasheet (ZHCSJ21B)

2. UCC21225A datasheet (SLUSCV6A)

3. The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits (SLUAAI2)


來源:TI

作者:Dane Zhang



免責聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進行處理。


推薦閱讀:


BQ25798+TPS25221鋰電池和超級電容充電方案

基于MPY634的有效值電路設(shè)計

如何在下一代智能手機的設(shè)計中節(jié)約空間?本文提供一個思路

RS-485自動收發(fā)應(yīng)用異常怎么辦?

如何解決汽車大功率集成磁元件的散熱難題?

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉