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FDMB2307NZ:飛兆推出小尺寸高效率MOSFET用于便攜產(chǎn)品

發(fā)布時(shí)間:2011-12-15

產(chǎn)品特性:

  • 具有能夠大幅減小設(shè)計(jì)的外形尺寸
  • 具有高功率密度,提供高效率

應(yīng)用范圍:

  • 便攜產(chǎn)品


便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)人員通常在設(shè)計(jì)的每個(gè)階段都會(huì)面對(duì)減小空間和提高效率的挑戰(zhàn)。在超便攜應(yīng)用等使用單節(jié)鋰離子電池的產(chǎn)品中,這是一個(gè)特別重要的問(wèn)題。

為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)減小設(shè)計(jì)空間和提高效率的挑戰(zhàn),全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 開(kāi)發(fā)出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。該器件具有能夠大幅減小設(shè)計(jì)的外形尺寸,并提供了所需的高效率。

FDMB2307NZ專(zhuān)門(mén)針對(duì)鋰離子電池組保護(hù)電路和其它超便攜應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有N溝道共漏極MOSFET特性,能夠?qū)崿F(xiàn)電流的雙向流動(dòng)。

FDMB2307NZ采用先進(jìn)的PowerTrench工藝,具有高功率密度,并在VGS= 4.5V, ID = 8A條件下具有最大16.5mΩ的Rss(on),從而獲得更低的導(dǎo)通損耗、電壓降和功率損耗,并且相比競(jìng)爭(zhēng)解決方案,具有更高的總體設(shè)計(jì)效率。FDMB2307NZ還具有出色的熱性能,使得系統(tǒng)工作溫度更低,進(jìn)一步提高了效率。

新器件采用2x3mm2MicroFET封裝,為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)了現(xiàn)有最小的MLP解決方案之一,相比目前常見(jiàn)的解決方案減小40%,顯著節(jié)省了客戶(hù)設(shè)計(jì)的線路板空間。FDMB2307NZ滿(mǎn)足RoHS要求,而且具有大于2kV的HBM ESD防護(hù)功能。

飛兆半導(dǎo)體通過(guò)將先進(jìn)的電路技術(shù)集成在微型高級(jí)封裝中,為便攜產(chǎn)品用戶(hù)提供了重要的優(yōu)勢(shì),同時(shí)能夠減小設(shè)計(jì)的尺寸、成本和功率。飛兆半導(dǎo)體的便攜IP業(yè)已用于現(xiàn)今大部分手機(jī)中。

價(jià)格:訂購(gòu)1,000個(gè)FDMB2307NZ,每個(gè)0.46美元
供貨: 可按請(qǐng)求提供樣品
交貨期: 收到訂單后8至12周內(nèi) 

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