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SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討

發(fā)布時(shí)間:2022-06-15 來(lái)源:富昌電子 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,更是不容小覷。


富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域,富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn),落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考,并期待與您進(jìn)一步的交流。


作為系列文章的第一部分,本文將先就SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓做一定的分析及探討。


常見(jiàn)的Vgs與Vgs(th),以及對(duì)SiC MOSFET應(yīng)用的影響


驅(qū)動(dòng)電壓Vgs和柵極電壓閾值Vgs(th)關(guān)系到SiC MOSFET在應(yīng)用過(guò)程中的可靠性,功率損耗(導(dǎo)通電阻),以及驅(qū)動(dòng)電路的兼容性等。這是SiC MOSFET非常關(guān)鍵的參數(shù),在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要重點(diǎn)考慮。在不同的設(shè)計(jì)中,設(shè)置不同的驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)有更高的性價(jià)比。下圖1 列出幾個(gè)常見(jiàn)廠家部分SiC MOSFET的Vgs與Vgs(th)值作對(duì)比。


31.jpg


SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓設(shè)置探討


1.驅(qū)動(dòng)電壓高電平Vgs_on是選擇+12V、+15V、+18V還是+20V?


如圖1所示,SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電壓正向最大值在22V~25V左右,推薦的工作電壓主要有+20V,+18V兩種規(guī)格,具體應(yīng)用需要參考不同SiC MOSFET型號(hào)的DATASHEET。由下圖2所示,Vgs超過(guò)15V時(shí),無(wú)論是導(dǎo)通內(nèi)阻還是導(dǎo)通電流逐漸趨于平緩 (各家SiC MOSFET的DATASHEET給出的參考標(biāo)準(zhǔn)不同,有的是Rds(on)與Vgs的曲線,有的是Id與Vgs的曲線)。當(dāng)然驅(qū)動(dòng)電壓Vgs越高,對(duì)應(yīng)的Rds(on)會(huì)越小,損耗也就越小。


富昌設(shè)計(jì)小建議:Vgs設(shè)定Vgs時(shí)不能超過(guò)DATASHEET給定的最大值,否則可能會(huì)造成SiC MOSFET永久損壞。


(1)對(duì)于推薦使用+18V或+20V 高電平驅(qū)動(dòng)電壓的SiC MOSFET


由圖1所示,因?yàn)樾乱淮鶶iC MOS工藝的提升,部分SiC MOSFET推薦高電平驅(qū)動(dòng)電壓為+18V。由下圖2所示,工藝的提升,使得Vgs從+18V到+20V的Rds(on)變化不大,導(dǎo)通損耗差別不明顯。


富昌設(shè)計(jì)小建議:最新一代SiC MOSFET建議使用+18V驅(qū)動(dòng)電壓。對(duì)降低驅(qū)動(dòng)損耗以及減少Vgs過(guò)沖損壞更加有益。


(2)對(duì)于+15V 高電平可否驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET


在正常情況下,DATASHEET上沒(méi)有推薦,不建議使用。但是考慮到與15V驅(qū)動(dòng)的Si IGBT 兼容,需要經(jīng)過(guò)計(jì)算導(dǎo)通損耗的增加,設(shè)計(jì)有足夠的散熱條件以及考慮到設(shè)備整體損耗時(shí),也可以使用。如下圖2所示為Vgs與Rds(on)的關(guān)系,可知門(mén)極電壓越高,Rds(on)越小,如果在+15V下工作Rds(on)會(huì)比標(biāo)稱值大。


富昌設(shè)計(jì)小建議:Vgs設(shè)置為+15V時(shí),SiC MOSFET損耗會(huì)比標(biāo)稱值大。


(3)對(duì)于+12V 高電平可否驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET


工作原理與+15V驅(qū)動(dòng)電壓同理,但是應(yīng)用會(huì)更少,一般不推薦使用。但是一些特殊應(yīng)用場(chǎng)景,例如在小功率高壓輔助電源應(yīng)用,可能需要兼容目前市面上的Si MOSFET控制IC,又需要使用1700V的SiC MOSFET,客戶在綜合考量后,如果接受Rds(on)稍高的情況下,是可以使用的。


富昌設(shè)計(jì)小建議:Vgs設(shè)置為+12V時(shí),SIC MOSFET損耗會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)標(biāo)稱值,計(jì)算損耗時(shí)應(yīng)參考Vgs=+12V時(shí)的Rdson。


32.jpg


2.驅(qū)動(dòng)電壓低電平Vgs_off是選擇0V、-3V還是-5V?


驅(qū)動(dòng)電壓低電平的選擇要比高電平復(fù)雜的多,需要考慮到誤開(kāi)通。誤開(kāi)通是由高    速變化的dv/dt,通過(guò)米勒電容Cgd耦合到門(mén)極產(chǎn)生門(mén)極電壓變化,導(dǎo)致關(guān)斷時(shí)ΔVgs超過(guò)閾值電壓而造成的。因此誤開(kāi)通不僅和閾值電壓Vgs(th)有關(guān),還與dv/dt產(chǎn)生的電壓變化有關(guān)。


(1)對(duì)于-3V或-5V關(guān)斷電壓如何選擇


首先參考SiC MOSFET的DATASHEET上推薦的關(guān)斷電壓。再考慮門(mén)極電壓閾值裕度為


ΔVgs_th=Vgs(th)-Vgs_off, 當(dāng)dv/dt趨于無(wú)窮大時(shí),dv/dt產(chǎn)生的門(mén)極電壓變化為:

ΔVgs=Vbus*Crss/Ciss。可知,當(dāng)門(mén)極電壓閾值裕度ΔVgs_th越大于dv/dt造成的門(mén)極電壓變化ΔVgs時(shí),器件Vgs_off安全裕度越大,誤開(kāi)通風(fēng)險(xiǎn)越小。但是Vgs_off越小,引起Vgs(th)漂移越大,導(dǎo)致導(dǎo)通損耗增加。


富昌設(shè)計(jì)小建議:綜合考量計(jì)算ΔVgs_th 后,在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中實(shí)測(cè)ΔVgs,可以進(jìn)一步提升實(shí)際應(yīng)用的穩(wěn)定性和性能。


(2)對(duì)于0V關(guān)斷電壓探討


雖然驅(qū)動(dòng)電壓Vgs為0V時(shí)已經(jīng)可以關(guān)斷SiC MOSFET,但是由于dv/dt引起的ΔVgs,可能會(huì)導(dǎo)致SiC MOSFET誤導(dǎo)通,導(dǎo)致設(shè)備損壞,故而不推薦使用。當(dāng)然如果是設(shè)計(jì)的dv/dt非常小,Crss/Ciss比值足夠大,并且充分考慮到ΔVgs對(duì)SiC MOSFET誤導(dǎo)通的影響下,客戶可以根據(jù)自己的設(shè)計(jì)而定。


富昌設(shè)計(jì)小建議:重點(diǎn)考慮dv/dt造成的ΔVgs以及環(huán)路等效電感,對(duì)誤導(dǎo)通的影響,在設(shè)置Vgs_off=0V時(shí),才能讓系統(tǒng)更加穩(wěn)定。


Vgs(th)漂移帶來(lái)的影響,以及影響Vgs(th)的因素


由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性的關(guān)系,評(píng)估其對(duì)應(yīng)用、系統(tǒng)的影響,需要更多的研究及探索。


(1)Vth漂移對(duì)應(yīng)用的影響


長(zhǎng)期來(lái)看,對(duì)于給定的Vgs, 閾值漂移的主要影響在于會(huì)增加Rds(on)。通常來(lái)說(shuō),增加 Rds(on)會(huì)增加導(dǎo)通損耗,進(jìn)而增加結(jié)溫。在計(jì)算功率循環(huán)時(shí),需要把這個(gè)增加的結(jié)溫也考慮進(jìn)去。


富昌設(shè)計(jì)小建議:如果開(kāi)關(guān)損耗占比總損耗較高時(shí),可以忽略Vgs(th) 漂移導(dǎo)致的開(kāi)通損耗。


(2)Vth漂移對(duì)器件的基本功能不會(huì)被影響,主要有:


●    耐壓能力不會(huì)受影響;

●    器件的可靠性等級(jí),如抗宇宙射線能力,抵抗?jié)駳獾哪芰Φ炔粫?huì)受影響;

●    Vth漂移會(huì)對(duì)總的損耗有輕微影響;


(3)影響Vth漂移的參數(shù)主要包括:


●    開(kāi)關(guān)次數(shù),包括開(kāi)關(guān)頻率與操作時(shí)間;

●    驅(qū)動(dòng)電壓,主要是Vgs_off;


(4)以下參數(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)操作引起的Vth漂移沒(méi)有影響:


●    結(jié)溫;

●    漏源電壓,漏極電流;

●    dv/dt, di/dt;


總結(jié)


本文主要針對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓Vgs和柵極電壓閾值Vgs(th)本身對(duì)SiC MOSFET在使用過(guò)程中的影響做出討論。


在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中,設(shè)置的Vgs電壓是對(duì)設(shè)備的可靠性,功率損耗以及驅(qū)動(dòng)電路的兼容性等因素的綜合考慮。理論計(jì)算只是設(shè)計(jì)參考的一部分,也可以考慮實(shí)際測(cè)量獲得真實(shí)的數(shù)據(jù)來(lái)修正設(shè)計(jì)參數(shù)。實(shí)際測(cè)量得到的ΔVgs,對(duì)設(shè)置Vgs_off會(huì)更有參考價(jià)值,并且會(huì)使得SiC MOSFET應(yīng)用設(shè)計(jì)更加穩(wěn)定且充分利用其性能。同時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓Vgs的設(shè)置還會(huì)受到驅(qū)動(dòng)電阻Ron與Roff、驅(qū)動(dòng)電流以及驅(qū)動(dòng)回路等影響,此處不做展開(kāi)探討,富昌電子將在后續(xù)連載文章中逐步剖析,敬請(qǐng)期待。



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