產(chǎn)品特性:
- 低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗
- 開關(guān)頻率高
- 30V(BVDSS)器件
- 采用DPAK和IPAK封裝
應(yīng)用范圍:
- 筆記本電腦
- 服務(wù)器
- 電信設(shè)備
- 網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)
意法半導(dǎo)體推出兩款適用于直流—直流轉(zhuǎn)換器的全新功率MOSFET(金屬互補(bǔ)氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用ST最新版STripFET制造技術(shù),擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,在一個(gè)典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi),兩種損耗的減少可達(dá)3瓦。新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了低的品質(zhì)因數(shù):FOM = 導(dǎo)通電阻Rds(on) x柵電荷量(Qg)。
除高能效外,新款MOSFET準(zhǔn)許實(shí)際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率,這樣可以縮減電路無(wú)源器件的尺寸。例如,把電路的開關(guān)頻率提高10%,輸出濾波器需要的無(wú)源器件的尺寸就可以縮小10%。
STD60N3LH5和STD85N3LH5是ST新系列STripFET V的頭兩款產(chǎn)品,因?yàn)閷?dǎo)通電阻小,柵電荷總量被大幅度降低,新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異,能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30V(BVDSS)器件。因?yàn)闁烹姾闪浚≦g)僅為8.8nC(納庫(kù)化),在10V電壓時(shí),導(dǎo)通電阻Rds(on)為7.2毫歐,所以STD60N3LH5是非隔離直流—直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10V電壓時(shí),導(dǎo)通電阻Rds(on)為4.2毫歐,柵電荷量為14nC,因此STD85N3LH5是同步場(chǎng)效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品都采用DPAK和IPAK封裝,不久還將推出采用SO-8、PowerFLAT 3.3x3.3、PowerFLAT 6x5和PolarPAK®封裝的產(chǎn)品。新系列STripFET V產(chǎn)品最適合應(yīng)用于筆記本電腦、服務(wù)器、電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。
ST的STripFET技術(shù)利用非常高的等效單元密度和更小的單元特征尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗,同時(shí)硅面積占用率較低。STripFET V是最新一代的STripFET技術(shù),與上一代技術(shù)相比,硅阻和活動(dòng)區(qū)的關(guān)鍵指標(biāo)改進(jìn)大約35%,單位活動(dòng)區(qū)內(nèi)的柵電荷總量降低25%。