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Si7137DP:Vishay新型P 通道功率MOSFET

發(fā)布時間:2009-03-12

產(chǎn)品特性:
  • Si7137DP20V P通道器件
  • 采用 SO-8 封裝
  • 低至1.9 m?的超低導(dǎo)通電阻
  •  通過Rg 和 UIS 認(rèn)證,且不含鹵素
應(yīng)用范圍:
  • 筆記本電腦
  • 工業(yè)/通用系統(tǒng)
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP,該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝,具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

新型 Si7137DP具有 1.9 m?(在 10 V 時)、2.5 m?(在 4.5 V 時)和 3.9 m?(在 2.5 V 時)的超低導(dǎo)通電阻。TrenchFET 第三代 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,從而確保器件可以比之前市面上 p 通道功率 MOSFET 更低的功耗執(zhí)行切換任務(wù)。

Si7137DP 將用作適配器開關(guān),用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器開關(guān)(在適配器/墻壁電源和電池電源間切換)一直處于導(dǎo)通狀態(tài),消耗電流。Si7137DP 的低導(dǎo)通電阻能耗低,節(jié)省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。

對于使用 20V 器件足夠的應(yīng)用,Si7137DP 令設(shè)計人員無須依賴 30V 功率 MOSFET,直到最近 30V 功率 MOSFET 才成為具有如此低導(dǎo)通電阻范圍的唯一 p 通道器件。最接近的同類 20V p 通道器件具有 12-V 以上的柵極至源極額定值,在 4.5V 柵極驅(qū)動時導(dǎo)通電阻為 14 mΩ,且沒有 10V 柵極至源極電壓的特點。在同類 30V 器件中,采用 SO-8 封裝尺寸的最低 p 通道導(dǎo)通電阻在 10V 及 4.5V 時分別為 3.5 m? 和 6.3 m?,約為 Si7137DP 的一倍。

Vishay 將在 2009 年發(fā)布具有各種額定電壓及封裝選擇的其他 p 通道 TrenchFET 第三代功率 MOSFET。今天發(fā)布的該器件 100% 通過Rg 和 UIS 認(rèn)證,且不含鹵素。

目前,新型 Si7137DP TrenchFET 功率 MOSFET 可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。
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