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μPA2745/2749:NEC電子最新PC用功率MOSFET

發(fā)布時間:2008-12-02

產(chǎn)品特性:NEC低功耗PC用MOSFET

  • 將電力損耗最低降低3%
  • 提高了開關(guān)速度
  • 提高低導(dǎo)通阻抗的性能

應(yīng)用范圍:

  • 低功耗節(jié)能電腦

NEC電子日前推出2款適用于電腦中DC/DC轉(zhuǎn)換器用的功率MOSFET產(chǎn)品,并以“μPA2745”、“μPA2749”的品名于即日起提供樣品。作為該系列的擴(kuò)充產(chǎn)品,該2款產(chǎn)品成功將電力損耗最低降低3%。

交流電源先由AC適配器降壓并輸出為15V或20V直流電壓之后,由DC/DC轉(zhuǎn)換器用的功率MOSFET器件新產(chǎn)品將其降壓為CPU驅(qū)動用的1.5V直流電壓。通過采用新工藝,改善單元間距結(jié)構(gòu),提高開關(guān)速度,使得電源工作時的電力損耗與NEC電子以往產(chǎn)品相比最大降低了3%。因此,可以幫助用戶減少用來解決散熱問題的成本,并可開發(fā)出低功耗節(jié)能電腦。新產(chǎn)品分別重點提高了開關(guān)速度以及專注提高低導(dǎo)通阻抗的性能,用戶可根據(jù)自身系統(tǒng)的需求選擇最適合的產(chǎn)品。

新產(chǎn)品的樣品價格為“?PA2745”100日元/個,“?PA2749”60日元/個。預(yù)計從2009年3月開始,兩款產(chǎn)品的量產(chǎn)規(guī)模合計100萬個/月。

對于功率MOSFET來說,導(dǎo)通狀態(tài)下,阻抗越小電流越大,因此導(dǎo)通下阻抗值越低性能越高。為改善低導(dǎo)通阻抗性能,NEC電子從1998年前后加強(qiáng)生產(chǎn)工藝的微細(xì)化進(jìn)程,推進(jìn)多線鍵合與無線鍵合等可有效降低電阻值的封裝技術(shù)的開發(fā),向汽車電裝系統(tǒng)、移動終端設(shè)備以及個人電腦等主要市場推出產(chǎn)品。2007年,NEC電子的功率MOSFET在150V以下低耐壓領(lǐng)域的市場份額位居世界第三,受到市場廣泛好評。

在多功能化、高性能化發(fā)展日趨顯著的功率MOSFET的主要市場領(lǐng)域,特別是個人電腦市場中,CPU性能提高的同時,散熱問題成為重要課題,因此用戶對于早日推出低電力損耗的功率MOSFET的呼聲越來越高。

NEC電子該新產(chǎn)品正是面向此市場需求而開發(fā)的。與NEC電子以往產(chǎn)品一樣,該產(chǎn)品有良好的低導(dǎo)通阻抗性能,通過提高DC/DC轉(zhuǎn)換等開關(guān)動作的速度,降低了電力損耗。

該新產(chǎn)品有助于電腦等DC/DC轉(zhuǎn)換器向節(jié)能化、低成本化發(fā)展,是電腦用功率MOSFET的核心部分。NEC電子今后將進(jìn)一步展開該系列產(chǎn)品的營銷活動,并采用此次開發(fā)的工藝擴(kuò)充功率MOSFET產(chǎn)品。

主要規(guī)格:

品名

VDSS                 (V)

ID(DC)              (A)

RDS(on) typ/max                      (mohm)

Ciss      (pF)

Crss     (pF)

Qg      (nC)      VGS=5V

Qgd           (nC)

 
 

@10V

@4.5V

 

μPA2745UT1A

30

± 50

2.0/3.0

3.0/3.7

4070

260

28

8

 

μPA2749UT1A

30

± 25

7.8/10

11/16

900

68

7

2.4

 

 

 

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