產(chǎn)品特性：

• 器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm
• 經(jīng)過(guò)了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定
• 導(dǎo)通電阻分別為3.9m?、5.5m?和9.8m?

應(yīng)用范圍：

• 電源適配器開關(guān)
• 筆記本電腦、上網(wǎng)本
• 工業(yè)/通用系統(tǒng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET --- Si7615DN，其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK SO-8或SO-8型封裝占位面積的1/3，可大大節(jié)省電路板空間。

新款Si7615DN提供了超低的導(dǎo)通電阻，在10V、4.5V和2.5V條件下的導(dǎo)通電阻分別為3.9m?、5.5m?和9.8m?。第三代TrenchFET功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，使器件在執(zhí)行開關(guān)任務(wù)時(shí)比市場(chǎng)上已有的P通道功率MOSFET消耗的能量更少。

Si7615DN采用了與Vishay最近發(fā)布的第三代TrenchFET 20V P通道器件Si7137DP相同的PowerPAK SO-8封裝。為滿足各個(gè)應(yīng)用的特殊需求，第三代P通道TrenchFET封裝為設(shè)計(jì)工程師提供了多個(gè)選項(xiàng)，使工程師能夠在具有最大漏極電流和散熱功率的PowerPAK SO-8封裝(分別比SO-8封裝高60%和75%)，或是節(jié)省空間的PowerPAK 1212-8封裝之間進(jìn)行選擇。

直到最近，只有30V電壓的P通道功率MOSFET才具有這樣低的導(dǎo)通電阻范圍，因此Si7615DN的出現(xiàn)使設(shè)計(jì)工程師不再依賴于現(xiàn)有的高壓MOSFET。在競(jìng)爭(zhēng)的30V器件中，采用PowerPAK 1212-8封裝的器件在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的導(dǎo)通電阻分別為14.4mΩ和27mΩ。

Si7615DN可用做電源適配器開關(guān)，或用于筆記本電腦、上網(wǎng)本、工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源或電池電源之間切換)是始終導(dǎo)通的，并吸取電流。Si7615DN更低的導(dǎo)通電阻使其功耗更低，可節(jié)省電能并延長(zhǎng)電池壽命。

新款TrenchFET 功率MOSFET Si7615DN經(jīng)過(guò)了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定。現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為10周至12周。