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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第2部分—安全工作區(qū) (SOA) 圖

發(fā)布時(shí)間:2020-04-02 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營(yíng)銷工程師,在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容中,除了電流額定值之外,我被問到的最多的問題可能就是安全工作區(qū) (SOA) 曲線了。這是一片需要某些技巧和手段才能完全了解的地帶,這是因?yàn)槊總€(gè)供應(yīng)商都有各自生成SOA曲線的方法,并且在提供有用信息方面,這個(gè)曲線所具有的價(jià)值與閱讀數(shù)據(jù)表的人對(duì)于讀到的信息的理解能力直接相關(guān)。雖然FET也許在熱插拔應(yīng)用中能夠發(fā)揮其最大價(jià)值(在這些應(yīng)用中,F(xiàn)ET特意地在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行),不過,我們看到越來越多的電機(jī)控制、甚至是電源用戶將這個(gè)圖用作總體穩(wěn)健耐用性,以及FET處理大量功率能力的指示器。
 
如圖1所示,可以用5個(gè)完全不同的限制條件來繪制整個(gè)SOA,每個(gè)限制條件規(guī)定了整個(gè)曲線的形狀,TI的100V D2PAK CSD19536KTT的SOA與產(chǎn)品數(shù)據(jù)表內(nèi)的曲線看起來一樣??梢杂靡阎腇ET參數(shù)來輕松繪制出其中四條曲線—RDS(on) 限值、電流限值、最大功率限值,以及BVDSS限值。只有散熱不穩(wěn)定性區(qū)域出現(xiàn)了一個(gè)問題。很明顯,這個(gè)部分的SOA曲線偏離了恒定功率線,這條線必須是電流與電壓雙對(duì)數(shù)坐標(biāo)內(nèi)斜率為-1的曲線,這個(gè)偏離表示會(huì)出現(xiàn)了熱失控,并且斜坡越陡,說明FET越有可能在更高的擊穿電壓時(shí)進(jìn)入這個(gè)散熱失控情況。當(dāng)FET供貨商試圖計(jì)算這個(gè)值時(shí),往往傾向于夸大這個(gè)區(qū)域內(nèi)的FET電流能力或者在這一點(diǎn)上有所保留,這是因?yàn)樵诓粚?duì)這條線進(jìn)行測(cè)量的情況下是根本無法知曉這條線的斜率的。
 
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第2部分—安全工作區(qū) (SOA) 圖
圖1:CSD19536KTT的數(shù)據(jù)表SOA
 
TI擁有市面上其中一款最強(qiáng)大的SOA測(cè)試器;這個(gè)測(cè)試器能夠在低至100µs的時(shí)間內(nèi),在脈沖持續(xù)時(shí)間內(nèi),讓數(shù)千瓦的功率流經(jīng)一個(gè)FET。為了產(chǎn)生數(shù)據(jù)表曲線,在一定的電壓范圍內(nèi),在每個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間內(nèi),F(xiàn)ET被一次又一次地推到斷線點(diǎn),從中獲得的數(shù)據(jù)如下面圖2中所示。每個(gè)點(diǎn)代表一個(gè)被強(qiáng)制出現(xiàn)故障的CSD19536KTT器件,根據(jù)這些數(shù)據(jù),就可以確定熱失控線的斜率和高度。
 
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第2部分—安全工作區(qū) (SOA) 圖
圖2: CSD19536KTT測(cè)得的故障點(diǎn)
 
作為我們SOA曲線可靠性的最終保證,根據(jù)我們看到的部件到部件偏差,我們?cè)谌我馕恢蒙蠈⒚恳粭l測(cè)得的熱失控線線的額定值降低30%-40%。這樣的話,當(dāng)你把我們FET的數(shù)據(jù)表與我們競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品進(jìn)行比較時(shí),需要注意的一點(diǎn)是,他們也許不像我們一樣守規(guī)矩。我們已經(jīng)認(rèn)識(shí)到某些供應(yīng)商的真面目。我們也看到其它一些供應(yīng)商發(fā)布了真實(shí)的故障點(diǎn),并且將其宣稱為一定能夠?qū)崿F(xiàn)的SOA。在這一方面沒有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),而事實(shí)是,在沒有基礎(chǔ)數(shù)據(jù)表明部件實(shí)際上在何處出現(xiàn)故障的情況下,單單從數(shù)據(jù)表SOA曲線上是無法知曉那個(gè)部件更加可靠。
 
 
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