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安森美半導(dǎo)體8 W數(shù)字至模擬(DTA)轉(zhuǎn)換盒電源參考設(shè)計

發(fā)布時間:2009-03-12 來源:安森美半導(dǎo)體

中心議題:
  • 數(shù)字至模擬(DTA)轉(zhuǎn)換盒交流-直流(AC-DC)電源要求
  • DTA需要遵守的能效規(guī)范
  • 安森美半導(dǎo)體DTA電源規(guī)范
  • 電路工作、變壓器設(shè)計、測試結(jié)果介紹

解決方案:
  • 本文介紹的參考設(shè)計采用通用交流輸入,提供5.0 V、3.3 V和1.8 V輸出,能效高于72%
  • 只要簡單改變3.3 V和1.8 V輸出上的檢測網(wǎng)絡(luò),也可以提供其它輸出電壓
  • 使用安森美半導(dǎo)體的NCP1308電流模式控制器及1個外部MOSFET,采用準(zhǔn)諧振(QR)反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計
  • 5 V輸出采用1個同步整流MOSFET
  • 2個較低電壓輸出轉(zhuǎn)換器采用工作在1 MHz頻率的NCP1595單片同步降壓穩(wěn)壓器來實現(xiàn)
  • 根據(jù)輸出電壓和電流組合及相應(yīng)系統(tǒng)總能效的不同,提供近6 W的有效功率輸出
  • 此設(shè)計除了具有輸入傳導(dǎo)EMI濾波器,還增加過流保護(hù)和過壓保護(hù)等典型保護(hù)功能

隨著技術(shù)的發(fā)展,世界各國紛紛加快向數(shù)字電視廣播的轉(zhuǎn)換過程。以美國為例,根據(jù)國會相關(guān)法案要求,2009年2月17日午夜美國所有全功率電視臺將停止模擬電視廣播,轉(zhuǎn)向100%的數(shù)字廣播。不過,美國新任總統(tǒng)奧巴馬已簽署決議,允許各電視臺將模擬信號關(guān)閉時間推遲到2009年6月20日。這之后,采用模擬NTSC調(diào)諧器的傳統(tǒng)陰極射線管(CRT)電視都將無法接收無線電視廣播信號。作為鼓勵措施,美國國家電信和信息管理局(NTIA)運作一個項目,提供優(yōu)惠券用于支付數(shù)字至模擬(DTA)轉(zhuǎn)換盒的費用。DTA轉(zhuǎn)換盒能夠接收數(shù)字電視廣播信號,并將其轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)清晰度的節(jié)目,使人們能夠通過采用模擬NTSC調(diào)諧器的傳統(tǒng)CRT電視進(jìn)行觀看(更多信息參見www.dtvtransition.org)。

DTA交流-直流(AC-DC)電源要求
DTA定義
美國環(huán)保署(EPA)“能源之星”項目制定了針對DTA的1.1版規(guī)范。該規(guī)范對DTA的定義是:獨立式設(shè)備,除了幫助消費者將數(shù)字電視業(yè)務(wù)中任何頻道的廣播轉(zhuǎn)換為消費者能夠顯示在設(shè)計用于接收和顯示模擬電視業(yè)務(wù)信號的電視接收機(jī)的功能外,不含其它任何特性或功能,但可以包含遙控器。

相應(yīng)地,這規(guī)范將DTA分為三種工作模式:
  • 工作模式:DTA動態(tài)提供其主要功能和某些或全部適用的次級功能的狀態(tài);
  • 關(guān)閉模式:能耗為零或可以忽略不計的狀態(tài)
  • 休眠模式:與關(guān)閉模式相比,這種狀態(tài)下設(shè)備的能耗較高,輸出功率能力更高,響應(yīng)速度更快;相反,與工作模式相比,能耗更低,輸出功率能力更低,響應(yīng)速度更慢
DTA需要遵守的能效規(guī)范
DTA除了要符合“能源之星”這1.1版的規(guī)范,還必須符合NTIA在其數(shù)字電視轉(zhuǎn)換盒優(yōu)惠券項目最終決策文件的技術(shù)附錄中的最低技術(shù)要求,見表1。“能源之星”設(shè)定的DTA在測試條件的輸入功率為在工作模式不超過8 W。這低功率要求為DTA的能效、明顯也就是電源的能效提出了嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。在如此低的個位數(shù)字功率范圍下,由于DTA的專用集成電路(ASIC)本質(zhì)上要求較低的電壓輸出(通常為5 V及5 V以下)以及電源內(nèi)部靜態(tài)電流占總能耗較大部分的緣故,實現(xiàn)70%的能效都較困難。
表1:DTA需要符合的能效規(guī)范(資料來源:“能源之星”及DTIA)


安森美半導(dǎo)體DTA電源規(guī)范
本文介紹的參考設(shè)計采用通用交流輸入,提供5.0 V、3.3 V和1.8 V輸出,能效高于72%。只要簡單改變3.3 V和1.8 V輸出上的檢測網(wǎng)絡(luò),也可以提供其它輸出電壓。如果需要“休眠模式”的話,該設(shè)計也提供抑制5 V輸出的選項。此電源的主轉(zhuǎn)換器使用安森美半導(dǎo)體的NCP1308電流模式控制器及1個外部MOSFET,采用準(zhǔn)諧振(QR)反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計。5 V輸出采用1個同步整流MOSFET,而2個較低電壓輸出轉(zhuǎn)換器采用工作在1 MHz頻率的NCP1595單片同步降壓穩(wěn)壓器來實現(xiàn)。5 V輸出還充當(dāng)2個降壓穩(wěn)壓器的直流源。這種特別的元件組合提供了一種簡單但有效的三輸出開關(guān)穩(wěn)壓器,根據(jù)輸出電壓和電流組合及相應(yīng)系統(tǒng)總能效的不同,提供近6 W的有效功率輸出。此設(shè)計除了具有輸入傳導(dǎo)EMI濾波器,還增加了過流保護(hù)(OCP)和過壓保護(hù)(OVP)等典型保護(hù)功能。
  • 輸入:90至265 Vac,50/60 Hz,兩線輸入(火線,中性線)
  • 輸入功率:最大8 W
  • 待機(jī)輸入功率(空載):低于200 mW
  • 輸入熔絲:1 A
  • 浪涌限制:約5 Ω
  • 輸入濾波:共模及差模導(dǎo)電EMI濾波器
  • 輸出:5 V @ 1 A;3.3 V @ 1 A;1.8 V @ 1 A;總輸出功率不超過約6 W
  • 穩(wěn)壓:所有輸出都優(yōu)于±3%
  • 輸出紋波(Vpk/pk):任何輸出上最大為30 mV
  • 能效:優(yōu)于72%;實際值取決于輸出電壓和電流組合
  • 保護(hù):過壓保護(hù),過流保護(hù)
  • 溫度范圍/冷卻方式:0至55℃;對流冷卻
  • 控制特性:休眠模式工作時抑制5 V輸出(可選)


圖1:安森美半導(dǎo)體8 W DTA電源電路示意圖。

電路工作
圖1所示的是參考設(shè)計的電源電路示意圖。該電源的工作原理是:在電源導(dǎo)通時,電阻R1和電磁干擾(EMI)濾波器電感L1的繞組阻抗限流大電容C3上的浪涌電流。這個電感與“X”型配置的電容C1和C2一起構(gòu)成差模EMI濾波器,而共模電感L1和電容C8構(gòu)成共模濾波器。交流輸入由二極管D1至D4全波整流,并在電容C2兩端產(chǎn)生1.4倍Vac的直流總線電平。

準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器是采用安森美半導(dǎo)體的NCP1308電流模式準(zhǔn)諧振控制器(U1)和1顆2 A、650 V的MOSFET(Q7)實現(xiàn)的。此控制器包含從過流到過壓條件的所有自保護(hù)內(nèi)部電路。雖然NCP1308具有安森美半導(dǎo)體的專利動態(tài)自供電(DSS)特性,但反激變壓器T1上的輔助繞組及D7、C5、C6和R3等相關(guān)元件仍為IC提供“充當(dāng)啟動電路(bootstrapped)”的Vcc電源。這啟動電路Vcc大幅降低U1在正常工作期間的功率耗散,并將電源的待機(jī)或空載能耗降至200 mW以下。電阻R3限制Vcc電壓,且提供一種簡單的設(shè)定OVP啟動電平(trip level)的方法,檢測光耦合器故障或環(huán)路開路故障。

由D5、C4、R20和R21組成的緩沖器網(wǎng)絡(luò)為外部MOSFET Q7提供電壓尖峰抑制功能。這電壓尖峰由變壓器T1的初級繞組的泄漏電感產(chǎn)生,如果不恰當(dāng)處理的話,可能會帶來破懷性后果。在諸如本參考設(shè)計這類的簡單、單端反激電路中,這樣的緩沖器網(wǎng)絡(luò)是必須的。需要說明的是,本參考設(shè)計為D5使用的是傳統(tǒng)的50/60 Hz PN二極管,并包含1個與之串聯(lián)的電阻(R20)。這種布排,再結(jié)合電容C4,不僅抑制MOSFET關(guān)閉時的電壓尖峰,還消除與變壓器T1泄漏電感和電容C4相關(guān)的諧振振鈴(resonant ringing)。

變壓器設(shè)計
反激變壓器T1的設(shè)計要求將泄漏電感和繞組電容等典型寄生參數(shù)減至最小。對于小型變壓器磁芯結(jié)構(gòu)而言,這就變得更加困難,因為磁芯的橫截面積隨著總體磁芯尺寸的減小而減小,這就需要更多的初級和次級匝數(shù)。對于小型磁芯而言,要在提供足夠匝數(shù)以限制磁通量密度小于三千高斯(< 3 kG)與增加泄漏電感之間取得平衡,就變得非常需要技巧。本參考設(shè)計中使用了EF-16磁芯,有可能使初級繞組僅2層,而Vcc繞組和5 V次級繞組各僅一層。測試顯示,由相應(yīng)泄漏電感產(chǎn)生的電壓尖峰的能量極低,而由D5、C4、R20和R21組成的緩沖器網(wǎng)絡(luò)足以抑制電壓尖峰,且對能效的影響極小。圖2顯示了詳細(xì)的變壓器設(shè)計。

T1的主要次級輸出5 V由MOSFET Q3以及由變壓器T2、電容C9、電阻R4至R7、MOSFET Q4至Q6、二極管D6等相關(guān)電路組成同步整流器實現(xiàn),用于最大限度提升能效。當(dāng)MOSFET Q7關(guān)閉時,小電流感測變壓器T2感測到對輸出電容C10充電的次級反激電流;而T2會在電阻R4兩端產(chǎn)生足夠的電壓,以導(dǎo)通由Q5和Q6組成的推挽驅(qū)動電路。該驅(qū)動電路依次導(dǎo)通MOSFET Q3的門極,而使Q3充當(dāng)極低正向壓降的整流器,用于5 V輸出。沒有次級電流流過時,Q3處于關(guān)閉狀態(tài)及反向阻斷(reverse blocking)模式。為了降低輸出紋波及噪聲,電路中增加了由電感L2和電容C11組成的濾波器。此外,還可以選擇增加P-MOSFET Q1和驅(qū)動器晶體管Q2,以在有需要的情況下,支持關(guān)閉5 V輸出,用于“休眠模式”或類似要求,從而將漏電(power drain)降至絕對最低值。

對5 V輸出進(jìn)行穩(wěn)壓的方式,是檢測主輸出電容C10兩端的電壓,并以電阻R14和R15對這電壓進(jìn)行分壓,使其匹配可編程齊納器件U5(TL431A)的2.5 V內(nèi)部參考電壓。U5充當(dāng)誤差放大器,并藉光耦合器U2提供反饋給初級端控制器U1。C13和R13提供控制環(huán)路相位和增益補(bǔ)償,而C7為U5的反饋輸入提供高頻噪聲去耦。

圖2:變壓器設(shè)計數(shù)據(jù)表。

另外兩路低壓輸出(3.3 V和1.8 V)使用1對NCP1595單片同步降壓穩(wěn)壓器(U3和U4)從5 V輸出獲得。這兩個降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率為1 MHz,因此只需要極小尺寸的輸出電感(L3和L4)和電容(C15和C17)。由于這些降壓轉(zhuǎn)換芯片的輸入和輸出紋波頻率極高,C14至C17應(yīng)當(dāng)使用極低阻抗的多層陶瓷電容。C18是一顆標(biāo)準(zhǔn)鋁電解電容以保證在特殊DTA微處理器從休眠模式啟動時只有極低的輸出電壓下降。在這個測試應(yīng)用中,3.3 V輸出并不需要大輸出電容,但如果這3.3 V輸出是DTA微處理器的主電源,則可以考慮選用大輸出電容。對于所選3.3 V和1.8 V電平之外的電壓,設(shè)計人員只需要調(diào)整電壓檢測分壓器網(wǎng)絡(luò)調(diào)節(jié)電阻(R17或R19)的值,提供恰當(dāng)?shù)姆答侂娖浇o降壓控制器的檢測輸入即可(可訪問www.onsemi.com/pub_link/Collateral/NCP1595.PDF,參見NCP1595數(shù)據(jù)表)。

測試結(jié)果

工作效率
由于此款設(shè)計的主要目標(biāo)是效率和電路簡單性,而且特定DTA電路應(yīng)用所需的電壓和電流配置也會明顯不同,所以我們在多種不同負(fù)載條件下測試了能效,結(jié)果如表2所示。如我們可能預(yù)計的那樣,5 V輸出上負(fù)載最大的配置總能效也最高。

表2:不同輸出在各種負(fù)載配置下的能效。

休眠及關(guān)閉模式
  • 休眠模式:輸入功率≤720 mW
  • 關(guān)閉模式(空載):輸入功率≤200 mW
從上述數(shù)據(jù)來看,均符合設(shè)計規(guī)范要求。

其它評論及建議
雖然這個特別參考設(shè)計中并沒有測試傳導(dǎo)EMI,但相同的輸入濾波器設(shè)計已用于安森美半導(dǎo)體其它類似的低功率反激式參考設(shè)計,且符合FCC針對導(dǎo)電EMI的B級(Level B)要求。

為了獲得最佳的熱管理性能,NCP1595的DFN表面貼裝封裝(U3及U4)應(yīng)當(dāng)完整地焊至電路板的外部覆銅區(qū)域,而當(dāng)NCP1595降壓轉(zhuǎn)換器上提供更大電流輸出,這就猶為重要。

電流感測變壓器T2的設(shè)計并非最關(guān)鍵的事項,可以采用任何匝數(shù)比在30:1至50:1的小型鐵芯就可以使用。然而,主反激變壓器T1的設(shè)計對能效及優(yōu)化電源性能而言非常關(guān)鍵。我們并不建議重新設(shè)計磁芯結(jié)構(gòu)更小(磁芯橫截面積Ae更小)的變壓器。使用橫截面積較大的磁芯可能使總匝數(shù)較少,并有可能增量提升能效,但為了恰當(dāng)?shù)碾娐饭ぷ?,需要維持規(guī)定的電感值。

設(shè)計人員運用此參考設(shè)計時,建議您詳細(xì)閱讀安森美半導(dǎo)體NCP1308和NCP1595單片控制器的數(shù)據(jù)表。

演示電路板

圖3:安森美半導(dǎo)體8 W DTA電源參考設(shè)計的演示電路板。

總結(jié):
本文介紹了安森美半導(dǎo)體用于8 W DTA轉(zhuǎn)換盒電源的一種經(jīng)過完備構(gòu)建及測試的GreenPointTM解決方案。這電源設(shè)計在初級端使用了安森美半導(dǎo)體的NCP1308電流模式控制器,采用的是準(zhǔn)諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。次級端提供三路輸出(5 V、3.3 V和1.8 V)。其中,3.3 V和1.8 V輸出源于5 V輸出,使用了采用降壓直流-直流(DC-DC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及同步整流技術(shù)的NCP1595控制器。這參考設(shè)計滿足“能源之星”的能效規(guī)范要求及NTIA的技術(shù)要求,并符合安森美半導(dǎo)體的設(shè)計規(guī)范,具有較高的工作效率及極低的待機(jī)能耗??蛻衾眠@參考設(shè)計,可以縮短設(shè)計周期,并加快產(chǎn)品上市進(jìn)程。


供稿:安森美半導(dǎo)體

參考資料:
1、安森美半導(dǎo)體《8 W DTA電源參考設(shè)計文檔》,參見:http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/TND332-D.PDF
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