產(chǎn)品特性：

• 采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝
• 10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω
• 可以在更低的結(jié)溫下工作
• 漏源電壓等級(jí)低于150V，因此能簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì)
• 通過(guò)了Rg和UIS測(cè)試

應(yīng)用范圍：

• 工業(yè)型電源、馬達(dá)控制電路
• 用于服務(wù)器和路由器的AC/DC電源
• 使用負(fù)載點(diǎn)(POL)功率轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)
• 更高電壓的中間總線(xiàn)轉(zhuǎn)換(IBC)設(shè)計(jì)中

日前，Vishay宣布推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω，比市場(chǎng)上可供比較的最接近器件減小了13%。

N溝道SiE876DF的目標(biāo)應(yīng)用是工業(yè)型電源、馬達(dá)控制電路、用于服務(wù)器和路由器的AC/DC電源，以及使用負(fù)載點(diǎn)(POL)功率轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)，還可以在更高電壓的中間總線(xiàn)轉(zhuǎn)換(IBC)設(shè)計(jì)中用做初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)或次級(jí)側(cè)整流。

在這些應(yīng)用中，低導(dǎo)通電阻的SiE876DF可以產(chǎn)生更低的傳導(dǎo)損耗，從而節(jié)約能源。除了TrenchFET硅技術(shù)對(duì)降低導(dǎo)通損耗的貢獻(xiàn)外，PolarPAK封裝的雙面冷卻還能為高電流應(yīng)用提供更好的熱性能，這樣器件可以在更低的結(jié)溫下工作。PolarPAK的引線(xiàn)框封裝設(shè)計(jì)還能提高保護(hù)性能和可靠性，此外，由于硅片不是暴露在外的，這種封裝還能簡(jiǎn)化制造過(guò)程。器件的布版和其他PolarPAK器件是相同的，漏源電壓等級(jí)低于150V，因此能簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì)。SiE876DF還百分之百通過(guò)了Rg和UIS測(cè)試。

60V的SiE876DF現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。