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高功率密度二次模塊的實現(xiàn)方法

發(fā)布時間:2013-03-19 責(zé)任編輯:hedyxing

【導(dǎo)讀】高功率密度二次電源模塊是目前發(fā)展最快的電源產(chǎn)品之一。對于DC/DC 低壓大電流輸出,副邊采用同步整流的有源箝位正激變換器雖有一定優(yōu)點(diǎn),但卻是一個使許多公司遭遇很大損失的美國專利。本文從現(xiàn)有高功率密度二次模塊實現(xiàn)的方法出發(fā),提供一些對此類產(chǎn)品的開發(fā)思路和產(chǎn)品優(yōu)化方案。
    
DC/DC二次電源是發(fā)展最為迅速的高頻開關(guān)電源。它主要為通信單板上的各種IC供電,其趨勢是低電壓,大電流,低厚度,高功率密度和高效率等等。產(chǎn)品有小功率非標(biāo)準(zhǔn)品和中大功率標(biāo)準(zhǔn)品兩類,后者是目前發(fā)展的方向,如全磚,半磚,1/4 磚和1/8 磚。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的功率密度愈來愈高,輸出電壓愈來愈低,輸出電流愈來愈大,產(chǎn)品工藝愈來愈難。
一個生產(chǎn)DC/DC 二次電源模塊的公司,必須具有快速的產(chǎn)品響應(yīng)能力,方能適應(yīng)通信客戶迅速增長的需求。前幾年,不少電源公司在開發(fā)DC/DC 標(biāo)準(zhǔn)磚類產(chǎn)品中,一般會選擇有源箝位正激電路作為主電路,用鋁基板作為主工藝,原因是有太多的文獻(xiàn)對

有源箝位正激電路作了正面介紹,這些文獻(xiàn)對有源箝位正激變換器的優(yōu)點(diǎn)描述如下:
(1)因輔助開關(guān)SA ,使變壓器的激磁能量得以回饋和利用;
(2)變壓器的充分去磁和I,III象限工作可減小變壓器的體積;
(3)無開關(guān)電壓尖峰,消除了吸收電路;
(4)可工作在大于0.5 的占空比范圍,從而可提高變壓器變比( Np : Ns ),減小原邊開關(guān)和變壓器的導(dǎo)電損耗;減小付邊二極管的反向電壓從而減小其導(dǎo)電損耗;減小濾波電感L 的大小等等;
(5)低壓大電流輸出時,副邊整流用的MOSFET 能方便同步地進(jìn)行自驅(qū)動。要將該電路做成一個好的產(chǎn)品,并不是一件容易的事情,原因是它的動態(tài)關(guān)系復(fù)雜,動態(tài)指標(biāo)難以優(yōu)化,尤其在大動態(tài)時,非常容易損壞輔管。與其類似的專利是互補(bǔ)驅(qū)動半橋電路,它也是一個美國專利,也有同樣的動態(tài)問題,而且在輕載時非常容易損壞管子。

現(xiàn)有高功率密度二次模塊產(chǎn)品方案的原理和優(yōu)點(diǎn)
    
標(biāo)準(zhǔn)DC/DC 二次電源(半磚,1/4 磚)模塊,采用了Buck 與DC/DC 變壓器相級聯(lián)的兩級電路方案,如圖(1)所示。初初一看,這個方案比單級方案(如有源箝位正激電路)的元器件數(shù)要多,不太合理。但通過分析,可以發(fā)現(xiàn):其功率器件的總數(shù)并沒有增加(因為在低壓大電流輸出的應(yīng)用場合,輸出同步整流MOSFET 即使在單級方案中也要多個并聯(lián)才能實現(xiàn)效率指標(biāo));磁芯和電容元件的總面積也沒有增加(因為可以用更小的磁芯和電容)。但由于兩級方案容易優(yōu)化和設(shè)計,故模塊的電氣性能得到了極大的改善,具體分析見下面的介紹。


這個方案的第一級是一個同步整流Buck 變換器,它將不穩(wěn)定的輸入電壓,調(diào)整到后級DC/DC 變壓器所合適的輸入電壓,通過反饋輸出和誤差放大等,去控制Buck 變換器的PWM占空比,從而穩(wěn)定輸出。DC/DC 變壓器的電路和工作波形如圖2 所示:




原邊兩個主管S1 和  S2 采用方波控制,各自的占空比為50%,且互補(bǔ)。有下列穩(wěn)態(tài)關(guān)系:
Vo=V1/N, 其中N=Np/Ns
又因為V1=dVin,所以兩級總的輸入輸出關(guān)系為:Vo=dVin/N。這個關(guān)系與正激電路是相同的。
從圖中可知,其副邊同步整流的驅(qū)動電壓為2Vo,是與負(fù)載和輸入電壓無關(guān)的常數(shù)。對這種方案進(jìn)行仔細(xì)分析后,可知其有如下優(yōu)點(diǎn):
(1)因輸入MOSFET 的最大耐壓為Vinmax,輸出MOSFET 的最大電壓為2Vomax,故所有功率器件全部可用SO-8 封裝;
(2)因DC/DC 變壓器由兩個鐵芯實現(xiàn),故大電流輸出時副邊PCB 連線的導(dǎo)電損耗可大大減少;
(3)由于電感放在原邊,故其設(shè)計更加容易,同時也減少了放在副邊時的導(dǎo)電損耗;
(4)副邊MOSFET 的自驅(qū)動很容易,且其驅(qū)動電壓固定;
(5)最大工作占空比的設(shè)計可由DC/DC 變壓器的變比決定,非常靈活;
(6)電路的動態(tài)性能優(yōu)越,環(huán)路容易設(shè)計和補(bǔ)償;
(7)可方便多層PCB 的布板,更易提高模塊的功率密度,等等。
     綜上所述 ,這種方案在那些寬輸入電壓范圍,高功率密度,低厚度,低電壓大電流輸出的應(yīng)用場合(如半磚,1/4 磚模塊)具有很多單級電路所沒有的優(yōu)點(diǎn),可以獲得更高的效率,更好的動態(tài),更高的功率密度和更高的可靠性。

現(xiàn)有高功率密度二次模塊產(chǎn)品方案的創(chuàng)新點(diǎn)
    
此方案實際上是非常簡單的兩級電路的級聯(lián)。它的創(chuàng)新點(diǎn)是敢于挑戰(zhàn)傳統(tǒng)單級電路的框框,從不同的角度考慮產(chǎn)品的實現(xiàn)。實際上,兩級PFC 與單級PFC 是極為類似的例子,在AC/DC 研究中,大家已逐漸認(rèn)識到:單級PFC 可能是一個誤區(qū),兩級才是AC/DC產(chǎn)品開發(fā)的最好選擇。在DC/DC 研究中,尤其是寬輸入范圍,低壓大電流輸出的那些場合,我認(rèn)為有同樣的問題存在,但是在此方案提出以前,大家都沒有往這個方面去想。所以這種想法是更實際的想法,是真正的創(chuàng)新。
作為一個電源產(chǎn)品的開發(fā),實際上是對一個多變量系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化與折衷的過程,所以創(chuàng)新就是一種更全面解決問題的方法。如果能用最簡單的電路實現(xiàn),那么便是最好的創(chuàng)新。此方案的創(chuàng)新點(diǎn)正在于此。他們的方案看起來非常簡單,以至于許多人都會忽略掉,但其變成產(chǎn)品后,且具有最好的性價比。

結(jié)論

    
本文從介紹現(xiàn)有高功率密度二次模塊模塊實現(xiàn)的新方法出發(fā),對思路,創(chuàng)新和產(chǎn)品的優(yōu)化作了比較。希望電源開發(fā)人員不要拘泥于傳統(tǒng)的觀點(diǎn)和思路,要從多個角度考慮問題。
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