產(chǎn)品特性:
- 通態(tài)電阻能效比同類產(chǎn)品高出達50%
- 采用TO-247封裝
- N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓
- 符合工業(yè)級及MSL1要求
- 不含鉛并符合RoHS
應用范圍:
- 同步整流、動態(tài)ORing
- 高功率DC馬達、DC-AC轉(zhuǎn)換器
- 電動工具等工業(yè)應用
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出具有基準低通態(tài)電阻(RDS (on))的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動態(tài)ORing及包括高功率DC馬達、DC-AC轉(zhuǎn)換器及電動工具等工業(yè)應用。
新MOSFET的通態(tài)電阻 (RDS (on)) 能效比同類產(chǎn)品高出達50%,無需工業(yè)應用中通常使用的大型及昂貴封裝,有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外,低RDS (on) 可降低導通損耗,并提升系統(tǒng)效率。
IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這個系列的卓越RDS (on) 額定值,可讓設(shè)計人員避免使用大電流工業(yè)應用中,往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝,使系統(tǒng)成本降低50%。”
全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓,也符合工業(yè)級及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制 (RoHS) 指令。