你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

如何控制原邊振鈴

發(fā)布時(shí)間:2022-02-07 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】反激電源是最常用的拓?fù)渲?。其變壓器漏感常?huì)引起原邊振鈴,并導(dǎo)致會(huì)損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此,通過(guò)變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計(jì)來(lái)控制振鈴非常重要。針對(duì)如何降低漏感,MPS 引入了一種 RCD 鉗位電路設(shè)計(jì)策略,下面我們將對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)地描述。

 

RCD 鉗位電路設(shè)計(jì)

 

在反激電路中,一旦 MOSFET 管關(guān)斷,變壓器就會(huì)將原邊的能量傳輸?shù)礁边?,但漏感能量卻無(wú)法被轉(zhuǎn)移,這會(huì)導(dǎo)致電路中的雜散電容產(chǎn)生振鈴。漏感是產(chǎn)生振鈴的根本原因,它占總電感量的 1% 至 5%,但卻無(wú)法完全消除。不過(guò),我們可以通過(guò)特殊的繞線方法來(lái)降低漏感。

 

圖 1 顯示的三明治繞線法(夾心繞線法)是降低漏感的一種傳統(tǒng)方法。與制作三明治的過(guò)程類(lèi)似,原邊繞組(NP)被一分為二,然后將副邊繞組(NS)依次纏繞在一半的NP、輔助繞組和剩下的一半NP上。


1643372725200038.jpg

圖 1:降低漏感的夾心繞線法


圖2顯示了MOSFET關(guān)斷后的逆變電路,此時(shí)MOSFET兩端的電壓由三部分組成:最大輸入電壓(VINMAX)、副邊折射電壓(VOR = n x VO)和振鈴產(chǎn)生的峰值電壓(VSPIKE)。 在輸入輸出電壓、匝數(shù)比(n)和MOSFET選定的情況下,應(yīng)盡可能抑制VSPIKE,以確保MOSFET工作在應(yīng)力范圍之內(nèi)。工程師通常會(huì)選擇 RCD 鉗位電路來(lái)抑制振鈴,因?yàn)樗O(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、成本低廉并且能夠有效抑制電壓尖峰。

 

1643372708140125.png

圖 2:抑制峰值電壓以確保 MOS 工作在應(yīng)力范圍之內(nèi)


正確選擇 RCD 鉗位電路至關(guān)重要,因?yàn)椴焕硐氲碾娮韬碗娙葜禃?huì)增加 MOSFET 的應(yīng)力或電路功耗。 圖 3 顯示出,當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí),能量存儲(chǔ)在勵(lì)磁電感 (LM) 和漏電感 (LS) 中;當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時(shí),LM 中的能量被轉(zhuǎn)移到副邊,但漏感能量不會(huì)轉(zhuǎn)移。漏感會(huì)被釋放以導(dǎo)通D1,并為 C1充電。一旦充電電壓達(dá)到 VCLAMP,則D1 關(guān)斷,C1 通過(guò)R1放電。

 

1643372691738611.png

圖 3:MOSFET 導(dǎo)通/關(guān)斷時(shí)的能量傳輸


選擇R1 時(shí),需要考慮電阻功率 1/3的降額。根據(jù)能量守恒原理,R1 可由公式(1)計(jì)算得出:

 

1643372660720505.png


鉗位電容 (C1) 應(yīng)足夠大,以便在吸收漏感能量的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低脈動(dòng)電壓。脈動(dòng)電壓通常取鉗位電壓的 5% 至10% 。要確定 C1的最小值,需要考慮其寄生 R 和 L 較小。最小C1可以通過(guò)公式 (2) 來(lái)計(jì)算:


1643372628986442.png

 

MPS解決方案

 

MPS 提供了優(yōu)秀的電源解決方案以優(yōu)化原邊調(diào)節(jié) (PSR)。MPX2002 是一款一體化反激控制器,它具有集成的原邊驅(qū)動(dòng)電路、副邊控制器、同步整流驅(qū)動(dòng)器以及安全合規(guī)反饋。其同步整流器 (SR)可以匹配原邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)信號(hào),從而實(shí)現(xiàn)連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 下的安全運(yùn)行。MPX2002 無(wú)需輔助繞組來(lái)驅(qū)動(dòng)下管 SR MOSFET,即使在輸出不足的情況下也是如此。這種方案改進(jìn)了圖 1 中的傳統(tǒng)三明治繞線法。

 

MP8017是一款兼容IEEE 802.3af 標(biāo)準(zhǔn)的以太網(wǎng)供電 (PoE) 受電設(shè)備 (PD)。它專為反激拓?fù)渲械挠性淬Q位原邊調(diào)節(jié)(PSR)而設(shè)計(jì);也可以通過(guò)在副邊放置一個(gè)光耦合器,針對(duì)有源鉗位反激拓?fù)湓O(shè)置為副邊調(diào)節(jié) (SSR)。

 

結(jié)論

 

RCD電路設(shè)計(jì)可以作為一種簡(jiǎn)單有效的抑制方法來(lái)控制反激原邊振鈴。通過(guò)審慎選擇電阻和電容,鉗位電路可以更好地吸收漏感能量。另外,RCD鉗位電路不消耗主勵(lì)磁電感能量,而且可以降低峰值電壓和功率器件的開(kāi)關(guān)應(yīng)力。


來(lái)源:MPS



免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:


開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中的頻率選擇(上)

4通道QFN封裝射頻GaAs 多功能MMIC

MOSFET開(kāi)關(guān):電源變換器基礎(chǔ)知識(shí)及應(yīng)用

面向電源電路的MLCC解決方案

電源轉(zhuǎn)換模塊的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉