【導(dǎo)讀】LED可以分為好多種，分為不同的顏色。那么，不同的LED之間有什么差別呢？我們平時(shí)見(jiàn)到的各種各樣的LED又是根據(jù)什么來(lái)區(qū)分？它們對(duì)比起來(lái)又有什么樣的優(yōu)勢(shì)？今天讓小編為你們揭曉，紫色和藍(lán)色LED的秘密。
紫色LED
發(fā)射紫外光的二極管。一般指發(fā)光中心波長(zhǎng)在400nm以下的LED，但有時(shí)將發(fā)光波長(zhǎng)大于380nm時(shí)稱(chēng)為近紫外LED，而短于300nm時(shí)稱(chēng)為深紫外LED。因短波長(zhǎng)光線的殺菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途……
發(fā)射紫外光的二極管。一般指發(fā)光中心波長(zhǎng)在400nm以下的LED，但有時(shí)將發(fā)光波長(zhǎng)大于380nm時(shí)稱(chēng)為近紫外LED，而短于300nm時(shí)稱(chēng)為深紫外LED。因短波長(zhǎng)光線的殺菌效果高，因此紫外LED常用于冰箱和家電等的殺菌及除臭等用途，以及與熒光體組合發(fā)出可視光的LED等用途。例如將紅色、綠色和藍(lán)色熒光體與紫外LED組合，可獲得白色LED。
紫外LED主要采用GaN類(lèi)半導(dǎo)體。產(chǎn)品方面，日亞化學(xué)工業(yè)上市了發(fā)光中心波長(zhǎng)從365nm～385nm不等的品種，Nitride Semiconductor上市了發(fā)光中心波長(zhǎng)為355nm～375nm不等的品種。
波長(zhǎng)不足300nm的深紫外LED的開(kāi)發(fā)活動(dòng)也很活躍。2008年理化學(xué)研究所和松下電工曾公布，采用GaN類(lèi)半導(dǎo)體的InAlGaN開(kāi)發(fā)出了發(fā)光中心波長(zhǎng)為282nm，光輸出功率為10mW的深紫外LED。波長(zhǎng)更短的深紫外LED方面，NTT物性科學(xué)基礎(chǔ)研究所采用AlN材料開(kāi)發(fā)出了發(fā)光中心波長(zhǎng)為210nm的深紫外LED。
發(fā)射紅外光線的二極管。一般指發(fā)光中心波長(zhǎng)超過(guò)700nm的LED。多用作遙控器和紅外線通信的光源、測(cè)距傳感器光源、光電耦合器光源以及打印機(jī)機(jī)頭的光源等。紅外LED使用AlGaAsP等GaAs類(lèi)半導(dǎo)體材料。
藍(lán)色LED
指藍(lán)色發(fā)光二極管。發(fā)光波長(zhǎng)的中心為470nm前后。用于照明器具和指示器等藍(lán)色顯示部分的光源、LED顯示屏的藍(lán)色光源以及液晶面板的背照燈光源等。與熒光體材料組合使用可得到白色光。目前的白色LED一般采用藍(lán)色LED與熒光材料相組合的構(gòu)造。
藍(lán)色LED得以廣泛應(yīng)用的契機(jī)，是日亞化學(xué)工業(yè)于1993年12月在業(yè)內(nèi)首次開(kāi)發(fā)出了光強(qiáng)達(dá)1cd以上的品種。而在此之前，還沒(méi)有藍(lán)色純度較高且具有實(shí)用光強(qiáng)的LED。因此，采用LED的大尺寸顯示屏無(wú)法實(shí)現(xiàn)全彩顯示。
藍(lán)色LED的材料使用氮化鎵（GaN）類(lèi)半導(dǎo)體。以前曾盛行用硒化鋅（ZnSe）類(lèi)半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)藍(lán)色LED，但自從1993年12月采用GaN類(lèi)半導(dǎo)體的高亮度藍(lán)色LED被開(kāi)發(fā)出來(lái)后，藍(lán)色LED的主流就變成了采用GaN類(lèi)半導(dǎo)體的產(chǎn)品。
藍(lán)色LED的構(gòu)造為，在藍(lán)寶石或者SiC底板等的表面上，重疊層積氮化鋁（AlN）半導(dǎo)體層和GaN類(lèi)半導(dǎo)體層。在稱(chēng)為活性層、發(fā)藍(lán)色光的部分設(shè)置了使p型GaN類(lèi)半導(dǎo)體層和n型GaN類(lèi)半導(dǎo)體層重疊的構(gòu)造。
pn結(jié)是制作高亮度LED所必須采用的構(gòu)造。在使用GaN以外材料的紅色等LED中，pn結(jié)很早以前就是主流構(gòu)造。而在1993年高亮度藍(lán)色LED面世之前，采用GaN類(lèi)材料難以實(shí)現(xiàn)pn結(jié)。原因是制成n型GaN類(lèi)半導(dǎo)體層雖較為簡(jiǎn)單，但p型GaN系半導(dǎo)體層的制作則較為困難。之后，通過(guò)對(duì)在p型GaN類(lèi)半導(dǎo)體層和n型GaN類(lèi)半導(dǎo)體層之間配置的GaN類(lèi)半導(dǎo)體層采用多重量子阱構(gòu)造，并進(jìn)一步改善GaN類(lèi)半導(dǎo)體層的質(zhì)量，光強(qiáng)獲得了大幅提高。
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