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SLD3237VF:索尼發(fā)布半導體激光二極管適用于藍光光盤

發(fā)布時間:2010-10-04 來源:技術(shù)在線

SLD3237VF的產(chǎn)品特性:                              左側(cè)為SLD3237VF右側(cè)為SLD3237VFR                                 

  • 脈沖輸出高達400mW
  • 工作溫度范圍為0~85℃
  • 功率高

SLD3237VF的應用范圍:

  • 支持大容量藍光光盤                                                           

索尼宣布上市了記錄及播放用藍光光盤的藍紫色半導體激光二極管新產(chǎn)品“SLD3237VF”。脈沖輸出高達400mW,還支持大容量藍光光盤的新規(guī)格“BDXL”。

索尼表示,此次的400mW級輸出功率藍紫色半導體激光二極管是業(yè)界首款產(chǎn)品。通過高功率化,確保了輸出余裕度,從而可擴大鏡頭和棱鏡等光學部件的選擇范圍。另外,通過擴大光學部件的選擇范圍,可提高硬件的設(shè)計自由度。

實現(xiàn)400mW級的高輸出功率,需要防止稱為災變性光學損傷(COD)的激光共振器端面因激光器的熱量而溶解,并為確保高可靠性而提高構(gòu)成材料GaN結(jié)晶的結(jié)晶品質(zhì)等高度的技術(shù)革新。此次的產(chǎn)品新開發(fā)出了端面涂層材料和制膜方法,比此前會導致COD發(fā)生的300mW級半導體激光器,成功提高了光輸出值。

另外,為了改進結(jié)晶質(zhì)量,新開發(fā)了對構(gòu)成材料——GaN類材料的生產(chǎn)作了優(yōu)化的MOCVD(有機金屬化學氣相成長)結(jié)晶成長裝置。該MOCVD裝置可一次對多張底板施以結(jié)晶成長,能夠應對今后藍光光盤用半導體激光二極管的需求增長。并且,還開發(fā)了繼結(jié)晶成長工序后的晶圓加工工序中可確保高生產(chǎn)效率的工藝及工藝裝置。

SLD3237VF裝在5.6mmφ的標準封裝中。工作溫度范圍為0~85℃。此外,還同時上市了封裝在薄型IT驅(qū)動用的3.8mmφ小徑封裝中的“SLD3237VFR”。該產(chǎn)品的脈沖輸出為350mW,工作溫度范圍為0~90℃。兩款產(chǎn)品的樣品價格均為1000日元。生產(chǎn)將在索尼的全資子公司索尼白石半導體進行。
 

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