我們采用這樣的設(shè)計(jì)將使得反接保護(hù)二極管的電壓和達(dá)靈頓的飽和電壓一起產(chǎn)生壓降,在高溫下,繼電器可能無(wú)法吸合。
優(yōu)秀博客分享:設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)繼電器電路要注意啥?
發(fā)布時(shí)間:2015-03-31 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】在開(kāi)始選擇繼電器驅(qū)動(dòng)的時(shí)候,習(xí)慣性選擇現(xiàn)有的集成芯片,比如NUD3126和NUD3124,沒(méi)有仔細(xì)想過(guò)為什么要選用它們,是否可以選擇分立的三極管或者達(dá)林頓管。這里做一些分析和補(bǔ)充。來(lái)為大家分析設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)繼電器電路的要注意些什么事項(xiàng)呢?
第一個(gè)因素是繼電器的熱開(kāi)啟問(wèn)題
我們知道繼電器要成功開(kāi)啟,特別是高溫下是需要一定的電流的,由于高溫的影響,電阻增大,使得需要的啟動(dòng)電壓也上升了。
因此一般可以得到溫度和電壓的圖,如圖所示:
達(dá)林頓管的飽和電壓要比普通的三極管高一些.
[page]我們采用這樣的設(shè)計(jì)將使得反接保護(hù)二極管的電壓和達(dá)靈頓的飽和電壓一起產(chǎn)生壓降,在高溫下,繼電器可能無(wú)法吸合。
因此RELAY供應(yīng)商往往不推薦使用這樣的設(shè)計(jì),如圖所示:
我不覺(jué)得上面這個(gè)設(shè)計(jì)比前面一個(gè)設(shè)計(jì)好多少,不過(guò)如果這樣設(shè)計(jì)的話,問(wèn)題可以解決一部分。
驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)問(wèn)題。
感性負(fù)載固有關(guān)斷有瞬態(tài)電壓的問(wèn)題,這個(gè)屢次經(jīng)過(guò)計(jì)算。
加二極管續(xù)流的問(wèn)題是以繼電器本身的壽命為代價(jià)的,這并不合算。如果不加續(xù)流二極管,則需要考慮這部分能量怎么瀉放的問(wèn)題。
后三種方案可選擇,不過(guò)穩(wěn)壓管最便宜,但是速度較慢。
三極管為什么會(huì)壞?
三極管的軟擊穿。
對(duì)于集電極電壓超過(guò)V(BR)CEO而引起的擊穿,只要外電路限制擊穿后的電流,管子就不會(huì)損壞,待集電極電壓減小到小于V(BR)CEO后,管子也就恢復(fù)到正常工作,因此這種擊穿是可逆的,不是破壞性的。
三極管的二次擊穿。
如果上述擊穿后,電流不加限制,就會(huì)出現(xiàn)集電極電壓迅速減小,集電極電流迅速增大的現(xiàn)象,通常將這種現(xiàn)象稱為二次擊穿。發(fā)生二次擊穿的過(guò)程是:結(jié)面某些薄 弱點(diǎn)上電流密度增大,引起這些局部點(diǎn)的溫度升高,從而使局部點(diǎn)上電流密度更大,溫度更高,如此反復(fù)作用,最后導(dǎo)致過(guò)熱點(diǎn)的晶體熔化,相應(yīng)在集射極間形成低 阻通道,導(dǎo)致vCE下降,iC劇增,結(jié)果是功率管尚未發(fā)燙就已損壞。因此二次擊穿是不可逆的,是破壞性的。可見(jiàn),二次擊穿是在高壓低電流時(shí)發(fā)生的,相應(yīng)的 功率稱為二次擊穿耐量。
最后一個(gè)問(wèn)題是反接保護(hù)的問(wèn)題。
這是一個(gè)討厭的問(wèn)題,二極管的問(wèn)題是壓降,如果使用PMOS或者NMOS呢,COIL的反電壓容易對(duì)PMOS產(chǎn)生影響,因此請(qǐng)大家慎重選擇反接保護(hù)電路。
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