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基于矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的天線近場測試方案
在天線設(shè)計中，對其參數(shù)的測試和驗證是不可或缺的過程。而近場測量的原始數(shù)據(jù)需要包含幅度相位信息，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀則是主要測試儀器設(shè)備。
2022-10-27
矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 近場測試
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使用低靜態(tài)電流小型器件準(zhǔn)確測量生命體
眼下，“便攜式未來”似乎近在咫尺，曾經(jīng)龐大笨重的設(shè)備如今已變得輕巧便攜。我在個人電子產(chǎn)品上對此有著親身體會：以前的手機又重又慢，而現(xiàn)在的手機不僅外形纖薄，運行速度快，而且電池壽命也越來越長。
2022-10-25
血糖檢測儀 REF35 TI
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混合信號PCB布局設(shè)計的基本準(zhǔn)則
本文將詳細說明在設(shè)計混合信號PCB的布局時應(yīng)考慮的內(nèi)容。本文涉及元件放置、電路板分層和接地平面方面的考量，文中討論的準(zhǔn)則為混合信號板的布局設(shè)計提供了一種實用方法，對所有背景的工程師應(yīng)當(dāng)都能有所幫助。
2022-10-25
混合信號 PCB布局
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基于熱敏電阻的溫度檢測系統(tǒng)—第1部分：設(shè)計挑戰(zhàn)和電路配置
本系列文章分為兩部分，這是第1部分。本部分首先討論基于熱敏電阻的溫度測量系統(tǒng)的歷史和設(shè)計挑戰(zhàn)，以及它與基于電阻溫度檢測器(RTD)的溫度測量系統(tǒng)的比較。此外，本文還會簡要介紹熱敏電阻選擇、配置權(quán)衡，以及Σ-Δ型模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)在該應(yīng)用領(lǐng)域中的重要作用。第2部分將詳細介紹如何優(yōu)化和評估基于...
2022-10-24
熱敏電阻 溫度檢測
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IBIS建模--第3部分：如何通過基準(zhǔn)測量實現(xiàn)質(zhì)量等級為3級的IBIS模型
輸入/輸出緩沖器信息規(guī)范(IBIS)是一種行為模型，作為生成器件模型的標(biāo)準(zhǔn)格式而在全球受到歡迎。器件模型的精度取決于行業(yè)提供的IBIS模型的質(zhì)量。因此，為信號完整性仿真提供高質(zhì)量、可靠的IBIS模型是對客戶的堅定承諾。
2022-10-18
IBIS 基準(zhǔn)測量 ADI
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從存在檢測到生命感應(yīng)：英飛凌解決物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)挑戰(zhàn)
物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 正在興起。智能設(shè)備正在釋放技術(shù)優(yōu)勢，幫助人們創(chuàng)造附加值，提高行業(yè)生產(chǎn)率。然而，物聯(lián)網(wǎng)也帶來了許多挑戰(zhàn)，例如新技術(shù)的復(fù)雜性，以及獲取和處理數(shù)據(jù)以做出明智決策的需求。
2022-10-17
生命感應(yīng) 英飛凌 物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)
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芯片測試大講堂——MIPI D-PHY
大家好，由是德科技與上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進中心（上海ICC）聯(lián)合執(zhí)筆的芯片測試系列與大家見面了，本期內(nèi)容將聚焦于MIPI D-PHY測試，其中的內(nèi)容匯集了雙方諸位資深工程師的一手經(jīng)驗，摘要如下：
2022-10-12
芯片測試 MIPI D-PHY
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以Si...
2022-10-11
測試測量 SiC MOSFET 柵-源電壓
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ADI電磁流量計模擬前端電路方案實測
電磁流量計是20世紀(jì)50~60年代隨著電子技術(shù)的發(fā)展而興起的新型流量測量儀表，由于其無阻流件等特點，在測量領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。持續(xù)的技術(shù)進步要求不斷提高解決方案的集成度，技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Nathan Xiao借助ADI的放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器，進行了可實現(xiàn)高分辨率、低噪聲的工業(yè)電磁...
2022-10-10
ADI 電磁流量計 模擬前端
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