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新型光學(xué)加速度傳感器動(dòng)力學(xué)性能設(shè)計(jì)
本文針對(duì)基于菲涅耳衍射微透鏡的新型光學(xué)加速度傳感器設(shè)計(jì)了一種簡(jiǎn)單實(shí)用的敏感加速度的振動(dòng)系統(tǒng),它是由一個(gè)微彈性機(jī)械結(jié)構(gòu)連接在外框架上構(gòu)成。微彈性機(jī)械結(jié)構(gòu)是在一塊硅片上通過(guò)簡(jiǎn)單的MEMS工藝加工的,可以通過(guò)改變硅片的厚度和彈性臂的寬度來(lái)設(shè)計(jì)不同的彈性系數(shù)和振動(dòng)系統(tǒng)的固有頻率,以滿足傳...
2008-10-24
傳感器 新型 光學(xué)加速度
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無(wú)源紅外光控控制器
本文主要是介紹檢測(cè)PIR傳感器傳感器所產(chǎn)生脈沖的電路以及無(wú)源紅外光控控制器。
2008-10-24
PIR 傳感器 控制
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PPTC組件在鋰離子電池組短路及過(guò)充電保護(hù)中的應(yīng)用
本文主要介紹PPTC保護(hù)器件在鋰離子電池組短路及過(guò)充電保護(hù)中的應(yīng)用。分析了PPTC器件保護(hù)的工作和操作原理,討論了在電池電路保護(hù)方面需要考慮的因素,強(qiáng)調(diào)了PPTC提供鋰離子電池過(guò)充電保護(hù)的重要性。
2008-10-24
PPTC保護(hù)器件 鋰離子電池組 應(yīng)用
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IGBT技術(shù)——半導(dǎo)體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導(dǎo)體技術(shù)之間的區(qū)別,并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來(lái)的性能提升。
2008-10-23
IGBT 半導(dǎo)體 開(kāi)關(guān) 外殼
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變頻調(diào)速技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及前景展望
本文講了變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展概況,變頻調(diào)速技術(shù)國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀以及變頻調(diào)速未來(lái)的發(fā)展方向。
2008-10-23
變頻調(diào)速 現(xiàn)狀 發(fā)展 變頻器
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變頻技術(shù)在設(shè)備改造中的應(yīng)用
本文主要講了SGZ1000-N 型三足式全自動(dòng)下部卸料離心機(jī)的改造,采用變頻器對(duì)離心機(jī)的電動(dòng)機(jī)進(jìn)行控制。
2008-10-23
變頻器 調(diào)速 輸出頻率
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江西首個(gè)多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在樟樹(shù)正式投產(chǎn)
10月23日,引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬(wàn)美元,年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬(wàn)噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在江西樟樹(shù)正式投產(chǎn),這是江西省首個(gè)投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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高壓大功率變頻器在長(zhǎng)輸管道上的應(yīng)用
高壓大功率的大型變頻器在長(zhǎng)輸管道輸油生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)用可以節(jié)省電力,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性,本文介紹了秦京線的應(yīng)用實(shí)例。
2008-10-23
變頻器 長(zhǎng)輸管道 節(jié)能
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過(guò)壓保護(hù)的備用電路: 技巧和竅門(mén)
過(guò)壓保護(hù)(OVP)器件用于保護(hù)后續(xù)電路免受甩負(fù)載或瞬間高壓的破壞,在某些特定的應(yīng)用中,基本的過(guò)壓保護(hù)電路不足以勝任器件保護(hù)的要求,通常有以下兩種需求。第一,電路的最大輸入電壓可能增大;第二,適當(dāng)修改電路,可以在發(fā)生過(guò)壓或欠壓時(shí)利用輸出電容儲(chǔ)能保持能量。本文討論如何針對(duì)這兩種需求修改...
2008-10-23
過(guò)壓保護(hù) 電路 MOSFET
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn),助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
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