【導(dǎo)讀】三菱電機今年繼續(xù)以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)中登場，向公眾展示其在功率半導(dǎo)體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。
今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越四大領(lǐng)域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品。
變頻家電市場
在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機這次在去年推介的SLIMDIP模塊的基礎(chǔ)上，開展出SLIMDIP-L和SLIMDIP-S兩款產(chǎn)品，SLIMDIP-L用于變頻洗衣機和變頻空調(diào)，而SLIMDIP-S用于變頻冰箱和變頻風機控制。
兩款SLIMDIP均采用RC-IGBT芯片，實現(xiàn)更高的集成度；封裝面積比超小型DIPIPMTM縮小達30%；內(nèi)置自舉二極管和限流電阻；最大運行殼溫提升至115℃；并集成短路保護和欠壓保護，同時提供溫度模擬量輸出版本和過溫保護版本供選擇。
SLIMDIP模塊
軌道牽引及電動汽車驅(qū)動市場
在PCIM 亞洲展2016上，三菱電機為軌道牽引和電力傳輸，以及電動汽車領(lǐng)域，帶來三款功率模塊，分別為X系列的單管及雙管HVIGBT模塊，適合牽引變流器及直流輸電應(yīng)用；而J1系列汽車用IGBT模塊則適用于電動汽車驅(qū)動器，及高可靠性逆變器。
首次亮相展會的X系列雙管HVIGBT模塊，采用CSTBTTM 結(jié)構(gòu)的第7代IGBT和RFC二極管，降低功率損耗；運用可降低內(nèi)部電感的封裝技術(shù)，優(yōu)化產(chǎn)品性能；使用兩種封裝(LV100/HV100)，實現(xiàn)兩種絕緣耐壓(6kV/10kV)，但兩者具有相同的外形尺寸。LV100封裝包括900A/1.7kV和450A/3.3kV；HV100封裝包括450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV；可提高系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計的靈活性，方便實現(xiàn)逆變器擴容。
至于X系列單管HVIGBT模塊，采用第7代IGBT和RFC Diode硅片技術(shù)，實現(xiàn)更低飽和壓降和開關(guān)損耗；使用LNFLR技術(shù)實現(xiàn)低熱阻； 允許最高運行結(jié)溫150℃；安全工作區(qū)(SOA)裕度大，續(xù)流恢復(fù)能力強； 封裝兼容傳統(tǒng)的H系列HVIGBT；標準產(chǎn)品包括1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV；此外，還有業(yè)界規(guī)格最大，針對電力傳輸應(yīng)用而開發(fā)的6500V/1000A單管HVIGBT。
X系列單管HVIGBT模塊
J1系列汽車用IGBT模塊是專為電動汽車驅(qū)動器，及高可靠性逆變器設(shè)計，采用Pin-fin底板的六合一汽車用IGBT模塊。它使用第7代IGBT硅片技術(shù)，損耗更低；高可靠性的DLB(直接主端子綁定)技術(shù)；及基于硅片的溫度和電流檢測技術(shù)。J1系列提供A、B兩種封裝。A型封裝(小封裝)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V；B型封裝(大封裝)有1000A/650V和600A/1200V，這兩種封裝可以滿足從小型電動汽車到大型電動公交車的應(yīng)用要求。
針對J1系列新型汽車模塊，三菱電機將提供包括驅(qū)動電路、冷卻水套及薄膜電容的整體解決方案技術(shù)支持，以方便客戶快速應(yīng)用該模塊實現(xiàn)汽車用逆變器的設(shè)計。
工業(yè)市場
針對工業(yè)應(yīng)用市場，三菱電機將展出第7代IGBT模塊、整流逆變制動一體化智能功率模塊DIPIPM+,G1系列智能功率模塊(IPM)。
第7代IGBT模塊，可以應(yīng)用在通用變頻器、伺服驅(qū)動器及不間斷電源。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片，降低損耗；具有650V、1200V和1700V三種電壓等級；涵蓋模塊電流75A至2500A；兼容現(xiàn)有市場主流產(chǎn)品封裝；提高產(chǎn)品熱循環(huán)壽命和功率循環(huán)壽命；采用預(yù)涂熱界面材料(PC-TIM)，與傳統(tǒng)硅脂相比，模塊與散熱器的接觸熱阻降低70%；NX封裝具有焊接方式和壓接方式兩種控制端子可供選擇。
整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+，適合通用變頻器、伺服驅(qū)動器和商用空調(diào)壓縮機驅(qū)動。它完整地集成整流橋、逆變橋、制動單元以及相應(yīng)的驅(qū)動保護電路， 采用第7代CSTBTTM硅片；內(nèi)置短路保護、欠壓保護功能以及溫度模擬量輸出功能；另內(nèi)置自舉二極管及自舉限流電阻； 提供額定電流覆蓋50A/600V和5~35A/1200V。采用該款模塊設(shè)計通用變頻器，可以最大程度地簡化PCB布線設(shè)計，縮小基板面積，是小功率變頻器低成本化的最佳解決方案。
整流逆變制動一體化模塊DIPIPM+
G1系列IPM，針對高端變頻器、伺服電機驅(qū)動器的應(yīng)用而設(shè)計。它采用了第7代 IGBT和FWDi芯片，實現(xiàn)更低損耗；使用更適合伺服驅(qū)動器的窄長形封裝；控制端子與現(xiàn)行L1 系列兼容，適用同樣的接口電路；針對不同的保護動作，輸出不同的故障識別信號；額定電流覆蓋25A~200A/1200V。
新能源發(fā)電市場
為滿足新能源發(fā)電特別是光伏發(fā)電的市場需求，三菱電機向客戶大力推介第7代IGBT模塊及大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。
針對大功率光伏逆變器及大功率不間斷電源，三菱電機推出大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊。它采用第6代和第7代IGBT硅片，實現(xiàn)低損耗；可以根據(jù)不同需要組建I型或者T型3電平拓撲；具備低雜散電感(1單元模塊8nH，兩單元模塊12nH)；高絕緣耐壓達4000Vrms/1分鐘；最大結(jié)溫可達175℃；最大電流等級達到1400A/1200V和1000A/1700V。
大功率三電平逆變器用單管IGBT模塊
三菱電機大中國區(qū)半導(dǎo)體總經(jīng)理四個所大亮先生稱：“三菱電機既如過往，一直秉持可持續(xù)發(fā)展信念，不斷研發(fā)高性能、高可靠性及低損耗的前沿功率器件，來滿足電力電子市場持續(xù)不斷的需要。”
