【導(dǎo)讀】本篇文章將以實(shí)例為基準(zhǔn)，分析一個(gè)設(shè)計(jì)方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
關(guān)于模塊電源，其超高的功率密度一直被設(shè)計(jì)者們稱道。但實(shí)現(xiàn)超高功率的同時(shí)，散熱性能差的缺點(diǎn)也暴露出來，設(shè)計(jì)者們雖然能夠?qū)σ恍┨囟ǖ脑O(shè)計(jì)進(jìn)行改進(jìn)，但卻不是每種設(shè)計(jì)都適合的。
本篇文章將以實(shí)例為基準(zhǔn)，分析一個(gè)設(shè)計(jì)方案中的模塊電源散熱問題。本文的中的模塊采用100W，Vin24VVout5V，采用單管正激電路，使用的是UC3843B芯片控制，沒有采用有源嵌位和同步整流，工作頻率為300KHZ。
運(yùn)行后發(fā)現(xiàn)其并不能長期實(shí)際工作在100W，長期工作會(huì)使MOSFET或者次級(jí)二極管被熱擊穿，那么應(yīng)該用怎樣的辦法讓它可以長期工作在100W以下？
目前試驗(yàn)了以下兩種方法：
1、增加MOSFET：使用多MOSFET并聯(lián)，并更改驅(qū)動(dòng)，3843B驅(qū)動(dòng)不了多MOSFET，但是效果并不好，不僅增加成本，還沒解決問題。而且多個(gè)MOSFET并不能同時(shí)導(dǎo)通，總會(huì)有先有后，所以總是會(huì)有一個(gè)MOSFET擊穿。
2、增加次級(jí)二極管，使用多個(gè)并聯(lián)，效果與方案1類似，也不理想。
下面咱們來說說解決方法，通常來說器件的散熱性能與絕緣材料的導(dǎo)熱性能、壓緊力、殼的導(dǎo)熱性能、面積、殼外部的風(fēng)流條件有關(guān)，可以從這幾點(diǎn)上下手改善。
或許也有人想到了同步整流技術(shù)，但即便使用了同步整流技術(shù)，效率也不可能在提高多少，該設(shè)計(jì)目前已經(jīng)達(dá)到了90%的效率，大多數(shù)達(dá)到89%。用同步整流效率不會(huì)更高多少了，那樣還是有很大的損耗，散熱還是問題。
或者可以從驅(qū)動(dòng)波形的角度出發(fā)，如果驅(qū)動(dòng)能力不夠，可是考慮加推挽驅(qū)動(dòng)電路。或者可以降低電源的頻率，來減小開關(guān)損耗。另外一點(diǎn)就是變壓器的漏感，如果漏感大，那么失去的功率也就不少，發(fā)熱量也就不會(huì)小。電源過熱，容易造成熱擊穿（不可恢復(fù)），100W還不加散熱器，散熱肯定是一大問題。
本篇文章從各個(gè)角度出發(fā)，對模塊電源的散熱問題進(jìn)行了全面的分析，通過實(shí)例的引入方便大家理解。希望大家能在本篇文章給出的分析當(dāng)中找到自己想要的答案。
