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LED燈的最新保護(hù)技術(shù)
本文分析了為什么要對(duì)LED進(jìn)行保護(hù)和造成LED損壞的原因，進(jìn)而談到怎么對(duì)LED來(lái)進(jìn)行保護(hù)，以及LED的靜電防護(hù)和其生產(chǎn)車(chē)間的靜電防護(hù)。
2008-10-10
LED 保護(hù) 靜電
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傳感器中的電壓/電流、電壓/頻率變換的實(shí)現(xiàn)
在工業(yè)控制領(lǐng)域，檢測(cè)傳感器件起著越來(lái)越重要的作用，各種先進(jìn)的傳感器正在大量應(yīng)用。本文介紹的兩個(gè)轉(zhuǎn)換電路所需費(fèi)用低，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，調(diào)試方便，非常易于實(shí)現(xiàn)，并且經(jīng)過(guò)礦用監(jiān)測(cè)設(shè)備多次的實(shí)際現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用，其對(duì)于國(guó)內(nèi)一般的煤礦安全監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的接入信號(hào)的要求都能夠很好地滿(mǎn)足應(yīng)用。
2008-10-10
傳感器 電壓/電流 電壓/頻率
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傳感器信號(hào)調(diào)理電路
傳感器信號(hào)不能直接轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，在變換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)之前必須進(jìn)行調(diào)理。本文介紹了傳感器信號(hào)調(diào)理電路的組成、性能、工作原理以及傳感器和放大器匹配電路等。
2008-10-10
信號(hào)調(diào)理 傳感器 放大器
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中國(guó)大陸第一條OLED大規(guī)模生產(chǎn)線(xiàn)昆山投產(chǎn)
10月8日，中國(guó)大陸第一條自主設(shè)計(jì)建設(shè)的OLED（有機(jī)發(fā)光顯示）技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)線(xiàn)在江蘇昆山投產(chǎn)。這是我國(guó)大陸在顯示產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域第一次依靠自主掌握的技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，標(biāo)志著新型平板顯示技術(shù)領(lǐng)域通過(guò)多年自主創(chuàng)新已取得重大突破，顯示產(chǎn)業(yè)由“中國(guó)制造”開(kāi)始走向“中國(guó)創(chuàng)造”。
2008-10-09
OLED
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提高DC/DC轉(zhuǎn)換器EMC性能的新策略
為了提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的電磁兼容性，基于混沌現(xiàn)象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制策略。首先推導(dǎo)了能夠產(chǎn)生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對(duì)電流滯環(huán)控制策略的電流參考值進(jìn)行擾動(dòng)。從而擴(kuò)展了電感電流的功率譜，降低了在開(kāi)關(guān)頻率及其諧波頻率上發(fā)射的電磁干擾。...
2008-10-09
DC/DC轉(zhuǎn)換器 電力電子 混沌 電磁兼容
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采用適合工藝技術(shù)制造硅MEMS振蕩器
MEMS振蕩器商用化的一個(gè)最大障礙是開(kāi)發(fā)一種經(jīng)濟(jì)并足夠純凈的密閉封裝系統(tǒng)。本文展示了一種適用于MEMS振蕩器的制造工藝，以及一組可與傳統(tǒng)的石英晶體技術(shù)相媲美的測(cè)量數(shù)據(jù)。這些測(cè)量數(shù)據(jù)是目前為止得到的最穩(wěn)定的MEMS振蕩器數(shù)據(jù)。
2008-10-09
純凈 振蕩 頻率 穩(wěn)定
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固態(tài)混合電勢(shì)氣體傳感器的原理和應(yīng)用
以混合電勢(shì)響應(yīng)為基礎(chǔ)的固態(tài)高溫氣體傳感器為各種還原性氣體提供了一種簡(jiǎn)單快速并且低成本的原位在線(xiàn)測(cè)量。這些傳感器響應(yīng)機(jī)理因電極材料、電極微觀(guān)形貌等不同而有所變化，主要分為混合電勢(shì)與被測(cè)氣體濃度呈對(duì)數(shù)關(guān)系或者線(xiàn)性關(guān)系兩種類(lèi)型。其響應(yīng)行為取決于電極反應(yīng)的Butler-Volmer動(dòng)力學(xué)方程的具體...
2008-10-09
混合電勢(shì) 氧化 還原 傳感器
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MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿(mǎn)足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。
2008-10-09
MOSFET DirectFET VRM 整流器
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法國(guó)Sofradir公司收購(gòu)美國(guó)紅外探測(cè)器公司Electrophysics
法國(guó)Sofradir公司宣布收購(gòu)美國(guó)Electrophysics公司。此項(xiàng)收購(gòu)有望加速Sofradir和它的子公司ULIS在北美市場(chǎng)的發(fā)展。Sofradir希望30天內(nèi)完成本次交易，交易價(jià)格尚未披露。
2008-10-08
收購(gòu) Sofradir Electrophysics 紅外
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
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