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比利時(shí)IMEC將單晶硅太陽(yáng)能電池效率提高至7.5%

發(fā)布時(shí)間:2009-10-30 來(lái)源:SEMI半導(dǎo)體

新聞事件:
  • 比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC試制出了活性層厚度薄至10μm的單晶硅太陽(yáng)能電池

行業(yè)影響:
  • 新款電池減小了厚度、減少了硅用量
  • 向高效率太陽(yáng)能電池的開(kāi)發(fā)又邁進(jìn)了一步
  • 不會(huì)產(chǎn)生切削碎片、可大幅減少硅用量的

比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC宣布,試制出了活性層厚度薄至10μm的單晶硅太陽(yáng)能電池,而且獲得了7.5%的能源效率。新款電池減小了厚度、減少了硅用量,可以說(shuō)向高效率太陽(yáng)能電池的開(kāi)發(fā)又邁進(jìn)了一步。

IMEC之前就致力于使結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池實(shí)現(xiàn)薄膜化的課題。此前,單晶硅太陽(yáng)能電池的厚度等于或大于150μm,需要使用大量的硅。此次不僅減小了厚度,而且還通過(guò)結(jié)晶生長(zhǎng)法制成硅層,因此具有不會(huì)產(chǎn)生切削碎片、可大幅減少硅用量的優(yōu)點(diǎn)。

但是,如果只是減小厚度的話,目前已經(jīng)有僅厚1~2μm的非晶硅太陽(yáng)能電池等。不過(guò),非晶硅太陽(yáng)能電池效率在單結(jié)時(shí)的極限是6~8%。

此次的太陽(yáng)能電池的制作方法是:在通過(guò)后處理使部分玻璃實(shí)現(xiàn)結(jié)晶化的“玻璃陶瓷底板”(IMEC)上形成薄薄的結(jié)晶硅種層,然后在其上面使單晶硅的活性層進(jìn)行外延(Epitaxial)生長(zhǎng)。獲得的7.5%能源效率稍稍高于非晶硅太陽(yáng)能電池的效率,不過(guò)IMEC預(yù)計(jì)稍微調(diào)整電極結(jié)構(gòu)便可超過(guò) 9%。另外,“光反射和光密封等結(jié)構(gòu)尚未進(jìn)行任何改進(jìn)。如果加上此類改進(jìn),便有望通過(guò)活性層厚5μ~10μm的結(jié)晶硅太陽(yáng)能電池實(shí)現(xiàn)15%以上的效率” (IMEC)。

IMEC表示,“從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,我們希望開(kāi)發(fā)出無(wú)需外延生長(zhǎng)的方法,從而進(jìn)一步降低成本”。該機(jī)構(gòu)已經(jīng)嘗試采用對(duì)多孔硅進(jìn)行退火處理(燒結(jié))的方法,試制了太陽(yáng)能電池。實(shí)現(xiàn)了2.6%的效率。

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