產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 同時(shí)提供了低邊和高邊MOSFET
• 導(dǎo)通電阻降至5mΩ
• 6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封裝
• 符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定

應(yīng)用范圍：

• 電源模塊
• 低電流DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 同步降壓轉(zhuǎn)換器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出在一個(gè)封裝內(nèi)集成一對(duì)不對(duì)稱功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。

SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封裝，在一個(gè)緊湊的器件內(nèi)同時(shí)提供了低邊和高邊MOSFET，同時(shí)保持了低導(dǎo)通電阻和高最大電流的特性，比使用兩個(gè)分立器件的方案節(jié)省了很多電路板空間。PowerPAIR的厚度為0.75 mm，比厚度為1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封裝薄了28%。

在PowerPAIR型封裝出現(xiàn)之前，工程師在設(shè)計(jì)用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器、游戲機(jī)的系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC轉(zhuǎn)換器和同步降壓轉(zhuǎn)換器，以及工業(yè)系統(tǒng)中的DC-DC轉(zhuǎn)換器時(shí)，只能使用兩個(gè)獨(dú)立的器件來(lái)達(dá)到降低導(dǎo)通電阻和提高電流的目的。

例如，常規(guī)雙MOSFET的PowerPAK 1212-8的導(dǎo)通電阻大約是30mΩ，最大電流不到10A，因此不是可行的方案。單MOSFET的PowerPAK 1212-8的導(dǎo)通電阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低邊溝道的MOSFET具有類似的導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為17.3A和13.9A。除此以外，高邊溝道的MOSFET在10V和4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為13.1A和10.5A。

這些指標(biāo)令設(shè)計(jì)者能夠用一個(gè)器件替代原先的兩個(gè)器件，節(jié)省成本和空間，包括兩個(gè)分立MOSFET間的空隙和標(biāo)識(shí)面積。在一些更低電流和更低電壓的應(yīng)用中，甚至可以用PowerPAIR器件替換兩個(gè)SO-8封裝的MOSFET，至少能夠節(jié)省三分之二的空間。

由于兩個(gè)MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接上了，電路板的布局會(huì)更加簡(jiǎn)單，PCB走線的寄生電感也減小了，提高了系統(tǒng)效率。此外，SiZ700DT在引腳排列上了優(yōu)化，這樣在一個(gè)典型的降壓轉(zhuǎn)換器上，輸入引腳被安排在一側(cè)，輸出引腳是在另外一側(cè)，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電路板布局。

器件符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定。

性能規(guī)格表：


SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。