中心議題：

• IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
• IGBT驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)

解決方案：

• 觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度
• 柵極串連電阻Rg要恰當(dāng)
• 柵射電壓要適當(dāng)

多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來(lái)在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、快開(kāi)關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性。因此設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。

IGBT對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求
　　
（1）觸發(fā)脈沖要具有足夠快的上升和下降速度，即脈沖前后沿要陡峭；
　　
（2）柵極串連電阻Rg要恰當(dāng)。Rg過(guò)小，關(guān)斷時(shí)間過(guò)短，關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的集電極尖峰電壓過(guò)高；Rg過(guò)大，器件的開(kāi)關(guān)速度降低，開(kāi)關(guān)損耗增大；
　　
（3）柵射電壓要適當(dāng)。增大柵射正偏壓對(duì)減小開(kāi)通損耗和導(dǎo)通損耗有利，但也會(huì)使管子承受短路電流的時(shí)間變短，續(xù)流二極管反向恢復(fù)過(guò)電壓增大。因此，正偏壓要適當(dāng)，通常為+15V。為了保證在C-E間出現(xiàn)dv/dt噪聲時(shí)可靠關(guān)斷，關(guān)斷時(shí)必須在柵極施加負(fù)偏壓，以防止受到干擾時(shí)誤開(kāi)通和加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗，幅值一般為-（5～10）V；
　　
（4）當(dāng)IGBT處于負(fù)載短路或過(guò)流狀態(tài)時(shí)，能在IGBT允許時(shí)間內(nèi)通過(guò)逐漸降低柵壓自動(dòng)抑制故障電流，實(shí)現(xiàn)IGBT的軟關(guān)斷。驅(qū)動(dòng)電路的軟關(guān)斷過(guò)程不應(yīng)隨輸入信號(hào)的消失而受到影響。
　　
當(dāng)然驅(qū)動(dòng)電路還要注意像防止門(mén)極過(guò)壓等其他一些問(wèn)題。日本FUJI公司的EXB841芯片具有單電源、正負(fù)偏壓、過(guò)流檢測(cè)、保護(hù)、軟關(guān)斷等主要特性，是一種比較典型的驅(qū)動(dòng)電路。其功能比較完善，在國(guó)內(nèi)外得到了廣泛。
　　
驅(qū)動(dòng)芯片EXB841的控制原理
　　
圖1為EXB841的驅(qū)動(dòng)原理。其主要有三個(gè)工作過(guò)程：正常開(kāi)通過(guò)程、正常關(guān)斷過(guò)程和過(guò)流保護(hù)動(dòng)作過(guò)程。14和15兩腳間外加PWM控制信號(hào)，當(dāng)觸發(fā)脈沖信號(hào)施加于14和15引腳時(shí)，在GE兩端產(chǎn)生約16V的IGBT開(kāi)通電壓；當(dāng)觸發(fā)控制脈沖撤銷(xiāo)時(shí)，在GE兩端產(chǎn)生-5.1V的IGBT關(guān)斷電壓。過(guò)流保護(hù)動(dòng)作過(guò)程是根據(jù)IGBT的CE極間電壓Uce的大小判定是否過(guò)流而進(jìn)行保護(hù)的，Uce由二極管Vd7檢測(cè)。當(dāng)IGBT開(kāi)通時(shí)，若發(fā)生負(fù)載短路等發(fā)生大電流的故障，Uce會(huì)上升很多，使得Vd7截止，EXB841的6腳“懸空”，B點(diǎn)和C點(diǎn)電位開(kāi)始由約6V上升，當(dāng)上升至13V時(shí)，Vz1被擊穿，V3導(dǎo)通，C4通過(guò)R7和V3放電，E點(diǎn)的電壓逐漸下降，V6導(dǎo)通，從而使IGBT的GE間電壓Uce下降，實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷，完成EXB841對(duì)IGBT的保護(hù)。射極電位為-5.1V，由EXB841內(nèi)部的穩(wěn)壓二極管Vz2決定。


圖1EXB841的工作原理[page]
　
作為IGBT的專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)芯片，EXB841有著很多優(yōu)點(diǎn)，能夠滿(mǎn)足一般用戶(hù)的要求。但在大功率高壓高頻脈沖電源等具有較大電磁干擾的全橋逆變應(yīng)用中，其不足之處也顯而易見(jiàn)。
　　
（1）過(guò)流保護(hù)閾值過(guò)高。通常IGBT在通過(guò)額定電流時(shí)導(dǎo)通壓降Uce約為3.5V，而EXB841的過(guò)流識(shí)別值為7.5V左右，對(duì)應(yīng)電流為額定電流的2～3倍，此時(shí)IGBT已嚴(yán)重過(guò)流。
　　
（2）存在虛假過(guò)流。一般大功率IGBT的導(dǎo)通時(shí)間約為1µs左右。實(shí)際上，IGBT導(dǎo)通時(shí)尾部電壓下降是較慢的。實(shí)踐表明，當(dāng)工作電壓較高時(shí)，Uce下降至飽和導(dǎo)通時(shí)間約為4～5µs，而過(guò)流檢測(cè)的延遲時(shí)間約為2.7µs.因此，在IGBT開(kāi)通過(guò)程中易出現(xiàn)虛假過(guò)流。為了識(shí)別真假過(guò)流，5腳的過(guò)流故障輸出信號(hào)應(yīng)延遲5µs，以便保護(hù)電路對(duì)真正的過(guò)流進(jìn)行保護(hù)。
　　
（3）負(fù)偏壓不足。EXB841使用單一的20V電源產(chǎn)生+15V和-5V偏壓。在高電壓大電流條件下，開(kāi)關(guān)管通斷會(huì)產(chǎn)生干擾，使截止的IGBT誤導(dǎo)通。
　　
（4）過(guò)流保護(hù)無(wú)自鎖功能。在過(guò)流保護(hù)時(shí)，EXB841對(duì)IGBT進(jìn)行軟關(guān)斷，并在5腳輸出故障指示信號(hào)，但不能封鎖輸入的PWM控制信號(hào)。
　　
（5）無(wú)報(bào)警電路。在系統(tǒng)應(yīng)用中，IGBT發(fā)生故障時(shí)，不能顯示故障信息，不便于操作。
　　
針對(duì)以上不足，可以考慮采取一些有效的措施來(lái)解決這些問(wèn)題。以下結(jié)合實(shí)際設(shè)計(jì)應(yīng)用的具體電路加以說(shuō)明。

驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)
　　
本文基于EXB841設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路如圖2所示，包括外部負(fù)柵壓成型電路、過(guò)流檢測(cè)電路、虛假過(guò)流故障識(shí)別與驅(qū)動(dòng)信號(hào)鎖存電路，故障信息報(bào)警電路。
　　
⑴外部負(fù)柵壓成型電路
　　
針對(duì)負(fù)偏壓不足的問(wèn)題，設(shè)計(jì)了外部負(fù)柵壓成型電路。
　　
如圖2所示，用外接8V穩(wěn)壓管Vw1代替驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部的穩(wěn)壓管Vz2，在穩(wěn)壓管兩端并聯(lián)了兩個(gè)電容值分別為105µf和0.33µf的去耦濾波電容。為防止柵極驅(qū)動(dòng)電路出現(xiàn)高壓尖峰，在柵射極間并聯(lián)了反向串聯(lián)的16V（V02）和8V（V03）穩(wěn)壓二極管。為了改善控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減小IGBT集電極的電壓尖脈沖，需要在柵極串聯(lián)電阻Rg。柵極串連電阻Rg要恰當(dāng)，Rg過(guò)小，關(guān)斷時(shí)間過(guò)短，關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的集電極尖峰電壓過(guò)高；Rg過(guò)大，器件的開(kāi)關(guān)速度降低，開(kāi)關(guān)損耗增大。優(yōu)化電路采用了不對(duì)稱(chēng)的開(kāi)啟和關(guān)斷方法。在IGBT開(kāi)通時(shí)，EXB841的3腳提供+16V的電壓，電阻Rg2經(jīng)二極管Vd1和Rg1并聯(lián)使Rg值較小。關(guān)斷時(shí)，EXB841內(nèi)部的V5導(dǎo)通，3腳電平為0，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路在IGBT的E極提供-8V電壓，使二極管V01截止，Rg=Rg1具有較大值。并在柵射極間并聯(lián)大電阻，防止器件誤導(dǎo)通。